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一种高性能CMOS能隙基准电压源电路设计
被引量:
8
1
作者
孟波
邹雪城
孟超
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2003年第8期161-162,166,共3页
文章介绍了一种0.35滋m工艺制作的能隙基准电压源电路。该电路具有高电压抑制比、低温度系数、抗失配的特点。该电路能被广泛的应用到一些精密集成电路中。
关键词
模拟集成电路
数模混合集成电路
o.35μm工艺
高性能C
m
o
S能隙基准电压源电路
电路设计
下载PDF
职称材料
题名
一种高性能CMOS能隙基准电压源电路设计
被引量:
8
1
作者
孟波
邹雪城
孟超
机构
华中科技大学
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2003年第8期161-162,166,共3页
文摘
文章介绍了一种0.35滋m工艺制作的能隙基准电压源电路。该电路具有高电压抑制比、低温度系数、抗失配的特点。该电路能被广泛的应用到一些精密集成电路中。
关键词
模拟集成电路
数模混合集成电路
o.35μm工艺
高性能C
m
o
S能隙基准电压源电路
电路设计
Keywords
Te
m
perature c
o
efficient,Bandgap v
o
ltage refer-ence,
m
is
m
atch
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
一种高性能CMOS能隙基准电压源电路设计
孟波
邹雪城
孟超
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2003
8
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职称材料
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