等离子体氧化锗膜的抛物线生长规律及氮化改性

在恒定直流偏压下，在稍长的时间ｔ以后，等离子体氧化锗膜生长遵从抛物线规律Ｘ２ｔ－Ｘ２ｅ＝ｋｔ，并由离子迁移理论推导出氧化速率常数ｋ。由于电场增强输运，等离子体阳极氧化锗膜的生长速率比热氧化锗膜高得多。经等离子体氮化之后，ＧｅＯｘＮｙ膜具有优良的抗湿性能。