期刊文献+
共找到43篇文章
< 1 2 3 >
每页显示 20 50 100
PMMA人工晶状体表面的CF4/O2等离子体修饰 被引量:3
1
作者 张丽华 吴迪 +3 位作者 陈亚芍 李雪娇 赵宝明 黄长征 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1854-1858,共5页
为了改善聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)人工晶状体的生物相容性和透光性,采用CF4/O2等离子体技术修饰其表面.通过衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)、静态接触角(CA)测定、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见近红外光谱(UV-Vis... 为了改善聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)人工晶状体的生物相容性和透光性,采用CF4/O2等离子体技术修饰其表面.通过衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)、静态接触角(CA)测定、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见近红外光谱(UV-Vis)等方法进行表征,结果表明,经CF4/O2等离子体处理后,PMMA表面的含氟和含氧基团增加,其表面的亲水性增强,生物相容性改善,紫外光的隔离效率增大.因此,通过CF4/O2等离子体修饰能够有效地改善PMMA人工晶状体的性质. 展开更多
关键词 PMMA人工晶状体 CF4/o2 等离子体处理 生物相容性 透光性
下载PDF
大气压N_2-O_2混合气纳秒脉冲表面介质阻挡放电建模仿真 被引量:11
2
作者 朱益飞 贾敏 +2 位作者 崔巍 李应红 吴云 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1716-1723,共8页
大气压N2-O2混合气ns脉冲表面介质阻挡放电(SDBD)机理是等离子体气动激励与流动耦合作用机制研究的重要内容。为此,耦合等离子体化学反应动力学方程和考虑能量的等离子体漂移-扩散方程组,建立了大气压下N2-O2混合气ns脉冲放电的2维模型... 大气压N2-O2混合气ns脉冲表面介质阻挡放电(SDBD)机理是等离子体气动激励与流动耦合作用机制研究的重要内容。为此,耦合等离子体化学反应动力学方程和考虑能量的等离子体漂移-扩散方程组,建立了大气压下N2-O2混合气ns脉冲放电的2维模型。考虑15种粒子、对应的电子碰撞反应以及35个化学反应过程,得到了SDBD的伏安特性、电荷分布和能量分布。综合分析电荷及电子能量分布结果表明,高能电子撞击是产生离子的主要方式,而低能电子的累积和离子在电场驱动下的定向运动是使放电呈现非平衡的重要原因。将计算结果与实验获得的伏安特性数据、放电形态和光谱分析结果进行了比照分析,发现2者比较相符,验证了模型的可靠性。 展开更多
关键词 大气压 表面介质阻挡放电 SDBD NS脉冲 N2-o2混合气 等离子体化学 仿真模型
下载PDF
等离子喷涂Al_2O_3-TiO_2陶瓷涂层摩擦学性能研究 被引量:14
3
作者 田博 丁庆军 +1 位作者 赵盖 章玉丹 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2014年第22期142-144,148,共4页
针对超声电机摩擦驱动的特性,利用大气等离子喷涂技术在45钢表面设计制备不同配比的Al2O3/Ti O2陶瓷涂层。采用X射线衍射仪分析相结构,用扫描电镜表征磨损后涂层表面特征,探讨其磨损机理,在直线型超声电机上测试其磨损性能。结果表明:... 针对超声电机摩擦驱动的特性,利用大气等离子喷涂技术在45钢表面设计制备不同配比的Al2O3/Ti O2陶瓷涂层。采用X射线衍射仪分析相结构,用扫描电镜表征磨损后涂层表面特征,探讨其磨损机理,在直线型超声电机上测试其磨损性能。结果表明:在高温条件下,Ti O2和Al2O3形成固溶体,而XRD测试时,只能检测到Al2O3的特征峰而Ti O2相消失。五种配比材料中,Al2O3-16%Ti O2涂层的磨损性能优于其他涂层,使用寿命更长。Al2O3-10%Ti O2和Al2O3-13%Ti O2涂层表现出轻微的疲劳磨损机制,Al2O3-16%Ti O2涂层则是轻微的磨粒磨损,而Al2O3-19%Ti O2和Al2O3-22%Ti O2涂层的磨损机制是轻微的脆性断裂。 展开更多
关键词 等离子喷涂 Al2o3/Tio2 涂层 摩擦磨损 超声电机
下载PDF
氧等离子体处理条件对聚硅烷制备SiO_2/Si结构平带电压的影响
4
作者 向少华 谢茂浓 +3 位作者 张明高 廖伟 彭志坚 傅鹤鉴 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期57-59,共3页
氧等离子体处理高阻P型(100)硅片上的聚硅烷涂层制备SiO_2/Si结构。其MOS结构平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压、射频功率等条件的改变而变化,平带电压最小可达-0.55~-0.88V,比同一环境热氧化... 氧等离子体处理高阻P型(100)硅片上的聚硅烷涂层制备SiO_2/Si结构。其MOS结构平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压、射频功率等条件的改变而变化,平带电压最小可达-0.55~-0.88V,比同一环境热氧化制备的SiO_2/Si结构平带电压小得多。 展开更多
关键词 氧等离子体 聚硅烷涂层 平带电压 二氧化硅/硅结构
下载PDF
反相色层分离电感耦合等离子体原子发射光谱法测定可燃毒物(Gd,U)O_2中12种微量元素 被引量:3
5
作者 侯列奇 李洁 +2 位作者 盛红伍 王树安 卢菊生 《冶金分析》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期61-63,共3页
采用磷酸三丁酯-聚偏氟乙烯反相分配色层分离法使Al,Ca,Co,Cr,Fe,Mg,Mn,Mo,Ni,Sn,Ti,V,Gd与U分离,用电感耦舍等离子体原子发射光谱法测定Al,Ca,Co,Cr,Fe,Mg,Mn,Mo,Ni,Sn,Ti和V12种元素,大量Gd不干扰。取样100m... 采用磷酸三丁酯-聚偏氟乙烯反相分配色层分离法使Al,Ca,Co,Cr,Fe,Mg,Mn,Mo,Ni,Sn,Ti,V,Gd与U分离,用电感耦舍等离子体原子发射光谱法测定Al,Ca,Co,Cr,Fe,Mg,Mn,Mo,Ni,Sn,Ti和V12种元素,大量Gd不干扰。取样100mg时,测定范围为20~640μg/g。方法已用于可燃毒物(Gd,U)O2中上述12种微量元素测定。回收率在94%~110%之间,相对标准偏差(RSD)为4.6%~9.2%。 展开更多
关键词 可燃毒物 (Gd U)o2 微量元素 反相色层 ICP—AES
下载PDF
Ni_2Cr(BO_3)O_2涂层的制备及其红外发射性能
6
作者 李永甲 李淑浩 +1 位作者 柯成竹 程旭东 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期137-142,共6页
通过喷雾造粒和高温焙烧制备Ni_2Cr(BO_3)O_2粉末后利用等离子喷涂得到一种高红外发射涂层,并研究了该种涂层的红外发射性能。SEM观察涂层的表面、断面形貌,发现涂层与基体结合紧密、无脱落;XRD对焙烧后的粉末物相组成进行了表征,主要以... 通过喷雾造粒和高温焙烧制备Ni_2Cr(BO_3)O_2粉末后利用等离子喷涂得到一种高红外发射涂层,并研究了该种涂层的红外发射性能。SEM观察涂层的表面、断面形貌,发现涂层与基体结合紧密、无脱落;XRD对焙烧后的粉末物相组成进行了表征,主要以Ni_2Cr(BO_3)O_2为主。对涂层红外波段发射率的测试表明,在0.76~2.5μm波段的发射率为0.896、2.5~14μm波段发射率为0.925,具有优异的红外发射性能。Ni_2Cr(BO_3)O_2晶胞内的畸变、非对称性以及电子转移跃迁是导致Ni_2Cr(BO_3)O_2这种材料具有高红外发射率的主要原因。Ni_2Cr(BO_3)O_2涂层能够经受37次"900℃~水冷"热震循环。该种涂层由于其高红外发射性能、优异的耐热震性能和热稳定性能而具有较高的实用价值。 展开更多
关键词 红外发射率 Ni2Cr(Bo3)o2 等离子喷涂 涂层
下载PDF
O_2流量对O_2/C_4F_8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的影响
7
作者 刘卉敏 周峰 +2 位作者 崔进 邓艳红 叶超 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 2011年第2期53-57,共5页
研究了O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜时O2流量对刻蚀率、表面结构的影响,及其放电等离子体特性的关联.发现O2流量的增大可以极大地提高多孔SiCOH薄膜的刻蚀速率,降低表面的粗糙度,减少SiCOH薄膜表面的C:F沉积.等离子体特性的光谱分... 研究了O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜时O2流量对刻蚀率、表面结构的影响,及其放电等离子体特性的关联.发现O2流量的增大可以极大地提高多孔SiCOH薄膜的刻蚀速率,降低表面的粗糙度,减少SiCOH薄膜表面的C:F沉积.等离子体特性的光谱分析表明,O2的添加,增强了C与O之间的反应,从而在Si、F反应刻蚀Si的同时,C、O之间的反应使C消耗,实现Si、C的同步刻蚀,从而获得SiCOH低k薄膜的高刻蚀率和低粗糙度表面. 展开更多
关键词 SiCoH薄膜刻蚀 o2/C4F8等离子体 双频电容耦合放电
下载PDF
O_2流量对O_2/C_2F_6等离子体处理的硅油光致发光性能影响
8
作者 陈天 钱侬 +1 位作者 袁颖 叶超 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 2012年第2期59-63,69,共6页
研究了O2/C2F6等离子体处理的硅油光致发光性能.发光谱覆盖了250~600 nm的光谱范围,由290nm、410 nm、468 nm、481 nm、491 nm和552 nm的6个发光峰组成.O2流量的增大使290 nm、410 nm、552 nm的发光峰增强,468 nm的发光峰强度减弱.光... 研究了O2/C2F6等离子体处理的硅油光致发光性能.发光谱覆盖了250~600 nm的光谱范围,由290nm、410 nm、468 nm、481 nm、491 nm和552 nm的6个发光峰组成.O2流量的增大使290 nm、410 nm、552 nm的发光峰增强,468 nm的发光峰强度减弱.光致发光性能与等离子体作用导致的氧缺乏中心、C悬挂键、Si悬挂键的形成有关. 展开更多
关键词 硅油 光致发光 o2/c2f6等离子体 双频电容耦合放电
下载PDF
CF4和O2等离子体刻蚀改善氮化硅薄膜形貌研究 被引量:4
9
作者 魏育才 《集成电路应用》 2019年第7期40-43,共4页
探讨PA工艺因介电层高低差发生金属线路内部断裂的改善方案。以不同光刻条件和刻蚀条件为基础,对介电层(Si3N4)进行ICP刻蚀。研究表明,增加曝光焦距,刻蚀完的侧壁倾斜角改变不大;而光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比越高,刻蚀完氮化硅侧壁斜... 探讨PA工艺因介电层高低差发生金属线路内部断裂的改善方案。以不同光刻条件和刻蚀条件为基础,对介电层(Si3N4)进行ICP刻蚀。研究表明,增加曝光焦距,刻蚀完的侧壁倾斜角改变不大;而光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比越高,刻蚀完氮化硅侧壁斜角变化越大。当光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比为2.4时,刻蚀完氮化硅的侧壁斜角可控制在45°~65°。 展开更多
关键词 CF4和o2等离子刻蚀 ICP刻蚀 氮化硅刻蚀 掩膜退缩 PA工艺
下载PDF
4H-SiC材料在SF_6/O_2/HBr中的ICP-RIE干法刻蚀 被引量:4
10
作者 王进泽 杨香 +7 位作者 钮应喜 杨霏 何志 刘胜北 颜伟 刘敏 王晓东 杨富华 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第1期59-63,共5页
传统SiC干法刻蚀中普遍出现明显的微沟槽效应,对后续工艺以及SiC器件性能有重要影响。针对这一问题,采用SF6/O2/HBr作为刻蚀气体,对4H-SiC材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)进行了工艺条件的研究探索,分别研究了SF6,O2和HB... 传统SiC干法刻蚀中普遍出现明显的微沟槽效应,对后续工艺以及SiC器件性能有重要影响。针对这一问题,采用SF6/O2/HBr作为刻蚀气体,对4H-SiC材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)进行了工艺条件的研究探索,分别研究了SF6,O2和HBr流量百分比对SiC刻蚀速率及微沟槽效应的影响。实验结果表明:SiC刻蚀速率随SF6和O2流量百分比的增加,先增大后减小。HBr气体作为SiC刻蚀的新型附加气体,在保护侧壁和降低微沟槽效应方面具有重要作用。在SF6,O2和HBr气体流量比为11∶2∶13时取得了较好的刻蚀结果,微沟槽效应明显降低,同时获得了较高的刻蚀速率,刻蚀速率达到536 nm/min。 展开更多
关键词 碳化硅(SiC) 电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE) SF6/o2/HBr 微沟槽效应 刻蚀速率
下载PDF
等离子体促进CH4-O2-N2-H2O体系转化试验研究 被引量:1
11
作者 徐锋 聂欣雨 +1 位作者 李凡 朱丽华 《中国安全科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第9期121-127,共7页
为提升瓦斯抽采利用率、促进煤矿安全生产,采用介质阻挡放电(DBD)试验系统对CH4-O2-N2-H2O反应体系进行低温等离子体转化研究,分析水蒸气与CH4物质的量比、O2/N2物质的量比、放电电压、放电频率,以及气体总流量对CH4转化率及主要产物产... 为提升瓦斯抽采利用率、促进煤矿安全生产,采用介质阻挡放电(DBD)试验系统对CH4-O2-N2-H2O反应体系进行低温等离子体转化研究,分析水蒸气与CH4物质的量比、O2/N2物质的量比、放电电压、放电频率,以及气体总流量对CH4转化率及主要产物产率的影响。结果表明:CH4-O2-N2-H2O反应体系DBD的主要产物为H2、CO、CO2、C2H2、C2H4、C2H6和CH3OH;反应参数对CH4转化率和H2、CO、CO2、C2H6、CH3OH产率影响较为显著,而对C2H2、C2H4产率影响不显著;CH4转化率及主要产物产率均在放电频率为9.8 k Hz时取得最大值。 展开更多
关键词 等离子体 CH4-o2-N2-H2o 转化率 产率 介质阻挡放电(DBD) 反应机制
下载PDF
improvement of electrical properties of Cu/SiCOH low-k film integrated system by O2 plasma treatment
12
作者 钱晓梅 卫永霞 +3 位作者 俞笑竹 叶超 宁兆元 梁荣庆 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第2期524-528,共5页
This paper investigates the effect of O2 plasma treatment on the electric property of Cu/SiCOH low dielectric constant (low-k) film integrated structure. The results show that the leakage current of Cu/SiCOH low-k i... This paper investigates the effect of O2 plasma treatment on the electric property of Cu/SiCOH low dielectric constant (low-k) film integrated structure. The results show that the leakage current of Cu/SiCOH low-k integrated structure can be reduced obviously at the expense of a slight increase in dielectric constant k of SiCOH films. Bythe Fourier transform infrared (FTIR) analysis on the bonding configurations of SiCOH films treated by O2 plasmar it is found that the decrease of leakage current is related to the increase of Si-O cages originating from the linkage of Si dangling bonds through O, which makes the open pores sealed and reduces the diffusion of Cu to pores. 展开更多
关键词 porous SiCoH film o2 plasma treatment electrical property
下载PDF
Comparison of Structures and Properties between Wool and Ramie Fibers Treated by Atmospheric Pressure Ar and Ar/O_2 Plasma
13
作者 王越平 徐向宇 +4 位作者 王守国 张晓丹 赵伶利 史丽敏 高绪珊 《Journal of Donghua University(English Edition)》 EI CAS 2009年第2期216-220,共5页
The technique of atmospheric pressure plasma is of value in textile industry.In this paper,argon(Ar)and argon/oxygen(Ar/O2)atmospheric pressure plasma were used to treat wool and ramie fibers.The structures and proper... The technique of atmospheric pressure plasma is of value in textile industry.In this paper,argon(Ar)and argon/oxygen(Ar/O2)atmospheric pressure plasma were used to treat wool and ramie fibers.The structures and properties of treated fibers were investigated by means of SEM,XPS,single fiber tensile tester and so on.The results proved that the effects of plasma treatments depended on structural characteristics of fibers to a great extent,besides conditions of plasma treatment.By atmospheric pressure plasma treatment,wool fiber had significant changes in morphology structure,surface chemical component,mechanic properties and dyeability,while ramie fiber just showed a little change.In additional,Ar/O2 plasma showed more effective action than argon.And at the beginning of treatment,plasma brought about remarkable effects,which did not increase with prolonging of treat time. 展开更多
关键词 常压等离子体 治疗效果 苎麻纤维 形态结构 羊毛纤维 染色性能 X射线光电子能谱 AR
下载PDF
Fabrication of low-loss SiO2/Si channel waveguides by roughness reduction
14
作者 周立兵 Luo Fengguang Cao Mingcui 《High Technology Letters》 EI CAS 2006年第4期403-407,共5页
关键词 反应离子蚀刻 侧壁平滑度 CHF3/o2等离子体 硅基二氧化硅 条形波导 制造技术
下载PDF
Measurement of the O_2 Dissociation Fraction in RF Low Pressure O_2/Ar Plasma Using Optical Emission Spectrometry
15
作者 刘忠伟 李森 +2 位作者 陈强 杨丽珍 王正铎 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第4期458-461,共4页
Measurement of the oxygen dissociation fraction in RF low pressure oxygen/argon plasma using optical emission spectrometry is presented. The oxygen dissociation fraction and its evolutions as functions of operational ... Measurement of the oxygen dissociation fraction in RF low pressure oxygen/argon plasma using optical emission spectrometry is presented. The oxygen dissociation fraction and its evolutions as functions of operational parameters were determined using argon as the actinometer. At a pressure of 30 Pa, the oxygen dissociation fraction decreased from 13.4% to 9.5% as the input power increased from 10 W to 70 W. At an input power of 50 W, the oxygen dissociation fraction decreased from 12.3% to 7.7% when the gas pressure increased from 10 Pa to 40 Pa. The influences of operational parameters on the generation of atomic oxygen were also discussed. 展开更多
关键词 optical emission spectroscopy RF o2/Ar plasma ACTINoMETRY
下载PDF
Effect of O_2/CH_4ratio on the optimal specific-energy-input (SEI) for oxidative reforming of biogas in a plasma-shade reactor
16
作者 Jinglin Liu Xiaobing Zhu +3 位作者 Xiaosong Li Kai Li Chuan Shi Aimin Zhu 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第5期681-684,共4页
In a novel plasma-shade reactor for oxidative reforming of biogas(CH4/CO2=3/2),the effects of specific-energy-input (SEI) on CH4 and CO2 conversions and energy cost of syngas were investigated at O2/CH4ratios ranged f... In a novel plasma-shade reactor for oxidative reforming of biogas(CH4/CO2=3/2),the effects of specific-energy-input (SEI) on CH4 and CO2 conversions and energy cost of syngas were investigated at O2/CH4ratios ranged from 0.42 to 0.67.At each of O2/CH4 ratios,V-shape profiles of energy cost of syngas increasing with SEI were observed,reaching the lowest value at the optimal SEI(Opt-SEI).With the increase of O2/CH4 ratio,the Opt-SEI decreased significantly.Moreover,at the Opt-SEI,O2 and CH4 conversions and dry-basis concentration of syngas increased and energy cost of syngas decreased greatly with the increase of O2/CH4 ratio. 展开更多
关键词 SYNGAS BIoGAS oxidative reforming non-thermal plasma o2/CH4ratio
下载PDF
The Effect of Discharge Power on the Atmospheric Pressure Non-equilibrium Ar/O_2/TiCl_4 Plasma Deposition of TiO_2 Film
17
作者 王德信 杨沁玉 +2 位作者 郭颖 丁可 张菁 《Journal of Donghua University(English Edition)》 EI CAS 2012年第5期389-392,共4页
Deposition of TiO2 film from atmospheric pressure non-equilibrium Ar/O2/TiCl4 plasma was done to study the effect of discharge power during the film deposition process in this paper. TiO2 films with kinds of morpholog... Deposition of TiO2 film from atmospheric pressure non-equilibrium Ar/O2/TiCl4 plasma was done to study the effect of discharge power during the film deposition process in this paper. TiO2 films with kinds of morphologies and controlled crystallization were deposited from mixtures of TiCl4 and O2 on quartz substrate by one step process. Scanning electron microscope (SEM) and transmission electron microscope (TEM) were used to analyze the morphology and crystallization of the deposited TiO2 films. It was found that the discharge power played a key role in the morphology and crystallization of the deposited TiO2 film whether the flow of TiCl4 was large or small. When the flow of TiCl4 was large, the deposited TiO2 film was amorphous particles at low discharge power and was multi-crystalline at high discharge power. When the flow of TiCl4 [JP2]was small, the deposited TiO2 film became more compact and the crystallization was enhanced as the discharge power increased . The dependence of the discharge current and the applied voltage with the discharge power indicated that it was a glow discharge. The gas temperature which increases with the discharge power is one of the main causes that affect the morphology and crystallization of the deposited film. 展开更多
关键词 等离体物理学 产生 约束 湍流
下载PDF
氧气等离子体处理提升InZnO材料及TFT电学性能和稳定性研究
18
作者 黄传鑫 辛纪英 +4 位作者 田中俊 王猛 吕凯凯 梁兰菊 刘云云 《真空》 CAS 2023年第4期24-28,共5页
氧化物薄膜晶体管(TFT)是有源矩阵有机发光二极管的核心驱动元件,是现今开发新型显示器的关键技术,在平板显示方面具有广阔的应用前景。但氧化物半导体中存在大量由氧空位引起的缺陷态,从而影响了TFT器件的性能及稳定性,成为其商业化进... 氧化物薄膜晶体管(TFT)是有源矩阵有机发光二极管的核心驱动元件,是现今开发新型显示器的关键技术,在平板显示方面具有广阔的应用前景。但氧化物半导体中存在大量由氧空位引起的缺陷态,从而影响了TFT器件的性能及稳定性,成为其商业化进程的瓶颈。本文通过磁控溅射方法制备了IZO TFT,并将其进行O2等离子体处理,研究了离子体处理对IZO薄膜及TFT性能的影响。结果表明:O2等离子体处理后IZO TFT迁移率由8.2cm^(2)/(V·s)提高到9.5cm^(2)/(V·s),阈值电压由-3.2V减小到-5.1V,亚阈值摆幅由0.45V/decade减小到0.38V/decade,开关比由2.3×10^(7)提高到4.4×10^(7);在光照负偏压下,器件的阈值电压漂移量从7.1V降低到3.2V;在100℃老化条件下,器件的阈值电压漂移量从12.5V降低到6.4V;O2等离子体处理可以有效提高IZO TFT的电学性能和稳定性。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 磁控溅射 o2等离子体处理 缺陷态 稳定性
下载PDF
Influence of the Gas Temperature in Ozone Production of Mixture N2-O2
19
作者 Mokhtarla Benyamma Khadidja Khodja Fatiha Ghaleb Ahmed Belasri 《Journal of Chemistry and Chemical Engineering》 2012年第4期391-395,共5页
关键词 臭氧 大气压非平衡等离子体 气体温度 生产 混合料 动力学模型 N2 o2
下载PDF
热ALD和等离子增强ALD沉积HfO2薄膜的比较(英文) 被引量:2
20
作者 乌李瑛 柏荣旭 +4 位作者 瞿敏妮 田苗 沈赟靓 王英 程秀兰 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第10期795-802,共8页
以四(甲乙胺)铪(TEMAHf)作为前驱体,采用热原子层沉积(TALD)技术和等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术分别在硅衬底上沉积二氧化铪(HfO2)薄膜。分别研究了水和臭氧作为共反应物对TALD HfO2薄膜性能的影响及采用电容耦合等离子体(CCP)PEA... 以四(甲乙胺)铪(TEMAHf)作为前驱体,采用热原子层沉积(TALD)技术和等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术分别在硅衬底上沉积二氧化铪(HfO2)薄膜。分别研究了水和臭氧作为共反应物对TALD HfO2薄膜性能的影响及采用电容耦合等离子体(CCP)PEALD HfO2薄膜的最佳工艺条件。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光电子能谱(XPS)对不同工艺制备的HfO2薄膜的微观结构、表面形貌进行了表征。结果表明,反应温度为300℃时,TALD 50 nm厚的HfO2薄膜为单斜相晶体;PEALD在较低反应温度(150℃)下充分反应,所沉积的50 nm厚的HfO2薄膜杂质含量较低,薄膜未形成结晶态;PEALD工艺得到的HfO2薄膜的界面层最厚,主要为硅的亚氧化物或铪硅酸盐。电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测试结果表明,以水作为氧源且反应温度300℃的TALD工艺所得到的HfO2薄膜,其金属-绝缘体-半导体(MIS)器件的漏电流及电滞回线最小。 展开更多
关键词 二氧化铪(Hfo2) 原子层沉积(ALD) 热原子层沉积(TALD) 等离子增强原子层沉积(PEALD) 介电常数
下载PDF
上一页 1 2 3 下一页 到第
使用帮助 返回顶部