Mn/Ba/Al_2O_3催化剂的NO_x氧化-储存和耐硫性能

采用分步等体积浸渍法制备了Mn/Ba/Al2O3催化剂,并用XRD和TPD等方法进行表征.考察了催化剂在不同温度下NOx氧化-储存特性和NOx脱附行为.结果表明,Mn/Ba/Al2O3催化剂具有较高的催化NO氧化活性和较大的NOx储存容量.BaMnO3是主要的活性组分;Mn能够催化NO的氧化反应,且具有一定的NOx储存能力;Ba是主要的储存组分,将NOx以硝酸盐的形式储存;硝酸盐在300～600℃分解,释放出NOx.Mn/Ba/Al2O3催化剂在800℃老化6h后,NO氧化活性和NOx储存能力稍有下降.低含量的SO2对催化剂的NO氧化活性和NOx储存能力没有明显影响;高含量的SO2使催化剂的NO氧化活性降低,NOx储存量减小,最终导致催化剂失活.

共沉淀法制备Ba(Fe_(0.5)Nb_(0.5))O_3纳米粉体

以廉价的Nb2O5为铌源,采用共沉淀法制备了纳米Ba(Fe0.5Nb0.5)O3粉体。用XRD、TG-DSC、FT-IR、SEM等测试手段分析了烧结温度、保温时间、体系温度、p H值等对前驱体粉体的物相、形貌及晶粒大小的影响,并对粉体的磁学性能进行了表征。结果表明:合成温度在950℃,体系温度在30℃和50℃均可获得纯相立方钙钛矿结构的Ba(Fe0.5Nb0.5)O3粉体,保温时间和p H值对粉体相结构变化无影响。在体系温度为30℃,p H=10,前驱体粉体在950℃煅烧2 h后获得颗粒尺寸约30 nm的Ba(Fe0.5Nb0.5)O3粉体,且粉体具有弱的铁磁性。

Ba(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3电子结构第一性原理计算及光学性能研究

Ba(Mg1/3Nb2/3)O3(BMN)复合钙钛矿陶瓷具有高介电常数和高品质因子等介电性能,预示了其在光学领域的应用前景.本文采用第一性原理方法计算了BMN的电子结构,对其本征光学性能进行分析和预测.对固相合成六方相BMN的XRD测试结果进行Rietveld精修(加权方差因子Rwp=6.73%,方差因子Rp=5.05%),在此基础上建立晶体结构模型并对其进行几何优化.运用基于密度泛函理论(DFT)的平面波赝势方法,对六方相BMN晶体模型的能带、态密度和光学性质进行理论计算.结果表明BMN的能带结构为间接带隙,禁带宽度Eg=2.728 e V.Mg-O和Ba-O以离子键结合为主,Nb-O以共价键结合为主,费米面附近的能带主要由O-2p和Nb-4d态电子占据,形成了d-p轨道杂化.修正带隙后,计算了BMN沿[100]和[001]方向上的复介电函数、吸收系数和反射率等光学性质.结果表明,BMN近乎光学各向同性,在可见光区,其本征透过率为77%<T<83%,折射率为1.91<n<2.14,并伴随一定的色散现象.实验测试结果与理论计算结果相吻合.

水热法制备Ba(ZrTi)O3纳米管的研究

以Ti25Zr合金阳极氧化获得的Ti-Zr-O纳米管为模板,采用Ba(OH)2通过水热反应法制备Ba(ZrTi)O3纳米管,研究了温度、Ba(OH)2·6H2O浓度等工艺参数对Ba(ZrTi)O3纳米管微观组织结构和形貌的影响规律。SEM、TEM及XRD和XPS表征研究表明,获得了管径为(70±5)nm,长度为6μm的BaTi0.75Zr0.25O3纳米管,并且纳米管的结晶性良好;优化出水热法制备BaTi0.75Zr0.25O3纳米管的最佳合成温度为150℃,Ba(OH)2·6H2O的浓度为0.08mol/L。

液相烧结对Ba(Ti_(0.91)Zr_(0.09))O_3陶瓷介电性能的影响

采用固相反应法制备了添加1wt%CuO-BaO混合物的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3铁电陶瓷,借助XRD、SEM、Agilent4284测试仪,讨论了加入CuO-BaO混合物对Ba(Ti0.91Zr0.09)O3铁电陶瓷的烧结温度、相结构、显微组织及介电性能的影响。结果表明:添加1wt%CuO-BaO混合物,能有效降低Ba(Ti0.91Zr0.09)O3的烧结温度,室温介电常数高,介电损耗小。在1MHZ下εr=3 150,tgδ=0.06,并且伴有介电弛豫现象。

CuO掺杂对Ba(Ti_(0.91)Zr_(0.09))O_3陶瓷介电性能的影响

采用固相反应法制备了CuO掺杂的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷,借助XRD、SEM、Agilent4284A测试仪,研究了CuO掺杂对Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷的结构及介电性能的影响。结果表明,CuO具有细化陶瓷晶粒的作用。随着CuO掺杂量的增加,Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷的斜方-四方相变峰出现介电弛豫现象,相变点处的介电常数增加,并且居里峰出现相变弥散现象。当w(CuO)=0.38%时,斜方-四方相变峰的弛豫程度最大。

掺杂Sm_2O_3对Ba(Ti,Sn)O_3的介电性能的影响

以碳酸钡、二氧化锡和二氧化钛等为原料,制备了掺杂Sm2O3的Ba(Ti0.9Sn0.1)O3(BTS)陶瓷,研究了所制陶瓷的介电性能。结果表明:当摩尔分数x(Sm2O3)<0.60%时,Sm3+主要进入BTS陶瓷晶格A位,随着x(Sm2O3)的增加,Sm3+倾向于进入晶格B位。Sm2O3的掺杂量对BTS陶瓷的相对介电常数和介质损耗影响显著,x(Sm2O3)=0.60%时,BTS陶瓷的相对介电常数达到最大值5 560;当x(Sm2O3)=0.10%时,BTS陶瓷的综合性能最佳:介质损耗降至最低值0.005 0。

一种新型湿化学方法合成Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3纳米粉末的研究

介绍了一种工艺简便且成本较低的Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３（ＢＭＴ）纳米粉末的湿化学制 备方法．实验过程以Ｔａ２Ｏ５作为起始物，通过热碱反应与钽离子浓度控制法合成Ｔａ２Ｏ５·ｎＨ２Ｏ 胶体，然后与Ｂａ、Ｍｇ醋酸盐按化学计量比混合，经热处理制得ＢＭＴ纳米粉末．实验结果表 明该方法制备ＢＭＴ粉体所需的合成温度仅为８００℃；比传统固相反应法合成温度降低４００℃ 左右，平均粒径仅为７０ｎｍ此外所制得的纳米陶瓷材料具有较佳的低温烧结性能和微波介电 特性，比目前报道的醇盐系湿化学制备技术更具有实用性．

Ba(Ti_(0.91)Zr_(0.09))_(1-3x/2)Mo_xO_3铁电陶瓷的相变弥散

采用固相反应法制备了MoO3施主掺杂的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷,借助Agilent4284A、ZT—I电滞回线和d33测量仪,研究了MoO3含量对Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷介电性能的影响。结果表明:掺杂MoO3能降低Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷的烧结温度。当x(MoO3)为0.05时,ρv达到最佳值5.682g·cm–3;tanδ最小为0.0157;εr为2510,相变温度向高温方向移动。在所研究的组分范围内,样品表现出扩散相变铁电体的特征,但未观察到典型的介电弛豫行为。

Ba1＋x(Mg1／3Nb2／3)O3陶瓷的烧结行为和微波介电性能

研究了A位Ba离子化学计量比变化对Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷烧结行为、微观结构和微波介电性能的影响。结果表明,Ba缺量可促进Ba(Mg1/3Nb2/3)O3烧结和B位1∶2有序,而Ba过量则阻碍Ba(Mg1/3Nb2/3)O3烧结和B位1∶2有序。Ba缺量促进Ba(Mg1/3Nb2/3)O3烧结和B位1∶2有序是由于Ba缺位的存在,而Ba过量阻碍Ba(Mg1/3Nb2/3)O3烧结则是由于过量的Ba可能以游离态存在于晶界,阻碍了晶界的移动,从而降低了Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷的烧结性能,抑制了致密化过程。Ba缺量对Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷的介电常数影响不大。Ba缺量越多,材料的Qf值越低。

ZrO_2掺杂对Ba(Zn_(1/3)Ta_(2/3))O_3陶瓷介电性能的影响

采用固相反应烧结法制备了ZrO2掺杂的Ba(Zn1/3Ta2/3)O3微波介质陶瓷,研究了陶瓷的烧结特性和介电性能。结果表明,ZrO2掺杂能有效降低Ba(Zn1/3Ta2/3)O3陶瓷的烧结温度,改善陶瓷的微波介电性能。当x(ZrO2)=4%时,Ba(Zn1/3Ta2/3)O3陶瓷致密化烧结温度由纯相时的1 600℃降至1 300℃,同时陶瓷材料的微波介电性能达到最佳值,即介电常数εr=34.79,品质因数与频率的乘积Q×f=148 000(8GHz),谐振频率温度系数τf=0.3×10-6/℃。

钙离子掺杂对Ba(Fe_(0.5)Nb_(0.5))O_3陶瓷介电性能的影响

采用固相法制备Ba_(1-x)Ca_xBa(Fe_(0.5)Nb_(0.5))O_3陶瓷材料,研究了Ca^(2+)掺杂对Ba(Fe_(0.5)Nb_(0.5))O_3陶瓷显微结构及介电性能的影响.在1 200℃煅烧制备出了单一物相的Ba_(1-x)Ca_xBa(Fe_(0.5)Nb_(0.5))O_3(x=0,0.03,0.06,0.12,0.15)粉体,并在1 350℃烧结得到相对密度较高、显微结构致密的BCFN陶瓷.随着Ca^(2+)含量的增加,其晶粒尺寸呈现先减小后增大的趋势,而其介电常数则呈现相反趋势.当x=0.06时,介电常数在1kHz可达到45 000,而其介电损耗在室温1kHz下无明显变化.此外,Ca^(2+)掺杂不仅明显提高了陶瓷的介电常数,且有效提高了其温度稳定性.

BaSnO_3纳米粉改性Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3介质陶瓷的研究

以BaSnO3纳米粉体作为添加剂制备(1-x)B a(M g1/3T a2/3)O3-xB aSnO3陶瓷,并与以SnO2为起始原料直接合成的BM T-BS陶瓷作了对比研究。当x(Sn)=12%时,两种工艺在1 500°C保温4 h均能使材料烧结致密。不同的工艺对材料介电常数(rε)和谐振频率温度系数(fτ)的影响没有明显差异,但掺杂B aSnO3纳米粉体的试样具有明显较高的品质因数(Q),该材料的微波介电性能为:rε=24.6,fτ≈0.8×1-0 6/°C,Q×f≈2.24×105GH z。

Ba(Zr_xTi_(1-x))O_3陶瓷的介电弛豫特性

采用固相反应法制备了Ba(ZrxTi1-x)O3(x=0～0.5)陶瓷,并以Fulcher的居里-外斯定律修正方程为依据,求出各样品的弛豫常数γ,以讨论组分对其介电弛豫特性的影响。结果表明:与纯相BaTiO3陶瓷相比,Ba(ZrxTi1-x)O3陶瓷的εr峰值εm由8000(x=0)上升至15000(x=0.25)以上。该陶瓷在x=0.25附近存在着立方–四方相共存的准同型相界,由于准同型相界的高晶格活性,在弛豫特性上有了较大的提高。

0.95K_(0.47)Na_(0.47)Li_(0.06)NbO_3-0.05Ba(Zr_(1-x)Ti_x)O_3陶瓷的压电铁电性能与微结构

采用传统陶瓷制备技术制备了新型的0.95K0.47Na0.47L i0.06NbO3-0.05Ba(Zr1-xTix)O3体系无铅压电陶瓷,研究了该体系陶瓷的压电性能和微结构.研究结果表明,在1 120℃、4h的烧结条件下,获得了致密性良好的陶瓷样品,并在x为0.95时性能达到最佳,其压电常数d33为133 pC/N,机电耦合系数kp为0.34,机械品质因素Qm为148,介电常数rε为1 138,介质损耗tanδ为0.017.

Y掺杂BaTiO_3的电子结构及光学性质的第一性原理研究

利用第一性原理密度泛函理论,计算了不同浓度Y掺杂Ba Ti O3的电子结构和光学性质.计算结果表明:掺杂Y元素后,体系的禁带宽度增大,能态密度向低能方向移动,费米能级进入导带,体现出n型半导体的特征,改善了Ba Ti O3的导电性.在光学性质上,无入射光情况下的纯Ba Ti O3静态介电常数值为4.69,掺杂后静态介电常数改变比较大,尤其是高浓度掺杂后远远大于纯Ba Ti O3,这意味着其可能是一种新的介电材料.掺杂后,体系的能量损失峰明显向低能区移动,随着掺杂浓度的增大,能量损失强度也有所增加.

添加助烧剂对Ba (Ti_(0．91)Zr_(0．09)) O_3介电性能的影响

采用固相反应法制备了添加1wt% CuO- BaO混合物的Ba(Ti_(0.91)Zr_(0.09))O_3铁电陶瓷,借助XRD、SEM、Aglient4284测试仪、ZT-1电滞回线测量仪,研究了预烧前和预烧后加入CuO-BaO混合物对Ba(Ti_(0.91)Zr_(0.09))O_3铁电陶瓷的烧结特性及介电性能的影响。结果表明:不论在预烧前和预烧后添加1wt% CuO-BaO混合物,均能有效降低Ba (Ti_(0.91)Zr_(0.09))O_3的烧结温度,但是在预烧前加入CuO-BaO混合物,室温介电常数高,损耗小,并且伴有介电弛豫现象,电滞回线呈现典型弛豫型铁电体的特征。

CuO-BaO掺杂对Ba(Ti_(0.91)Zr_(0.09))O_3介电性能的影响

采用固相反应法制备了添加1%(质量分数)CuO-BaO混合物的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3铁电陶瓷,研究了r(Cu∶Ba)对Ba(Ti0.91Zr0.09)O3铁电陶瓷烧结特性及介电性能的影响。结果表明:随着r(Cu∶Ba)的增加,Cu开始进入晶格,Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷的密度先增加后减小,r(Cu∶Ba)为1.5时,ρ达最大值5.85g/cm3,斜方-四方相变峰出现介电弛豫现象,居里温度向低温方向移动,电滞回线呈现典型弛豫型铁电体的特征。

烧结保温时间对Ba(Zr0．1Ti0.9)O3-Zn-Nb陶瓷微观结构与介电性能的影响

采用溶胶-凝胶法制备Y5V型Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3-Zn-No陶瓷,通过XRD、SEM等分析检测手段对样品进行表征。研究了烧结保温时间对Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3-Zn-No陶瓷相组成、微观结构、介电性能及介电弛豫的影响。结果表明:样品均为单一钙钛矿结构,且随着烧结保温时间的增加,陶瓷晶粒尺寸与介电常数增大,弥散相变系数(y)先增加后减小。