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2.5Gb/s混合集成光发射OEIC 被引量:2
1
作者 冯军 张军 +4 位作者 李连鸣 张国宝 黄颋 王志功 江山 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期43-46,共4页
研制了适用于光纤通信系统的具有完全自主知识产权的混合集成光发射芯片.采用光刻制版技术将采用0.35μm硅CMOS工艺实现的激光驱动器芯片与采用湿法腐蚀、聚合物平坦和lift off等技术实现的激光器芯片制作在一块陶瓷衬底上形成"光... 研制了适用于光纤通信系统的具有完全自主知识产权的混合集成光发射芯片.采用光刻制版技术将采用0.35μm硅CMOS工艺实现的激光驱动器芯片与采用湿法腐蚀、聚合物平坦和lift off等技术实现的激光器芯片制作在一块陶瓷衬底上形成"光电一体"芯片.该芯片工作速率2.5Gb/s,波长1550nm,输出光功率0dBm,消光比5.6dB. 展开更多
关键词 光发射 混合集成 芯片 oeic 激光驱动器 输出光功率 光纤通信系统 b/s CMOS工艺 光电
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OEIC光接收机研究的湿法选择腐蚀 被引量:1
2
作者 敖金平 曾庆明 +4 位作者 赵永林 李献杰 蔡克理 梁春广 刘式墉 《半导体情报》 1999年第1期47-49,共3页
试验了用柠檬酸与双氧水系列腐蚀液来实现InAl(Ga)As∶InP和InGaAs∶InAlAs的选择腐蚀,达到了较好的效果,且工艺重复性好。同一单片上MSM(金属-半导体-金属)光探测器的光响应度可达到0.5A/W,... 试验了用柠檬酸与双氧水系列腐蚀液来实现InAl(Ga)As∶InP和InGaAs∶InAlAs的选择腐蚀,达到了较好的效果,且工艺重复性好。同一单片上MSM(金属-半导体-金属)光探测器的光响应度可达到0.5A/W,HEMT器件最大跨导为305mS/mm,最大饱和电流密度为350mA/mm。完成了实现OEIC光接收机的关键一步。 展开更多
关键词 MSM oeic 选择腐蚀 光接收机 光电子集成电路
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基于InP/InGaAs HBT技术的单片集成长波长光接收OEIC
3
作者 李献杰 赵永林 +8 位作者 蔡道民 曾庆明 蒲运章 郭亚娜 王志功 王蓉 齐鸣 陈晓杰 徐安怀 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期520-524,共5页
采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8... 采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率和最高振荡频率分别为45和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55/μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9. 展开更多
关键词 InP INGAAS HBT PIN 光接收 oeic
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高速脉码调制OEIC光发送机驱动电路的设计 被引量:1
4
作者 陈维友 胡礼中 刘式墉 《光通信研究》 1991年第2期16-22,57,共8页
本文报道一种适合用现有工艺条件进行研制的OEIC光发送机的驱动电路。该驱动电路不仅对信号具有一定的整形能力,而且更适于高速脉码调制。同时,当制作工艺条件变化时具有较高的稳定性。对该电路进行计算机辅助分析和优化,得到该电路的... 本文报道一种适合用现有工艺条件进行研制的OEIC光发送机的驱动电路。该驱动电路不仅对信号具有一定的整形能力,而且更适于高速脉码调制。同时,当制作工艺条件变化时具有较高的稳定性。对该电路进行计算机辅助分析和优化,得到该电路的上升、下降时间为120ps、140ps。 展开更多
关键词 oeic 光发送机 驱动电路 发送机
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pin/HBT OEIC光接收机
5
作者 崇英哲 黄辉 +1 位作者 黄永清 任晓敏 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2004年第5期55-57,共3页
介绍了pin/HBT单片集成OEIC光接收机的集成结构和电路结构,分析了这种集成方式的光接收机前端设计过程中影响带宽和灵敏度的因素,总结了集成器件最新的研究进展。
关键词 异质结双极晶体管 pin光电二级管 oeic 光接收机
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OEIC_s的现状和未来
6
作者 王启明 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1990年第3期4-7,共4页
本文介绍系统集成OEIC的进展,阐述该领域集中研究的三个系统目标——集成先发射机、集成光接收和集成光开关芯片。最后介绍了日本光技术实验室(OTL)构思的九十年代OEIC发展蓝图。预言下一世纪的信息产业中光电子将与微电子平分秋色,互... 本文介绍系统集成OEIC的进展,阐述该领域集中研究的三个系统目标——集成先发射机、集成光接收和集成光开关芯片。最后介绍了日本光技术实验室(OTL)构思的九十年代OEIC发展蓝图。预言下一世纪的信息产业中光电子将与微电子平分秋色,互为融合。 展开更多
关键词 oeic 集成光学
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10~40Gb/s OEIC光接收机前端的最新研究进展 被引量:1
7
作者 王延锋 高建军 吴德馨 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期60-63,共4页
基于OEIC光接收机前端的集成方式和前放电路形式介绍了OEIC光接收机前端的最新研究进展。
关键词 光电集成电路 光接收机 前端 光纤通信 oeic 现状 进展
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1.55μm光发射OEIC技术研究 被引量:1
8
作者 李献杰 曾庆明 +9 位作者 徐晓春 刘伟吉 敖金平 王全树 杨树人 赵方海 柯锡明 王志功 刘式墉 梁春广 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期23-25,共3页
采用一种新的基于InP材料在 [0 11]晶向化学腐蚀形成的平滑剖面的互连工艺和两次曝光光刻技术 ,设计并制作了带有 1.5 5 μm多量子阱激光器和InP/InGaAs异质结双极晶体管驱动电路的光发射单片光电集成电路。在 1.5Gbit/s 2 2 3- 1伪随... 采用一种新的基于InP材料在 [0 11]晶向化学腐蚀形成的平滑剖面的互连工艺和两次曝光光刻技术 ,设计并制作了带有 1.5 5 μm多量子阱激光器和InP/InGaAs异质结双极晶体管驱动电路的光发射单片光电集成电路。在 1.5Gbit/s 2 2 3- 1伪随机码调制下器件有张开的眼图 ,光输出功率为 2dBm ,芯片功耗约 12 0mW。 展开更多
关键词 光发射 光电集成电路 INP
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光电子集成回路(OEIC)——未来光通信产业发展的关键 被引量:2
9
作者 王启明 《中国科学院院刊》 1989年第2期107-112,共6页
70年代初低损耗石英光纤的研制成功和室温连续工作砷化镓激光二极管的问世开辟了实用化光通信的新纪元。短短的15年间光通信技术以其罕见的速度飞快发展,完成了短波长多模光纤通信技术系统、1.3μm(微米)多模光纤通信技术系统和1.3μm... 70年代初低损耗石英光纤的研制成功和室温连续工作砷化镓激光二极管的问世开辟了实用化光通信的新纪元。短短的15年间光通信技术以其罕见的速度飞快发展,完成了短波长多模光纤通信技术系统、1.3μm(微米)多模光纤通信技术系统和1.3μm单模光纤通信技术系统,并已开始进入开发1.55μm长波长单模光纤相干光通信技术时代.不同时期都有各种光通信系统进入工程实用阶段,最具代表性的成就要算美国AT&T公司与英。 展开更多
关键词 oeic 光通信技术 光通信
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OEIC台面腐蚀工艺研究
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作者 范超 栗锐 +6 位作者 陈堂胜 杨立杰 冯欧 冯忠 陈辰 焦世龙 叶玉堂 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期241-244,共4页
深入研究了牺牲层腐蚀机制,摸索出完整的台面自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作。实验中发现了侧蚀、台面变形以及表面清洁等问题。从实验现象着手分析,并由此对工艺进行了改进,采用了新的腐蚀剂和工艺步骤。改进后的工艺解决了上述问... 深入研究了牺牲层腐蚀机制,摸索出完整的台面自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作。实验中发现了侧蚀、台面变形以及表面清洁等问题。从实验现象着手分析,并由此对工艺进行了改进,采用了新的腐蚀剂和工艺步骤。改进后的工艺解决了上述问题,可以完全满足后续工艺的要求。 展开更多
关键词 腐蚀自停止 光电集成电路 台面工艺
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强劲增长的OEIC市场
11
作者 孙志君 《世界电子元器件》 2002年第12期10-11,共2页
由于光纤通信技术的飞速发展和庞大的通信市场需求,把光学和电学功能集成在同一个衬底上的器件极受欢迎。随着Si和InP、GaAsⅢ-V族材料技术和器件制作工艺技术的发展,使制作各种复杂功能的高性能半导光电子集成器件和组件成为可能,相继... 由于光纤通信技术的飞速发展和庞大的通信市场需求,把光学和电学功能集成在同一个衬底上的器件极受欢迎。随着Si和InP、GaAsⅢ-V族材料技术和器件制作工艺技术的发展,使制作各种复杂功能的高性能半导光电子集成器件和组件成为可能,相继出现了发射模块、接收模块和收发模块等光电子集成电路(OEIC)。把光学部件、 展开更多
关键词 oeic 市场 光纤通信 市场需求 光电子集成电路
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TOEIC语法的特点及解题策略
12
作者 刘嘉 《新东方英语(中英文版)》 2005年第Z1期197-200,共4页
托业(TOEIC)考试并未单独设置语法项目,但阅读部分的前两个题型考查的就是语法。这两种题型对中国考生而言并不陌生,很多国内考试,甚至TOEFL也都采取同样的题型,即:Complete sen- tences(补全句子)和Error Recognition (辨别错误)。前... 托业(TOEIC)考试并未单独设置语法项目,但阅读部分的前两个题型考查的就是语法。这两种题型对中国考生而言并不陌生,很多国内考试,甚至TOEFL也都采取同样的题型,即:Complete sen- tences(补全句子)和Error Recognition (辨别错误)。前一类题型共有40题,即我们平常所说的选词填空,考生要从所提供的四个选项中选出最合适的那一个将句子补充完整;后一类题型共有20题,每题的句子有四个划线选项,考生要从中辨别出错误的那项。 展开更多
关键词 句子 考试 语法项目 题型 考生 商务词汇 选项 错误 oeic 解题策略
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2006年全球OEIC市场达20亿美元
13
作者 纪雨 《光电子技术与信息》 2004年第3期25-25,共1页
据ElectroniCast最新报告:全球OEIC的消费市场将从2002年的不到3.2亿美元急增到2006年的19.4亿美元.在2003年,混合OEIC将达59%的最大消费额,但单片OEIC将快速增长.
关键词 2006年 oeic 市场规模 市场预测
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InP基长波长光发射OEIC材料的MOCVD生长
14
作者 江李 林涛 +5 位作者 韦欣 王国宏 张广泽 张洪波 马骁宇 李献杰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期319-323,共5页
为了生长制作器件所需的外延片 ,采用低压金属有机物化学气相沉积方法在半绝缘InP衬底上生长了InP/InGaAs异质结双极晶体管 (HBT)结构、1 5 5 μm多量子阱激光二极管以及两者集成的光发射光电集成电路材料结构 .激光器结构的生长温度为 ... 为了生长制作器件所需的外延片 ,采用低压金属有机物化学气相沉积方法在半绝缘InP衬底上生长了InP/InGaAs异质结双极晶体管 (HBT)结构、1 5 5 μm多量子阱激光二极管以及两者集成的光发射光电集成电路材料结构 .激光器结构的生长温度为 6 5 5℃ ,有源区为 5个周期的InGaAsP/InGaAsP多量子阱 (阱区λ =1 6 μm ,垒区λ =1 2 8μm) ;HBT结构则采用 5 5 0℃低温生长 ,其中基区采用Zn掺杂 ,掺杂浓度约为 2× 10 19cm-3 .对生长的各种结构分别进行了X射线双晶衍射 ,光致发光谱和二次离子质谱仪的测试 ,结果表明所生长的材料结构已满足制作器件的要求 . 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积 光电集成电路 异质结双极晶体管 激光二极管 磷化铟
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光纤通信用OEIC的研制现状和展望
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作者 艾时英 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1992年第3期208-212,共5页
本文综述光纤通信用 OEIC 的研制现状,并提出了今后的研究课题和前景。
关键词 光电子集成 光纤通信 制造
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Si基高速OEIC光接收机芯片的研究 被引量:5
16
作者 成步文 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期659-664,共6页
Si基光电子集成(OEIC)光接收机在光通信系统接入网、光互连、光存储等方面有着广泛的应用前景。本文综述Si基OEIC光接收芯片的研究现状,分析了其发展趋势,探讨了进一步提高性能的途径。
关键词 SI基 光电子集成 oeic 光接收机 发展趋势 光通信
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用于OEIC的InP MISFET的研制 被引量:1
17
作者 陈朝 傅仁武 +2 位作者 陈松岩 刘宝林 S.A.Malyshev 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第3期297-300,共4页
用MOCVD方法生长了n+-InP/n-InP/SI-InP材料,以HfO2为介质膜,用电子束蒸发和选择化学腐蚀研制成栅宽0.002mm、栅长为0.2mm的具有蘑菇状栅极结构的InPMISFET。直流特性测量表明,跨导gm=80-115ms/mm,开启电压VT-3.62V,沟道... 用MOCVD方法生长了n+-InP/n-InP/SI-InP材料,以HfO2为介质膜,用电子束蒸发和选择化学腐蚀研制成栅宽0.002mm、栅长为0.2mm的具有蘑菇状栅极结构的InPMISFET。直流特性测量表明,跨导gm=80-115ms/mm,开启电压VT-3.62V,沟道的有效电子迁移率ueff=674cm2/V·S,界面态密度NSS=9.56×1011cm-2。设计计算的特征频率fT97.1GHz,最高特征频率fmax64.7GHz,尚未发现器件性能的漂移现象。本器件可作为InP基的单片光电子集成器件(OEIC)的放大部分。 展开更多
关键词 磷化铟 绝缘栅场效应管 光电集成 研制
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10 Gb/s OEIC optical receiver front-end and 3.125 Gb/s PHEMT limiting amplifier
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作者 范超 陈堂胜 +4 位作者 杨立杰 冯欧 焦世龙 吴云峰 叶玉堂 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期108-111,共4页
A 10 Gb/s OEIC(optoelectronic integrated circuit)optical receiver front-end has been studied and fabricated based on theφ-76 mm GaAs PHEMT process;this is the first time that a limiting amplifier(LA)has been desi... A 10 Gb/s OEIC(optoelectronic integrated circuit)optical receiver front-end has been studied and fabricated based on theφ-76 mm GaAs PHEMT process;this is the first time that a limiting amplifier(LA)has been designed and realized using depletion mode PHEMT.An OEIC optical receiver front-end mode composed of an MSM photodiode and a current mode transimpedance amplifier(TIA)has been established and optimized by simu- lation software ATLAS.The photodiode has a bandwidth of 10 GHz,a capacitance of 3 fF/μm and a photosensitive area of 50×50μm^2.The whole chip has an area of 1511×666μm^2.The LA bandwidth is expanded by spiral inductance which has been simulated by software HFSS.The chip area is 1950×1910μm^2 and the measured results demonstrate an input dynamic range of 34 dB(10–500 mVpp)with constant output swing of 500 mVpp. 展开更多
关键词 oeic MSM photodiode current mode TIA depletion mode PHEMT limiting amplifier
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TOEIC—一种新型的考试
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作者 杨埙 《外语教学与研究》 1986年第1期55-58,共4页
近年来美国从事外语教学的语言学家与美国教育考试服务处(ETS)的语言学家以及测试专家通力合作,每年要设计几套“国际交流英语考试”(TOEIC—TEST OF ENGLISHFOR INTERNATIONAL COMMUNICA-TION)的试题。
关键词 oeic 相关系数 考生 教育考试 语言学家 阅读 听力 美国 英语考试 外语教学
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OEIC CHINA 2000 2000年国际光学光电子检测和控制学术会议征文通知
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《航空精密制造技术》 2000年第2期11-11,共1页
关键词 检测和控制 会议征文 光电子 oeic 2000年 学术会议 截止期 光学测量 测试技术 光电成像
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