期刊文献+
共找到75篇文章
< 1 2 4 >
每页显示 20 50 100
多壁碳纳米管/α-六噻吩双层OTFT气体传感器的制备及特性分析 被引量:2
1
作者 张波 太惠玲 +3 位作者 段成丽 谢光忠 蒋亚东 邬嫡波 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期41-44,50,共5页
以多壁碳纳米管(multi-walledcarbonnanotubes,MWCNTs)和α-六噻吩(α-sexithiophene,α-6T)双层膜作为有源层,二氧化硅(SiO2)为绝缘层,钛/金(Ti/Au)作为电极,制备了沟道宽长比为640的有机薄膜晶体管(organicthin-filmtransist... 以多壁碳纳米管(multi-walledcarbonnanotubes,MWCNTs)和α-六噻吩(α-sexithiophene,α-6T)双层膜作为有源层,二氧化硅(SiO2)为绝缘层,钛/金(Ti/Au)作为电极,制备了沟道宽长比为640的有机薄膜晶体管(organicthin-filmtransistors,OTFT)气体传感器.测试了该传感器对痕量二氧化氮(NO2)气体的实时响应特性,并分析了NO2 气体对OTFT传感器阈值电压、载流子迁移率等多参数的影响.研究结果表明,基于MWCNTs/α-6T 的OTFT器件有较好的电学特性,载流子迁移率为3.0×10-2cm2/V·s;OTFT传感器对NO2 气体具有较高的响应率,响应和恢复时间短,能检测(0.2~1)×10-6 的痕量NO2 气体,且具有良好的重复性;同时可以利用阈值电压和载流子迁移率等多参数来表征响应结果.形貌分析结果表明双层敏感膜的特殊形貌有利于提高器件的气敏性能. 展开更多
关键词 多壁碳纳米管 α-六噻吩 有机薄膜晶体管(otft) 气体传感器 NO2
下载PDF
喷墨打印C8-BTBT薄膜中的衬底效应及其OTFT器件 被引量:4
2
作者 王向华 顾勋 +2 位作者 张春雨 李博 吕申宸 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第8期522-527,538,共7页
以喷墨打印制备的共轭有机小分子2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)作为有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,分别采用紫外臭氧处理、旋涂聚(4-乙烯基苯酚)(PVP)薄膜、自组装苯乙基三氯硅烷(PETS)单分子层和苯基三氯硅烷(PTS)... 以喷墨打印制备的共轭有机小分子2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)作为有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,分别采用紫外臭氧处理、旋涂聚(4-乙烯基苯酚)(PVP)薄膜、自组装苯乙基三氯硅烷(PETS)单分子层和苯基三氯硅烷(PTS)单分子层四种衬底修饰方法,分析有机小分子薄膜生长过程中的衬底效应,及其对OTFT器件性能的影响。其中PVP或PETS修饰衬底具有疏水及低表面粗糙度的特性,在其上喷墨打印沉积的C8-BTBT单线条薄膜具有均匀性好、覆盖率高且有序堆积的结晶形貌,基于这种高质量薄膜制备的OTFT器件性能最优,饱和场效应迁移率达到1 cm2·V-1·s-1左右,开关比超过106。结果表明,对打印衬底进行疏水性处理及降低表面粗糙度是制备高性能共轭小分子OTFT器件的有效途径。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管(otft) 喷墨打印 2 苯并噻吩并[3 2-b]苯并噻吩(C8-BTBT) 衬底效应 迁移率
下载PDF
OTFT开关比对有源层厚度、杂质浓度间制约关系的影响研究 被引量:1
3
作者 陈金伙 李文剑 程树英 《贵州大学学报(自然科学版)》 2012年第4期71-76,共6页
本文从物理角度推导并分析Brown方程的本质,并将之用于OTFT开关比的分析。首次通过引入关键参数K(杂质层电流/感应层电流)对OTFT开关比进行了分析,获得OTFT中有源层厚度和杂质浓度潜在的、可被允许的上限值。在此前提下,重点分析了有源... 本文从物理角度推导并分析Brown方程的本质,并将之用于OTFT开关比的分析。首次通过引入关键参数K(杂质层电流/感应层电流)对OTFT开关比进行了分析,获得OTFT中有源层厚度和杂质浓度潜在的、可被允许的上限值。在此前提下,重点分析了有源层厚度、有效杂质浓度对OTFT开关比的影响。接着根据模拟分析的结果,提出一种有效且简易的判断OTFT是否逼近开关比极限的方法,并分别论证在逼近/远离开关比极限的情况下,降低NA和dS对开关比提升的有效性,及不同情况的OTFT应采取的优化措施。最后,文中给出了一定开关比约束下有效掺杂浓度/有源层厚度的临界关系曲线,它具有重要的实用意义,且进一步约束了OTFT中有源层厚度和有效杂质浓度的所允许的上限值。 展开更多
关键词 otft IV方程 开关比 杂质浓度上限 膜层厚度上限
下载PDF
有源层厚度对CuPc-OTFT器件性能的影响 被引量:2
4
作者 袁剑峰 闫东航 许武 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第1期14-18,共5页
研究了不同厚度有源层的顶电极CuPc OTFT器件的电学特性。发现器件的性能与有源层厚度有依赖关系,其中,有源层厚度为20nm的器件性能最好。在有源层厚度大于20nm时,有源层厚度的增大不但分去一部分栅电压而且还增大了源、漏电极的接触电... 研究了不同厚度有源层的顶电极CuPc OTFT器件的电学特性。发现器件的性能与有源层厚度有依赖关系,其中,有源层厚度为20nm的器件性能最好。在有源层厚度大于20nm时,有源层厚度的增大不但分去一部分栅电压而且还增大了源、漏电极的接触电阻,从而不利于器件性能的提高。但当有源层厚度小于20nm以后器件的性能开始降低。我们认为当有源层厚度降低到一定程度时,有源层上表面的表面态会使有机材料的隙态浓度增加从而对沟道载流子迁移率产生不良影响以及使器件的阈值电压增大。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 有源层 otft 接触电阻 载流子迁移率 场效应迁移率
下载PDF
OTFT或使“折叠电视”成现实
5
作者 马伟 《科技中国》 2014年第4期51-51,共1页
可以看新闻和天气动态的汽车车窗、透叫可弯曲的手机、可以折叠的电视……这些高科技“幻想”或许很快将成为现实。
关键词 otft 电视 折叠 可弯曲 高科技 手机
下载PDF
PMMA栅绝缘层表面形貌对并五苯OTFT性能的影响
6
作者 李雪飞 王伟 +1 位作者 王帅 石晓东 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第9期554-558,580,共6页
影响有机薄膜晶体管(organic thin-film transistor,OTFT)器件性能的主要因素中,栅绝缘层表面形貌特性和薄膜厚度等有着非常关键的作用,会直接影响有源层材料的分子排列方式和整个器件的性能。以氧化铟锡(ITO)导电薄膜玻璃为衬底材料,... 影响有机薄膜晶体管(organic thin-film transistor,OTFT)器件性能的主要因素中,栅绝缘层表面形貌特性和薄膜厚度等有着非常关键的作用,会直接影响有源层材料的分子排列方式和整个器件的性能。以氧化铟锡(ITO)导电薄膜玻璃为衬底材料,采用溶液旋涂的工艺制备聚合物聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)有机绝缘层,采用真空蒸镀的方法制备并五苯有源层及源-漏银电极。通过对比不同退火条件下PMMA绝缘栅层表面形貌及粗糙度,制备适合有源层生长的绝缘层表面,得到较好的PMMA栅绝缘层/并五苯有源层界面接触。实验表明,PMMA栅绝缘层经退火后所制备的器件场效应迁移率提高到2.52×10-3 cm2/(V·s),阈值电压降低到-11.5 V,获得了性能较好的OTFT。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管(otft) 栅绝缘层 迁移率 聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 阈值电压
下载PDF
一种异靛蓝衍生半导体的合成、表征和OTFT应用 被引量:1
7
作者 陈少云 瞿波 +2 位作者 刘小英 李文杰 卓东贤 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期602-608,共7页
以4-癸基十六烷基溴和6-溴二氢吲哚-2,3-二酮为原料,将4-癸基十六烷基侧链引入到(3E,7E)-3,7-双(2-氧代二氢吲哚-3-亚基)苯并[1,2-b:4,5-b']二呋喃-2,6(3H,7H)-二酮(IBDF)中合成了IBDF-26,再与(E)-1,2-双(三丁基甲锡烷基)乙烯通过St... 以4-癸基十六烷基溴和6-溴二氢吲哚-2,3-二酮为原料,将4-癸基十六烷基侧链引入到(3E,7E)-3,7-双(2-氧代二氢吲哚-3-亚基)苯并[1,2-b:4,5-b']二呋喃-2,6(3H,7H)-二酮(IBDF)中合成了IBDF-26,再与(E)-1,2-双(三丁基甲锡烷基)乙烯通过Stille偶合制备了基于异靛蓝衍生大稠环聚合物的半导体PIBDFV-26。采用TGA、DSC、UV、CV、XRD、AFM对PIBDFV-26的性能、结构、形貌进行了表征。结果表明,基于异靛蓝大稠环的半导体PIBDFV-26在三氯乙烯(TCE)中的溶解性良好,具有良好的热稳定性,HOMO/LUMO能级为–5.96eV/–4.62eV,光学帯隙为1.34eV。XRD结果表明,聚合物链沿边沿取向形成层状晶体结构,层间距为2.55×10^(–6) mm,π–π堆积距离为3.46×10^(–7) mm。AFM显示,退火处理的PIBDFV-26薄膜表面含有纳米级的晶状颗粒。对PIBDFV-26组装的有机薄膜晶体管(OTFT)器件进行了测试,结果显示OTFT器件表现出电子传输(negative,n)型沟道的电荷传输特性。150℃退火处理的聚合物薄膜的平均电子迁移率为0.13 cm^2/(V?s)。 展开更多
关键词 异靛蓝 给体-受体 半导体 otft 电子迁移率 功能材料
下载PDF
绝缘修饰层及其厚度对喷墨打印OTFT的影响 被引量:1
8
作者 张国成 林金阳 《福建工程学院学报》 CAS 2016年第6期597-602,共6页
通过在底栅顶接触的喷墨打印有机薄膜晶体管的Si O2表面采用原子层沉积方式制备薄层的Al2O3修饰层,并与未修饰前进行比较,发现有源层在ALD-Al2O3修饰后的Si O2表面接触角大大变小,且喷墨打印的有源层线条变粗。而随着ALD-Al2O3修饰层厚... 通过在底栅顶接触的喷墨打印有机薄膜晶体管的Si O2表面采用原子层沉积方式制备薄层的Al2O3修饰层,并与未修饰前进行比较,发现有源层在ALD-Al2O3修饰后的Si O2表面接触角大大变小,且喷墨打印的有源层线条变粗。而随着ALD-Al2O3修饰层厚度的增加,Si O2表面粗糙度变大。通过测试其电学性能,发现ALD-Al2O3修饰层厚度为1 nm时,OTFT的性能最好,与未修饰前相比,其迁移率提高了近8倍,而开关比提高约4个数量级。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 原子层沉积 喷墨打印 表面修饰 修饰层厚度
下载PDF
OTFT将成为下一代平板显示核心技术 被引量:2
9
作者 闫东航 《实用影音技术》 2008年第2期79-81,共3页
目前有机薄膜晶体管(OTFT)的综合性能已经达到商用非晶硅水平,其鲜明的低生产成本和高功能优点已显示出巨大的市场潜力和产业化价值。有机薄膜晶体管将很快成为新一代平板显示的核心技术。
关键词 平板显示 otft 技术 有机薄膜晶体管 综合性能 市场潜力 生产成本 非晶硅
下载PDF
OTFT将成为下一代平板显示核心技术
10
作者 王瑞 《信息记录材料》 2007年第6期11-11,共1页
目前,有机薄膜晶体管(OTFT,organic thin film transistor)的综合性能已经达到商用非晶硅水平,其较低的生产成本和高功能优点已显示出巨大的市场潜力和产业化价值。有机薄膜晶体管将很快成为新一代平板显示的核心技术。
关键词 平板显示 otft 技术 有机薄膜晶体管 综合性能 市场潜力 生产成本 非晶硅
下载PDF
采用柔性基板有机薄膜晶体管(OTFT)驱动的有源矩阵显示
11
作者 吕姝(译) 乔辉(校) 《显示器件技术》 2005年第3期28-30,8,共4页
一种在柔性基板上排列像素为64×128的有机薄膜晶体管(OTFT)技术已经被研究出来,本文分析了其制造方法及其设备和性能。运用这种OTFT技术制造的有源矩阵液晶显示的像素大小已达到550μm×550μm。
关键词 有机薄膜晶体管 柔性基板 有源矩阵显示 有源矩阵液晶显示 驱动 技术制造 制造方法 otft 像素
下载PDF
FlexEnable收购默克公司用于柔性显示器的OTFT材料产品组合
12
《中国电子商情》 2019年第11期35-35,共1页
FlexEnable已收购了默克公司(Merck)一流的高性能有机薄膜晶体管(OTFT)材料组合,包括革命性和获得专利的有机半导体和电介体。这笔交易使FlexEnable成为第一家既能向显示器制造商提供被证明性能比非晶硅更高的OTFT材料,又能提供用于生... FlexEnable已收购了默克公司(Merck)一流的高性能有机薄膜晶体管(OTFT)材料组合,包括革命性和获得专利的有机半导体和电介体。这笔交易使FlexEnable成为第一家既能向显示器制造商提供被证明性能比非晶硅更高的OTFT材料,又能提供用于生产任何尺寸柔性有机液晶显示器的整套经过工业验证的制造工艺的公司。 展开更多
关键词 有机半导体 液晶显示器 柔性显示器 otft 默克公司 FLEX 非晶硅 产品组合
下载PDF
不同绝缘层上生长的并五苯薄膜及其OTFT器件性能的研究
13
作者 黄金英 徐征 +3 位作者 张福俊 赵谡玲 袁广才 孔超 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期2325-2329,共5页
分别以SiO2和PMMA为绝缘层材料制备了底栅顶接触结构的OTFT器件,得到以PMMA为绝缘层的器件具有更好的性能,其场效应迁移率为0.207 cm2.Vs-1,开关电流比为4.93×103,阈值电压为-4.3 V;而以SiO2为绝缘层的器件,其场效应迁移率仅为0.03... 分别以SiO2和PMMA为绝缘层材料制备了底栅顶接触结构的OTFT器件,得到以PMMA为绝缘层的器件具有更好的性能,其场效应迁移率为0.207 cm2.Vs-1,开关电流比为4.93×103,阈值电压为-4.3 V;而以SiO2为绝缘层的器件,其场效应迁移率仅为0.039 cm2.Vs-1,开关电流比为5.98×102,阈值电压为-5.4 V。为分析器件性能差异的原因,测得了SiO2和PMMA薄膜表面的AFM图谱及其上沉积并五苯薄膜后的AFM和XRD图谱。通过AFM图谱发现PMMA表面较SiO2表面粗糙度小,其表面粗糙度的均方根值为0.216 nm,而二氧化硅薄膜表面粗糙度的均方根值为1.579 nm;且发现在PMMA上生长的并五苯薄膜的成膜质量优于在SiO2,具有较大的晶粒尺寸和较少的晶粒间界。通过XRD图谱发现在PM-MA上生长的并五苯薄膜具有明显的衍射峰,进一步证明了在PMMA上生长的并五苯薄膜具有更好的结晶状况,将更有利于载流子的传输。 展开更多
关键词 并五苯 PMMA 二氧化硅 有机薄膜晶体管
下载PDF
退火条件对TIPS-Pentacene OTFT特性的影响
14
作者 余屯 邱禹 +1 位作者 刘欢 钟传杰 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期846-849,共4页
采用溶液旋涂方法,以6,13-bis(Triisopropyl-silylethynyl)Pentacene(TIPSpentacene)为有源层材料,制备了顶接触有机薄膜晶体管,研究了不同退火条件对OTFT器件性能的影响。实验结果表明,在用银浆做电极且其他条件相同的情况下,TIPS-pent... 采用溶液旋涂方法,以6,13-bis(Triisopropyl-silylethynyl)Pentacene(TIPSpentacene)为有源层材料,制备了顶接触有机薄膜晶体管,研究了不同退火条件对OTFT器件性能的影响。实验结果表明,在用银浆做电极且其他条件相同的情况下,TIPS-pentacene的最佳退火温度为383K;在10h以内,退火时间越长,性能越好。在沟道长度L=200μm、宽度W=5000μm、栅极电压Vg=40V、漏极电压VDS=40V、有源层退火温度383K、退火时间10h的条件下,源漏饱和电流IDS达到1.9×10-6 A,载流子迁移率达到0.0084cm2/(V·s)。 展开更多
关键词 有机半导体材料 退火 有机薄膜晶体管 载流子迁移率
下载PDF
C8 BTBT薄膜结晶形貌及OTFT器件性能研究
15
作者 黄玲玲 陈幸福 +3 位作者 胡鹏 李博 王向华 胡俊涛 《光电子技术》 CAS 北大核心 2020年第1期28-34,共7页
以p型共轭有机小分子2,7二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‐b]苯并噻吩(C8‐BTBT)作为底栅顶接触有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,采用浸渍提拉法、喷墨打印法和真空蒸镀法三种制备工艺,探究半导体薄膜载流子迁移率与结晶形貌的关系,发现不同工艺... 以p型共轭有机小分子2,7二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‐b]苯并噻吩(C8‐BTBT)作为底栅顶接触有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,采用浸渍提拉法、喷墨打印法和真空蒸镀法三种制备工艺,探究半导体薄膜载流子迁移率与结晶形貌的关系,发现不同工艺下有机小分子呈现出不同的生长行为和结晶情况,在很大程度上决定了OTFT器件性能的优劣;此外,通过XRD分析研究了退火处理对C8‐BTBT结晶的影响。结果表明,真空蒸镀制备的薄膜具有更高的结晶度、衬底覆盖率高,并且呈现出SK(Stranski‐Krastanov)模式的结晶生长特征,相应器件中陷阱密度最低,迁移率高达5.44 cm^2·V^-1·s^-1,开关比超过106;且退火处理会严重破坏C8‐BTBT薄膜的结晶。因此,控制半导体层的生长行为,提升半导体层的覆盖率和结晶度是制备高性能共轭小分子OTFT器件的有效途径。 展开更多
关键词 2 苯并噻吩并[3 2‐b]苯并噻吩 结晶形貌 结晶度 迁移率 有机薄膜晶体管
下载PDF
简化DG OTFT结构对模拟精度的影响
16
作者 姚阳 王昭 钟传杰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期522-525,539,共5页
使用atlas软件模拟了两种器件结构的电学特性(阈值电压、开关电流比、亚阈值斜率等),其中一种是工艺制造的DG OTFT实际结构,另一种是模拟研究器件电学特性时常采用的DG OTFT简化结构。研究发现实际结构的输出电流会随着源漏电极厚度的... 使用atlas软件模拟了两种器件结构的电学特性(阈值电压、开关电流比、亚阈值斜率等),其中一种是工艺制造的DG OTFT实际结构,另一种是模拟研究器件电学特性时常采用的DG OTFT简化结构。研究发现实际结构的输出电流会随着源漏电极厚度的增加而加大,而模拟中常采用的简化结构由于忽略了电极位置对载流子注入面积及有源层内电势分布的影响,从而低估了实际器件的输出电流大小。 展开更多
关键词 双栅有机薄膜晶体管 器件模拟 电极
下载PDF
基于喷墨印刷的OTFT的制备与性能研究 被引量:2
17
作者 史永晶 唐正宁 《包装工程》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期84-86,共3页
介绍了喷墨印刷技术和OTFT的结构,通过建立几个模型,分别模拟了喷墨印刷过程中聚合物油墨的粘度和喷墨印刷过程中的瞬间油墨液滴的状态,以及印制成型后OTFT基本的性能。通过模型模拟来展示在用喷墨的方法来印制OTFT的过程中需要注意的问... 介绍了喷墨印刷技术和OTFT的结构,通过建立几个模型,分别模拟了喷墨印刷过程中聚合物油墨的粘度和喷墨印刷过程中的瞬间油墨液滴的状态,以及印制成型后OTFT基本的性能。通过模型模拟来展示在用喷墨的方法来印制OTFT的过程中需要注意的问题,并且作出了对印制好的OTFT的性能的测定指标。 展开更多
关键词 喷墨 有机薄膜晶体管 液滴
下载PDF
The fabrication and optimization of OTFT formaldehyde sensors based on Poly(3-hexythiophene)/ZnO composite films 被引量:3
18
作者 LI Xian JIANG YaDong +2 位作者 TAI HuiLing XIE GuangZhong DAN WenChao 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2013年第8期1877-1882,共6页
Formaldehyde(HCHO),a colorless and pungent-smelling gas,is confirmed be a huge threat to human health.The detection of formaldehyde is necessary and important.The Poly(3-hexythiophene)(P3HT)/ZnO organic-inorganic comp... Formaldehyde(HCHO),a colorless and pungent-smelling gas,is confirmed be a huge threat to human health.The detection of formaldehyde is necessary and important.The Poly(3-hexythiophene)(P3HT)/ZnO organic-inorganic composite thin film was fabricated and used as the sensitive layer of organic thin film transistors(OTFT) by spray-deposited method to detect HCHO at room temperature.The process parameters such as P3HT/ZnO weight ratios and airbrushed masses were optimized.The results showed that P3HT/ZnO OTFT exhibited good sensing response to HCHO.Airbrushed mass of 1ml was the optimal mass,and the 1:1 and 1:5 weight ratios of P3HT/ZnO exhibited better sensing properties compared with others.OTFT gas sensors based on P3HT/ZnO composite film provides a novel promising approach to the detection of HCHO. 展开更多
关键词 气体传感器 otft 薄膜制造 ZNO 甲醛 复合薄膜 优化 有机薄膜晶体管
原文传递
A novel method to analyze the contact resistance effect on OTFTs
19
作者 陈金伙 胡加兴 朱云龙 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2012年第12期37-41,共5页
This paper aims to obtain some "universal method and result" to quantitatively analyze the influence of contact resistance (CR) on OTFTs, which has not been reported up to now. This is partly achieved by means of ... This paper aims to obtain some "universal method and result" to quantitatively analyze the influence of contact resistance (CR) on OTFTs, which has not been reported up to now. This is partly achieved by means of the simulated method and the introduction of Rc/Rcho (the value of CR/on state channel resistance). To do this, the OTFT formula from the Brown model is extended, and the parameter (errors carrier mobility/z, saturation voltage Vosat, etc.) caused by Rc are analyzed in detail. Then, the Rc/Rcho test method is emphatically demonstrated, and some meaningful conclusions are drawn. Based on the conclusion, it is the first time that a "universal method" of estimating the errors caused by Rc has been put forward. Experimental results further prove that the method is correct. 展开更多
关键词 otft numerical study Ion/Ioft ohmic contact error analysis
原文传递
长春应用化学所OTFT器件研究取得突破
20
作者 章从福 《半导体信息》 2007年第2期20-21,共2页
关键词 器件研究 otft 光刻工艺 材料合成 有机半导体材料 显示器件 加工工艺 综合性能指标 开关电流 薄膜制备
原文传递
上一页 1 2 4 下一页 到第
使用帮助 返回顶部