改进YOLOv8n的O型密封圈表面缺陷检测算法研究

针对O型密封圈表面缺陷尺度小且缺陷特征与背景相似性高,存在特征提取困难等问题与工业实时检测的需求,提出一种改进YOLOv8n的YOLO-Oring算法。在卷积计算的基础上,融入线性变化,设计新的CBLGhost模块,减小计算特征图所需的计算资源;针对缺陷与背景相似度高,引入DySample轻量动态上采样模块,使采样点集中在目标区域而忽略背景部分,实现缺陷的有效识别;为提高检测效率,设计C2f-OREPA模块,将复杂的结构重参数转为单卷积层,在保持特征表达能力的同时降低大量训练耗时;为提高算法对小尺度缺陷识别能力,设计DyHeadDCNv3检测头,用于识别多尺度目标,弥补传统标准卷积在长距离建模能力和自适应空间聚合能力上的不足,从而更好地完成检测任务。由于O型密封圈检测数据集缺乏,建立了包括划痕、凹陷、毛刺3类缺陷的1 734张数据集,实验结果表明,YOLO-Oring算法的mAP达到了94.1%,提升了1.3个百分点,FLOPs降低了16%。通过与主流目标检测算法进行比较,结果表明YOLO-Oring算法对O型密封圈表面缺陷有较好的检测性能,更利于工业实时检测。

基于改进G-O模型的软件可靠性测试方法

为克服传统G-O(Goel-Okumoto)软件可靠性模型中缺陷发现率过于简化处理的局限性,提出了一种以更精准的方式描述缺陷发现率随时间实际变化的模型。改进模型不同于常规假设将其视为恒定或单调的函数,并考虑了测试人员的学习和排错能力的进步,以及软件固有的缺陷发现率随时间递减的趋势,从而假设缺陷发现率呈现先上升后下降的动态变化趋势。通过在两组公开的软件缺陷检测数据集上的应用,并与多种经典的模型进行了对比验证,验证了模型的有效性。实验结果表明,改进后的G-O模型在拟合能力和预测能力方面都显示出优异的性能,证明其在软件可靠性评估中的适用性和优越性。

XPS研究N-Al共掺p型ZnO薄膜的传导特性

采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术,在α-Al2O3衬底上制备了N-Al共掺ZnO薄膜样品。Hall测量表明室温下ZnAlO:N薄膜为n型传导,在O2等离子体气氛中550℃退火后变为p型。p型ZnO薄膜的载流子浓度为2.1×1016 cm-3,霍尔迁移率为5 cm2/V.s。用X射线光电子能谱仪(XPS)对退火前后的ZnO薄膜进行了各元素的化学态分析。XPS结果表明,ZnAlO:N薄膜中存在两种与N元素有关的缺陷,N原子替代O位形成的(N)O和N分子替代O位形成的(N2)O。退火后ZnAlO:N薄膜中(N2)O缺陷减少,(N)O缺陷浓度占优导致了薄膜传导类型转变。

掺硼p型晶体硅太阳电池B-O缺陷致光衰及其抑制的研究进展

掺硼p型晶体硅太阳电池一直牢牢占据着光伏市场的主导地位,但硼-氧(B-O)缺陷引起的光衰(LID:Light induced degradation)极大地限制了它的发展。最新的对太阳电池加热同时注入少数载流子的B-O缺陷"复原"(regeneration)技术有望彻底解决掺硼p型晶体硅太阳电池的LID问题。鉴于掺硼p型晶体硅太阳电池LID及其抑制措施的研究对提高晶体硅太阳电池性能表现的长期稳定性有重要作用,回顾了近年在掺硼p型晶体硅太阳电池LID及其抑制措施方面的研究进展,并对最新发展出的B-O缺陷"复原"技术给予了重点介绍。

基于改进YOLOv5的O型密封圈缺陷检测方法

针对O型密封圈缺陷难以人工识别的问题,提出一种基于改进YOLOv5的表面缺陷自动检测方法。在数据预处理阶段,采用半自动标注方法减少人工标注成本,同时将拼接图片改为9张以实现Mosaic数据增强方法。在网络预测层引入标签平滑方法以减少模型过度依赖标签。在骨干网络中添加卷积注意力机制模块,强化有效信息,使骨干网络提取更加细致的局部特征信息。同时,针对缺陷类型尺度变化大的特点,引入剪枝的双向特征金字塔网络,以解决大小缺陷在特征提取过程中的丢失问题。实验结果表明,基于改进的YOLOv5与原YOLOv5相比,O型圈表面缺陷检测平均精度均值提高了4.26%,并且检测速度在25 ms之内,能够满足实际生产需要。

非晶掺氧氮化硅薄膜中N-Si-O发光缺陷态的研究

在室温下利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备出非晶掺氧氮化硅(a-SiN_x∶O)薄膜.通过改变硅烷(SiH_4)和氨气(NH_3)流量比R,可实现薄膜光致发光(PL)峰位在2.06~2.79eV可见光能量范围内的波长调制.光吸收谱中光吸收峰位与PL峰位重叠,表明薄膜发光来源于光吸收边以下0.65eV左右处的缺陷态.通过对傅里叶变换红外光谱(FTIR)的键浓度分析和X射线光电子能谱(XPS)Si 2p峰的分峰拟合,发现薄膜PL强度的增强与N-Si-O键合浓度的升高紧密相关.R=1∶4时,PL强度与N-Si-O键合浓度同时达到最大.进一步证明了a-SiN_x∶O薄膜中的发光缺陷态与N-Si-O键合结构密切相关.此外,PL峰位随流量比R的增大而发生红移的现象可能源自于N-Si-O组态转变造成的缺陷态密度最大位置处的能级偏移和光学带隙变窄引起的价带顶上移.

TiO_2(110)面的弛豫结构及吸附O_2的密度泛函研究

采用DFT/B3LYP方法研究了TiO2 ( 110 )的完整和氧缺陷表面的弛豫构型 ,并对O2 在氧缺陷表面的三种可能吸附构型进行了优化 ,计算了它们的吸附能、振动频率和重叠布居 .分析并预测了吸附后可能产生的物种 .本文的计算结果与XPS 。

非理想形貌O形圈的密封性能分析

利用有限元分析软件ABAQUS对非理想形貌O形橡胶密封圈在不同密封间隙和介质压力下的变形与受力情况进行了分析研究,得出了相应的Von Mises应力与接触压力分布,并与理想形貌O形圈的情况进行了对比。结果表明:非理想形貌(错模、分模扯缩、分模飞边)O形圈在不同密封间隙和不同介质压力下的最大接触压力均大于介质压力,能够达到密封效果,但是其最大Von Mises应力均大于理想形貌O形圈的最大Von Mises应力,表明非理想形貌O形圈应力松弛现象越明显,容易出现裂纹,带有分模飞边形貌的O形圈Von Mises应力明显高于其他两种。

2219-O铝合金厚板搅拌摩擦焊接缺陷分析

针对14mm厚2219-O铝合金在不同的焊接参数条件下进行搅拌摩擦焊接(FSW),分析了FSW典型缺陷产生的原因,以及焊接参数和搅拌头形状对缺陷形成的影响。拉伸试验结果表明,有孔洞或隧道型缺陷的接头屈服强度、抗拉强度和伸长率分别比无缺陷的接头降低了9.9%、24.0%和60.6%;有缺陷的接头拉伸断口SEM照片显示为韧-脆混合型断裂,其隧道型缺陷处断口形貌为"类蜂窝状",氧含量较高,而无缺陷的则以韧性断裂为主。显微硬度试验表明有缺陷的焊缝显微硬度总体低于无缺陷的。

铌镁酸铅弛豫型铁电陶瓷的介电老化行为研究

通过典型弛豫型铁电陶瓷铌镁酸铅介电老化行为的研究，发现高温区的Ｄｅｂｙｅ 型弛豫过程与介电老化现象存在有机联系，指出复合钙钛矿弛豫型铁电体的结构缺陷特征对其介电老化起着重要作用。介电极化行为与老化行为对比分析和恒温经时老化研究表明，结构缺陷上的局域化电子和空穴对铁电微畴畴壁“钉扎”效应产生弛豫型铁电体介电老化行为的快过程。

基于PLC网络的输煤控制系统故障判别方法与实现

在对PLC网络控制的输煤控制系统的故障分析基础上 ,提出了一种在线判别控制系统故障的新方法。该方法通过构造系统的故障判别矩阵 ,并结合PLC端口的状态 ,可以通过运算准确地判别系统的故障源 。

O-Z皮瓣在腰骶部皮肤缺损修复中的应用

目的：探讨应用O-Z皮瓣修复腰骶部皮肤缺损的临床疗效。方法：于局麻下进行手术，距腰骶部皮损边缘0．5-2．0cm完整切除皮损后．在缺损区周边正常皮肤设计O-Z皮瓣，修复创面。结果：12例患者中，缺损面积最大10．2cm×6．5cm，最小3cm×2．7cm,术后伤口均Ⅰ期愈合，皮瓣全部成活，术后随访3～12个月，无感觉异常，皮损无复发。结论：应用O-Z皮瓣修复腰骶部皮肤肿瘤扩大切除后所形成的缺损，皮瓣张力小，血运丰富，易于成活，耐摩擦，且皮瓣区与周嗣皮肤颜色一致，瘢痕不明显．是腰骶部较大皮肤缺损修复的一种优选方法，适合临床推广应用。

基于PLC网络的选煤厂集散控制系统故障判别方法

在对PLC网络控制的选煤厂控制故障分析的基础上,提出了在线判别控制系统故障的新方法。该方法通过构造系统的故障判别矩阵,并结合端口的状态,通过运算可以准确地判别系统的故障源。

O_2在MgO(001)完整和缺陷表面上的吸附(英文)

在密度泛函理论的框架下,采用嵌入点电荷簇模型研究了O2在MgO(001)完整和缺陷表面上的吸附.用电荷自洽的方法确定了点电荷的值.计算结果表明,O2倾向吸附在低配位的角Mg2+端.并且发现,当O2为平躺吸附时,键长有较大的拉伸,将有利于O2的解离.同时,分别计算了使用裸簇和嵌入表观±2.0e点电荷簇模型时的吸附能,并与采用电荷自洽方法的计算值进行了比较.结果表明,电荷自洽方法更能有效反映簇周围的环境,得到的计算结果能够较好地与实验值吻合.最后,分别计算了不同吸附情况下O2的振动频率.

补肾助孕方对黄体功能不全大鼠促性腺激素及其关键调控因子的影响

目的黄体功能不全的机制目前尚不明确,文中通过观察补肾助孕方对大鼠下丘脑-垂体的影响,探究其中潜在的作用机制。方法将50只雌性育龄SD大鼠随机分为空白组、模型组、孕酮组、补肾助孕方低剂量组、补肾助孕方高剂量共5组,除空白组等渗盐水灌胃外,各组采用米非司酮灌胃构建黄体功能不全模型,孕酮组、补肾助孕方低剂量组、补肾助孕方高剂量组在此基础上分别采用地屈孕酮(1 m L/100 g)与补肾助孕方药(0.4、1.2 m L/100 g)进行干预。完成给药流程后,检测大鼠血清促卵泡生成素(follicle-stimulating hormone,FSH)、促黄体生成素(luteotropic hormone,LH)含量;观察大鼠垂体前叶FSHβ、LHβ的mRNA水平以及上游促性腺激素释放激素受体(gonadotropin-releasing hormone receptor,GnRHR)与垂体GTH细胞中环磷腺苷效应元件结合(c AMP responsive element-binding,CREB)蛋白的转录与蛋白表达水平。结果与空白组比较,模型组大鼠血清FSH降低、LH升高(P<0.05);与模型组FSH水平[(9.01±0.94)ng/m L]相比,孕酮组与补肾助孕方高剂量组[(10.44±0.87)、(10.55±1.31)ng/m L]升高(P<0.05),与模型组血清LH水平[(10.94±0.79)ng/m L]相比,孕酮组、补肾助孕方低剂量组、高剂量组[(9.15±0.36)、(9.72±0.25)、(9.48±0.42)ng/m L]降低(P<0.01)。与空白组比较,模型组、补肾助孕方低剂量组FSHβmRNA降低(P<0.05),模型组LHβmRNA和CREBmRNA升高、GnRHRmRNA降低(P<0.01)。与模型组相比,补肾助孕方高剂量组FSHβmRNA升高(P<0.05),孕酮组和补肾助孕方低、高剂量组LHβmRNA降低(P<0.05),孕酮组和补肾助孕方低剂量组GnRHRmRNA升高(P<0.05),补肾助孕方低、高剂量组CREBmRNA升高(P<0.05)。与模型组相比,空白组、孕酮组与补肾助孕方低剂量组GnRHR蛋白、CREB蛋白表达升高,补肾助孕方高剂量组仅CREB蛋白表达升高(P<0.05)。结论补肾助孕方可有效调节LPD大鼠黄体中期垂体促性腺激素分泌,其机制可能与干预垂体GnRH的受体以及GnRH信号通路关键因子表达有关。

水晶的缺陷与品质鉴定

介绍了人工水晶的缺陷与品质鉴定;讨论了缺陷的种类和各种缺陷对晶体质量的影响,以及杂质在晶体中的分布和晶体结构之间的关系.对晶体质量的鉴定主要是通过红外吸收谱和干涉仪检查及X射线形貌术来完成的.

电针对脑出血大鼠脑组织病理形态学及脑组织含水量和神经损伤积分值的影响

目的 :观察电针对大鼠脑出血模型的疗效。方法 :选择胶原酶加肝素联合注射法诱导脑出血大鼠模型 ,观察电针不同穴位对其脑组织病理形态学、脑含水量和神经损伤积分值的影响。结果 :电针水沟组 (取水沟、上星穴 )、电针风府组 (取风府、哑门穴 )均可明显改善胶原酶加肝素联合注射法诱导大鼠脑出血模型的脑组织形态学损害和神经行为功能的缺损 ,降低因出血导致的血肿周围组织的水肿 ;且电针水沟组在改善大鼠脑出血模型的脑组织形态学损害和神经行为功能的缺损方面 (72h姿势反射和平衡反射积分值 )优于电针风府组。结论 :电针水沟、上星和电针风府、哑门对大鼠脑出血损伤均有一定程度的保护作用 。

NdFeB永磁合金的晶粒结构缺陷模型及矫顽力机制

概述了ＮｄＦｅＢ类稀土永磁合金的晶粒结构及其缺陷模型，包括单变量连续变化模型，三变量突变模型和激活体积模型，介绍了基于不同结构缺陷模型的各种矫顽力理论（包括成核理论、钉扎理论、发动场理论和热激活理论），比较了他们的异同点。

γ-Fe_(2)O_(3)抗As_(2)O_(3)中毒能力的分子模拟

采用密度泛函理论研究了γ-Fe_(2)O_(3)表面As_(2)O_(3)的吸附以及掺杂改性提高抗As_(2)O_(3)中毒性能的作用机理.计算了As_(2)O_(3)在完整以及O缺陷γ-Fe_(2)O_(3)(001)表面的吸附性能,包括吸附位点、吸附结构、吸附能、PDOS等.同时建立了Mo、Ti、Mg掺杂的γ-Fe_(2)O_(3)模型,探讨了助剂掺杂对抗砷中毒能力的作用机制,并考虑了掺杂量的影响.结果表明:As_(2)O_(3)倾向于以O端化学吸附在γ-Fe_(2)O_(3)(001)表面Feoct位,吸附过程发生强烈的相互作用和电荷转移.当表面存在O缺陷时,As_(2)O_(3)的吸附能得到提高.Mo、Ti、Mg倾向于掺杂在Feoct位,增强了对As_(2)O_(3)的吸附能力,并且增大Mo的掺杂量可以强化As_(2)O_(3)的吸附.As_(2)O_(3)倾向于与活性较强的Mo、Ti、Mg发生反应,从而保护活性Fe位不受砷中毒,Ti和Mg的掺杂还抑制了相邻Fe位对As_(2)O_(3)的吸附.Mo、Ti、Mg的掺杂还促进了催化剂表面对NH_(3)的吸附,增强了表面酸性强度,有利于SCR反应.Mo、Ti、Mg原子的掺杂有利于提高γ-Fe_(2)O_(3)催化剂的抗砷中毒性能.

高纯硅辐射损伤的正电子湮没和扰动角关联研究

采用正电子湮没和扰动角关联方法研究了１．４５×１０２０、３．１０×１０１７ｎ／ｃｍ２中子辐照和５×１０１１／ｃｍ２１７８Ｗ重离子辐照单晶硅引起的辐射损伤及其退火效应。实验测量的正电子湮没寿命和四极相互作用频率表明在Ｓｉ中存在氧一单空位对．高中子剂量和重离子辐照Ｓｉ后，用两种方法都观察到了双空位复合成四空位。