水热法制备SrBi_2Ta_2O_9陶瓷及其介电性能研究

采用水热法合成SrBi2Ta2O9(SBT)纳米粉体,成型后采用常规烧结法制备SBT陶瓷。利用XRD和SEM研究陶瓷的物相和微观形貌;利用介电温谱研究陶瓷的介电性能。结果表明:采用水热法能够制备出颗粒细小均匀、结构致密且物相纯净的SBT陶瓷;其居里温度为375℃,对应的介电常数为114.54。

Ca_3Co_4O_9陶瓷的合成及热电性能

以柠檬酸为络合剂,采用溶胶-凝胶法获得了Ca3Co4O9的纳米前驱体,用常压烧结法成功制备了Ca3Co4O9陶瓷.利用TG-DTA,XRD,SEM等方法研究了其显微结构和热电性能.结果表明,Ca3Co4O9陶瓷为取向无规则片状结构,属于P型半导体热电材料,其功率因子随温度的升高而增大,具有一定的热电性能.

BiFeO_3-SrBi_2Nb_2O_9陶瓷的电导机制研究

对单相层状结构的xBiFeO_3-SrBi_2Nb_2O_9(x=0、0.1)的铁电陶瓷进行交流阻抗分析,测试了样品的交流阻抗谱,确定了样品的等效电路,分析了不同温度下的晶粒和晶界的电导特性及其作用原理。结果表明,SBFN(x=0.1)在相同温度下的电导率明显低于SBN(x=0)的电导率。SBFN较SBN低温电导激活能下降,高温电导激活能升高,转变温度提高。

高能球磨制备0．3BiFeO_3—0．7SrBi_2Nb_2O_9陶瓷及其介电性能研究

采用高能球磨制备0.3BiFeO_3-0.7SrBi_2Nb_2O_9陶瓷.利用XRD和SEM分析球磨时间对粉体物相结构及微观形貌的影响.结果表明:随球磨时间的增加,粉体结晶度提高,颗粒不断细化,但在22.62°处有杂峰出现,经700℃退火杂峰消失.高能球磨制备的陶瓷的介电常数较传统固相反应制备的陶瓷提高30左右.

(Mg_(4-x)Li_(2x))(Nb_(1.92)V_(0.08))O_9陶瓷微波介电性能

采用固相合成法制备了(Mg_(4-x)Li_(2x))(Nb_(1.92)V_(0.08))O_9系列微波介质陶瓷。通过XRD、SEM以及HP网络分析仪等测试手段对其烧结特性、晶体结构和微波介电性能进行了系统研究。结果表明:x<0.3时形成了(Mg_(4-x)Li_(2x))(Nb_(1.92)V_(0.08))O_9固溶体;x≥0.3时,除主相(Mg_(4-x)Li_(2x))(Nb_(1.92)V_(0.08))O_9外,还有少量第二相Li3Mg2NbO6生成。微波介电常数ε随x的增大持续升高,品质因数Q则先增大后减小。x=0.2,950℃,5h烧结样品的微波介电性能达到最佳:ε=12.7,Q.f=14078GHz(f0=8GHz)。

掺铁SrBi_2Nb_2O_9陶瓷的制备及频谱分析

详细介绍了传统的固相反应法制备xBiFeO3-(1-x)SrBi2Nb2O9(x=0、0.1)铁电陶瓷的工艺,并对其样品进行了频谱分析。结果表明,掺铁SrBi2Nb2O9陶瓷晶界处空间电荷较少,电学响应主要来源于晶粒的体效应。

Ca_3Co_4O_9陶瓷的制备与表征(英文)

本实验采用溶胶-凝胶法制备了Ca3Co4O9陶瓷,寻求了其合适的制备工艺,并对陶瓷的显微结构、物相组成、元素组成等进行了表征测试。实验结果表明:煅烧温度为800～900℃时均能得到纯相Ca3Co4O9;Ca3Co4O9为取向无规则层片状组织,颗粒尺寸均匀,为2μm左右;样品的致密度不高,气孔率相对较大。

Ca_3Co_4O_9陶瓷的固相法制备及分析

本实验采用固相合成法成功地制备了Ca3Co4O9热电材料。通过对样品的显微结构与物相组成等进行分析研究,优化了制备工艺。实验结果表明:由固相法制得的Ca3Co4O9为取向无规则的片状组织;适当提高煅烧温度、延长保温时间有利于片状组织的生长。

反应烧结法制备Mg_4Nb_2O_9陶瓷及其微波介电性能的表征

采用反应烧结法制备Mg4 Nb2 O9陶瓷，省去预烧阶段，优化了制备工艺，研究得到Mg4 Nb2 O9陶瓷样品的相组成、微观形貌以及微波介电性能随着烧结温度的变化关系．由 XRD检测到陶瓷在1200～1450℃均得到纯相的Mg4Nb2O9陶瓷，在1400℃烧结保温3 h所得陶瓷密度为4．13 g/cm3（相对密度94．25％），样品具有清晰的微观形貌，微波介电性能为：εr＝12．1，Q＆#215;f＝169000 GHz，τf＝-55．55＆#215;10-6℃-1．

Ba_2Ti_9O_(20)微波陶瓷在贴片式介质滤波器上的应用研究

用传统固相法制备了Ba2Ti9O20微波陶瓷,研究了Ba2Ti9O20微波陶瓷的组成对介电性能的影响,通过XRD和HP8714ET网络分析仪对其晶体结构和微波介电性能进行了研究,实验结果表明:少量掺MnCO3和ZrO2的Ba2Ti9O20陶瓷材料可把烧结温度降低到1260℃,微波介电性能较好;当ZrO2的加入量为0.1wt%且MnCO3加入量为0.15wt%时,其介电性能最佳的致密化烧结温度为1280℃,可以得到:ε=37;tanδ=3×10-4;τc=-28×10-6/℃。用Ba2Ti9O20陶瓷制成的贴片式介质滤波器测试,其电性能满足设计要求。

PbTiO_3+Bi_2Ti_2O_7掺杂的Ba_(4.5)Nd_9Ti_(18)O_(54)微波介质陶瓷

研究了PbTiO_3+Bi_2Ti_2O_7掺杂的Ba_(4.5)Nd_9Ti_(18)O_(54)微波介质陶瓷材料的结构和介电性能.结果表明,随着掺杂量的增加,陶瓷材料的密度呈现出轻微下降的趋势,介电常数则保持较高的数值,Q值及T_f随掺杂量的增加而下降.当PbTiO_3+Bi_2Ti_2O_7掺杂量为20％时,材料的ε_r≈93,Q.f≈5800 GHz,T_f≈3×10^(-5)/c.XRD分析表明,当PbTiO_3+Bi_2Ti_2O_7掺杂量小于24％时,Ba_(4.5)Nd_9Ti_(18)O_(54)材料仍呈现出单相结构.利用电介质极化理论初步解释了材料介电性能变化的原因。

单相BaTi_4O_9柠檬酸凝胶法制备、表征及介电性能

采用柠檬酸凝胶法两步热处理工艺制备了单相BaTi4O9。干凝胶在750℃热处理得到了物相为BaTi5011和Ba4Ti13O30、尺寸为30～50 nm前驱体粉体。纳米前驱体具有高表面活性,促使单相BaTi4O9在1200℃热处理温度下形成。两步热处理所得的粉体比一步热处理所得的粉体具有更好的烧结和介电特性,两步热处理所得的粉体,在1250℃保温4 h,可获得理论密度为97%的BaTi4O9微波陶瓷,其介电性能:εr=36.33,Q×f=28100 GHz,τf=16.2×10-6/℃。

K+掺杂改性的Ca3Co4O9基氧化物热电性能

用溶胶-凝胶法和放电等离子烧结(SPS)制备了层片状结构的(Ca1-xKx)3Co4O4陶瓷,烧结块体相对密度可达97%～99%.XRD(X-ray Diffraction)和SEM(Scanning Electronic Microscope)分析结果表明当K的掺杂量x＜0.08时为单一的Ca3Co4O9相,SPS烧结可以使样品带有一定的织构取向.在室温至700℃的范围内测量了不同K掺杂量时样品电导率和Seeback系数,测试结果表明,当K的掺入量小于0.06时,随着掺入量的增加,可以显著提高样品的电导率(400℃～700℃)和Seebeck系数.其中,700℃时(K0.06Ca0.94)3Co4O9样品的功率因子P=4.43×10-4W·m.-1K-2,与Ca3Co4O9(P=3.51×10-4W.m.-1K-2)相比提高了26.2%,表明K掺杂是改善Ca3Co4O9高温热电性能的有效途径之一.

单相Ba_2Ti_9O_(20)柠檬酸凝胶法制备、表征及介电性能

采用柠檬酸凝胶法两步热处理工艺制备了单相Ba_2Ti_9O_(20)。干凝胶在750℃热处理得到了物相为BaTi_5O_(11)和Ba_4Ti1_3O_(30)、尺寸为30￣50nm的前驱体粉体。纳米前驱体具有高表面活性,促使单相Ba_2Ti_9O_(20)在1200℃热处理温度下形成。两步热处理所得的粉体比一步热处理所得的粉体具有更好的烧结和介电特性,两步热处理所得的粉体,在1250℃烧结4h,可获得理论密度为97%的Ba_2Ti_9O_(20)微波介质陶瓷,其介电性能:εr=38.5,Qf=19320GHz,τf=8.7×10-6℃-1。

Ca_3Co_4O_9/Ag陶瓷复合材料的制备及其热电性能

利用高分子网络凝胶法和放电等离子烧结技术(SPS)制备出高致密的Ca3Co4O9/Ag热电陶瓷复合材料。采用X射线衍射法表征了材料的相组成及其织构化程度,用SEM观察了粉体形貌和陶瓷断口的显微结构,并研究了Ag复合量对材料的室温热电性能的影响。研究结果表明,利用高分子网络凝胶法和SPS相结合的工艺有利于单质Ag在基体中的分布,使得基体中Ag相的粒径更小,分布更均匀。陶瓷复合材料的致密度均达到98%以上。虽然Ag颗粒的加入使Ca3Co4O9/Ag复合材料的Seebeck系数降低,但由于电导率显著提高,从而使材料的功率因子提高。

Mg_4Nb_2O_9/SrTiO_3复合陶瓷的烧结特性和微波介电性能

制备Li_2CO_3-V_2O_5(LV)共掺杂0.6Mg_4Nb_2O_9-0.4SrTiO_3复合陶瓷,研究了LV掺杂对其烧结特性、相结构和微波介电性能的影响。结果表明:一定量LV掺杂使0.6Mg_4Nb_2O_9-0.4SrTiO_3复合陶瓷生成了Sr(NbTi)O_(3+δ)和MgO杂相,并使其致密化烧结温度降低(至1175℃);1.5%LV掺杂,在1175℃烧结5 h的样品具有较高的微波介电性能:τ_f=0.15 ppm/℃,ε_τ=20.1,Q·f=10240 GHz(at 8.5 GHz)。