由普通I/O线构成软件串行口的方法及实用程序

在各类工业计算机测控系统中，一些以单片机为核心的前端机经常需要扩展串行口。本文介绍采用普通I／O线灵活扩展软件串行口的2种方法，这些方法有硬件省、成本低、灵活方便等特点。文中提供了经实际应用效果非常良好的实用51单片机收、发通信程序。

I/O线双用式键盘接口

本文针对传统行列式键盘键位容量少而提出一个新的键盘硬件、软件方案。

可控纳米Ag修饰ZnO线阵列及其降解罗丹明B研究

利用水热法在ITO玻璃上制备了沿(002)晶面生长直径为120 nm左右的Zn O线阵列,然后通过浸渍-光还原法在Zn O的表面均匀生长50 nm左右银纳米粒子;以乙二醇作溶剂,有效地抑制了Ag的团聚与连续生长;通过调控硝酸银的浓度,改变Ag的负载量而不影响其大小。研究表明:硝酸银浓度为5 mol/m L时,负载量为0.8%,在紫外可见光下降解罗丹明B效率最快,比纯Zn O提高2倍多。探讨了可能的降解机理,发现其主要的活性物种为羟基自由基。

Cu_(2)O纳米线阵列的制备与表征

Cu_(2)O纳米线阵列既保留了纳米线长径比高、比表面积大等优点,又具有规模效应及协同效应,在气敏、光伏等领域具有广阔的应用前景。以泡沫铜为基体,通过化学法制备Cu(OH)_(2)纳米线阵列为前驱体,并在N_(2)气氛中采用两步加热法制备Cu_(2)O纳米线阵列,利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对Cu_(2)O纳米线阵列结构进行表征。结果表明:只需控制、优化Cu基底的曲率半径和弧度,就能制备出Cu_(2)O纳米线阵列,这为制备Cu_(2)O纳米线阵列薄膜提供了新的思路。

WO3·H2O纳米线阵列的制备及其光催化活性

制备了具有有序孔洞多孔阳极氧化铝(AAO),并以之为模板通过溶胶-凝胶法制备高度取向的WO3·H2O纳米线阵列,用X射线衍射、XPS、扫描电镜(SEM)和比表面积仪进行表征。结果表明:WO3·H2O纳米线线径与AAO模板的孔径一致,且分布均匀,线径为26 nm,线长为1.1μm;与相同条件下用玻纤布作载体制备的WO3·H2O膜相比,其平均晶粒小,低密度,高比表面积。将催化剂WO3·H2O/AAO与WO3·H2O/玻纤布两者分别对气相甲醛进行光催化降解反应以评价它们的光催化活性,得出WO3·H2O纳米线阵列光催化降解气相甲醛反应速率常数大约是WO3·H2O/玻纤布的3.4倍,说明以AAO为模板制备的WO3·H2O纳米线阵列具有更高的光催化活性。

NiCo_2O_4纳米线对H_2O_2电还原的催化性能

以无模板生长法制备了泡沫镍载NiCo2O4纳米线正极材料,XRD和SEM表征结果表明,所得材料为NiCo2O4纳米线,以循环伏安法和计时电流法研究了泡沫镍载NiCo2O4纳米线对H2O2电还原的催化性能.结果显示,在0.4 mol/L H2O2和3.0 mol/L NaOH溶液中,当电压为-0.4 V(vs.Ag/AgCl)时,循环伏安的电流密度达到125 mA/cm2;当电压为-0.2,-0.3和-0.4 V时,在30 min的测试时间内,计时电流密度几乎均为一常数,表明以泡沫镍载NiCo2O4纳米线为催化剂电还原H2O2具有很高的活性和很好的稳定性.

Cu_3V_2O_7(OH)_2·2H_2O纳米线的制备及其电化学性能

以CuSO4.5H2O和NH4VO3为原料,采用水热法制备了Cu3V2O7(OH)2.2H2O纳米线。利用XRD、FE-SEM、TEM和HRTEM对样品的结构和表面形貌进行了表征,并对其作为锂电池正极材料的电化学行为进行了研究。电化学性能测试表明,Cu3V2O7(OH)2.2H2O纳米线电极具有较高的开路电压和较大的放电容量。

CoFe_2O_4纳米线阵列的制备与性能表征

采用Sol-gel法在孔径分别为50 nm和200 nm的AAO模板中制备高度有序的CoFe2O4纳米线阵列。用SEM、TEM和HRTEM对纳米线阵列的形貌和结构进行了表征。对钴铁氧体纳米线阵列进行磁性能研究,结果表明,CoFe2O4纳米线阵列没有择优取向性,但直径为50 nm的钴铁氧体纳米线阵列的矫顽力大于直径为200 nm的钴铁氧体纳米线的矫顽力,这是由于AAO模板的纳米孔道对材料的限域效应引起的。

气氛对MnCr_2O_4尖晶石纳米线生长的影响

建立了一种在氮气和氢气的还原性混合气氛和1100℃条件下加热商业不锈钢箔(304)制备MnCr2O4尖晶石纳米线的简单方法,并研究了不同气氛对纳米线生长的影响.研究发现,混合气体中氢气含量的变化会影响纳米线的形貌和产率;而氧化性气氛(如空气)下则得不到纳米线.在还原性气氛下,Mn和Cr原子可以和反应室内残留的痕量氧反应生成MnCr2O4尖晶石,而Fe和N i原子不能被氧化,但是Fe和N i可以起到催化纳米线生长的作用,纳米线的生长机理属于自催化性的气-液-固(VLS)机制.

以泡沫镍载NiCo_2O_4纳米线阵列为阴极催化剂的Al-H_2O_2半燃料电池

研究了以泡沫镍载NiCo2O4纳米线阵列为阴极催化剂的Al-H2O2半燃料电池的性能.以无模板生长法制备了泡沫镍载NiCo2O4纳米线阵列阴极材料,SEM测定结果表明,NiCo2O4纳米线几乎垂直于泡沫镍载体表面生长.以电压和功率密度-电流密度曲线研究了H2O2浓度、电解液流速和温度对电池性能的影响,结果显示,以铝片为阳极,0.6 mol/L H2O2为氧化剂的电池的开路电压约为1.40 V;在室温和57℃下,电流密度为98和172 mA/cm2时,最大功率密度分别达到79和120 mW/cm2.在5000 s的测试时间内,0.70 V的恒电流密度和75 mA/cm2的恒电压值几乎为一常数,这表明以泡沫镍载NiCo2O4纳米线阵列为催化剂电还原H2O2具有很好的活性、稳定性和传质性能.

中空ZnCo_2O_4纳米线的合成及其电化学性能分析

运用微乳液法,以醋酸盐为原料,草酸为沉淀剂,CTAB为表面活性剂,乙二醇为单一溶剂首先合成前驱体ZnCo2(C2O4)3纳米线,然后用ZnCo2(C2O4)3纳米线作为牺牲模板经过煅烧合成多孔的ZnCo2O4纳米线。用FT-IR、XRD、SEM、TEM和电化学性能测试,研究得到的产物的形貌结构和电化学性能。结果表明:合成了具有一维结构的尖晶石结构的ZnCo2O4纳米线,由于具有较大的比表面积和多孔性,更有利于锂离子的嵌入与脱出,其初始放电比容量达1841mAh.g-1,25次循环后容量还能达到765mAh.g-1,整体的库伦效率维持在100%左右,循环性能良好。

气体传感器材料——In_2O_3纳米线的制备与表征

采用物理气相沉积法,以纯铟粒为原料,在980℃下Si(100)基片上通过改变气流成分制备了一系列氧化铟纳米线,并采用扫描电子显微镜、X射线衍射和透射电子显微镜对其形貌和结构进行了表征。试验表明,随着氩气中氢气含量增加,纳米线的产量降低,10%的含氢量最优。纳米线的直径在50～100nm之间,长度可达几十微米。纳米线的结构是方铁锰矿体心立方单晶结构。纳米线的生长符合VLS模型,铟起到了自催化的作用。

C．O．Clark单位线在黄土高原小流域汇水演算中的应用

通过求解时间-面积曲线和应用线性水库调节建立Clark单位线,对陇西黄土高原典型流域汇 流过程进行演算,并对结果进行分析．结果显示:传统的线性或非线性集总方法在进行流域汇水演算 时具有结构简单、参数少、模型容易实现等优点,但未能考虑空间异质性对水文过程的影响,构成模型 计算误差的主要来源,同时也造成模型中水文学概念模糊以及过程机制的不尽合理．克服上述缺点的 途径之一是将传统方法与现代地学先进技术手段(特别是地理信息系统(GIS))有机结合．

化学沉淀法制备的α-Fe2O3非晶纳米线的晶化研究

以AAO为模板,采用化学沉淀法制备α-Fe2O3纳米线,经TEM和XRD分析表明,所制备的α-Fe2O3纳米线长度约为5 μ m,直径约为40～50nm,且为非晶态,该非晶纳米线的晶化温度约为850℃,明显高于α-Fe2O3纳米粉体的晶化温度.

V2O5纳米线改性PVDF超滤膜的制备及其分离性能

水热合成出超亲水的V2O5纳米线,然后将其与PVDF铸膜液直接共混,制备出不同V2O5纳米线添加量的PVDF改性杂化超滤膜,系统地研究了V2O5纳米线对超滤膜结构和分离性能的影响.结果表明,随着V2O5纳米线添加量的增加,改性膜的孔隙率和孔尺寸逐渐增大,膜的亲水性也逐渐增强.当V2O5纳米线添加量为2.0%时,V2O5纳米线修饰PVDF膜的纯水通量达到621.98L/(m^2·h),对BSA的截留率为92.5%.此外,抗污染实验表明,V2O5纳米线改性的PVDF超滤膜比未改性的PVDF超滤膜具有更强的抗污染性能.

α-Fe_2O_3纳米线和体材料的拉曼光谱的温度依赖性

研究了α-Fe2O3体材料和纳米线的拉曼光谱的频率对温度的依赖性,认为纯温度效应是影响其拉曼光谱温度依赖性的主要因素。讨论了α-Fe2O3纳米线和体材料的拉曼光谱温度依赖性不同的根源。

NH4V3O8纳米线的水热合成及超级电容器性能

通过水热处理偏钒酸铵酸性溶液制得了高纯NH4V3O8纳米线,其直径约为100～150 nm,长达数十微米。采用循环伏安、恒流充放电和交流阻抗等电化学测试方法研究了由NH4V3O8纳米线组成的对称超级电容器的电化学性能。结果表明,在8 mol/L的LiCl溶液中,电流密度为0.1 A/g时,NH4V3O8纳米线电极的比容量可达到210 F/g。

基于COMSOL Multiphysics的Cu_2O纳米线光腔模式仿真分析

通过COMSOL Multiphysics有限元模拟软件,建立了一维Cu_2O纳米线的仿真模型,分别求解长度为2μm、直径分别为160nm和240nm时激子发光及其在纳米线中形成的光学腔谐振模式,同时测试了2种尺寸样品的荧光光谱,并分析了各尺寸Cu_2O纳米线光学模式的差异.实验与仿真结果表明:在这2种尺寸的样品中确实存在光学腔谐振效应引起的激子发光本征模式,且在样品直径达到240nm时,可以支持2种光场谐振模式.

Co_3O_4纳米线阵列的制备及其储锂性能

利用水热和后热处理的方法,在不锈钢片上制备了Co_3O_4纳米线阵列,并作为阳极应用到锂离子电池上。结构和形貌表征发现,Co_3O_4纳米线为多孔结构,由大小为20~40nm的Co_3O_4颗粒构成。电化学特性测试表明,Co_3O_4纳米线阵列电极具有良好的循环稳定性和优异的倍率特性,在890mA/g的电流密度下,可逆容量为1 300mAh/g,循环150次后,库伦效率保持在99%以上。分析指出,多孔纳米结构不但使活性物质Co_3O_4能够充分与电解液接触并反应,有效地适应材料在充放电过程中的体积变化,而且减小了锂离子和电子在其中的输运距离。同时,在集流体上直接生长活性物质,它们之间具有良好的电接触,有利于电子通过界面的快速传输。

Cu_2O纳米线激子精细结构光谱分析

基于显微拉曼光谱仪研究比较单根与多根Cu_2O纳米线荧光光谱特性,通过详细分析显微荧光谱线信息,研究制备得到的Cu_2O纳米线的精细结构。单根Cu_2O纳米线表现出高能激子发射及其高阶声子辅助的光学跃迁谱线。