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A novel method to analyze the contact resistance effect on OTFTs
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作者 陈金伙 胡加兴 朱云龙 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2012年第12期37-41,共5页
This paper aims to obtain some "universal method and result" to quantitatively analyze the influence of contact resistance (CR) on OTFTs, which has not been reported up to now. This is partly achieved by means of ... This paper aims to obtain some "universal method and result" to quantitatively analyze the influence of contact resistance (CR) on OTFTs, which has not been reported up to now. This is partly achieved by means of the simulated method and the introduction of Rc/Rcho (the value of CR/on state channel resistance). To do this, the OTFT formula from the Brown model is extended, and the parameter (errors carrier mobility/z, saturation voltage Vosat, etc.) caused by Rc are analyzed in detail. Then, the Rc/Rcho test method is emphatically demonstrated, and some meaningful conclusions are drawn. Based on the conclusion, it is the first time that a "universal method" of estimating the errors caused by Rc has been put forward. Experimental results further prove that the method is correct. 展开更多
关键词 OTFT numerical study Ion/Ioft ohmic contact error analysis
原文传递
多壁碳纳米管/α-六噻吩双层OTFT气体传感器的制备及特性分析 被引量:2
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作者 张波 太惠玲 +3 位作者 段成丽 谢光忠 蒋亚东 邬嫡波 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期41-44,50,共5页
以多壁碳纳米管(multi-walledcarbonnanotubes,MWCNTs)和α-六噻吩(α-sexithiophene,α-6T)双层膜作为有源层,二氧化硅(SiO2)为绝缘层,钛/金(Ti/Au)作为电极,制备了沟道宽长比为640的有机薄膜晶体管(organicthin-filmtransist... 以多壁碳纳米管(multi-walledcarbonnanotubes,MWCNTs)和α-六噻吩(α-sexithiophene,α-6T)双层膜作为有源层,二氧化硅(SiO2)为绝缘层,钛/金(Ti/Au)作为电极,制备了沟道宽长比为640的有机薄膜晶体管(organicthin-filmtransistors,OTFT)气体传感器.测试了该传感器对痕量二氧化氮(NO2)气体的实时响应特性,并分析了NO2 气体对OTFT传感器阈值电压、载流子迁移率等多参数的影响.研究结果表明,基于MWCNTs/α-6T 的OTFT器件有较好的电学特性,载流子迁移率为3.0×10-2cm2/V·s;OTFT传感器对NO2 气体具有较高的响应率,响应和恢复时间短,能检测(0.2~1)×10-6 的痕量NO2 气体,且具有良好的重复性;同时可以利用阈值电压和载流子迁移率等多参数来表征响应结果.形貌分析结果表明双层敏感膜的特殊形貌有利于提高器件的气敏性能. 展开更多
关键词 多壁碳纳米管 α-六噻吩 有机薄膜晶体管(OTFT) 气体传感器 NO2
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喷墨打印C8-BTBT薄膜中的衬底效应及其OTFT器件 被引量:4
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作者 王向华 顾勋 +2 位作者 张春雨 李博 吕申宸 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第8期522-527,538,共7页
以喷墨打印制备的共轭有机小分子2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)作为有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,分别采用紫外臭氧处理、旋涂聚(4-乙烯基苯酚)(PVP)薄膜、自组装苯乙基三氯硅烷(PETS)单分子层和苯基三氯硅烷(PTS)... 以喷墨打印制备的共轭有机小分子2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)作为有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,分别采用紫外臭氧处理、旋涂聚(4-乙烯基苯酚)(PVP)薄膜、自组装苯乙基三氯硅烷(PETS)单分子层和苯基三氯硅烷(PTS)单分子层四种衬底修饰方法,分析有机小分子薄膜生长过程中的衬底效应,及其对OTFT器件性能的影响。其中PVP或PETS修饰衬底具有疏水及低表面粗糙度的特性,在其上喷墨打印沉积的C8-BTBT单线条薄膜具有均匀性好、覆盖率高且有序堆积的结晶形貌,基于这种高质量薄膜制备的OTFT器件性能最优,饱和场效应迁移率达到1 cm2·V-1·s-1左右,开关比超过106。结果表明,对打印衬底进行疏水性处理及降低表面粗糙度是制备高性能共轭小分子OTFT器件的有效途径。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管(OTFT) 喷墨打印 2 苯并噻吩并[3 2-b]苯并噻吩(C8-BTBT) 衬底效应 迁移率
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2D organic semiconductors, the future of green nanotechnology 被引量:3
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作者 Guru Prakash Neupane Wendi Ma +3 位作者 Tanju Yildirim Yilin Tang Linglong Zhang Yuerui Lu 《Nano Materials Science》 CAS 2019年第4期246-259,共14页
The discovery of 2D organic semiconductors of atomically thin structures has attracted great attention due to their emerging optical, electronic, optoelectronic and mechatronic properties. Recent progress in such orga... The discovery of 2D organic semiconductors of atomically thin structures has attracted great attention due to their emerging optical, electronic, optoelectronic and mechatronic properties. Recent progress in such organic nanostructures has opened new opportunities for engineering material properties in many ways, such as, 0D/1D/2D nanoparticles hybridization, strain engineering, atomic doping etc. Moreover, 2D organic nanostructures exhibit a unique feature of bio–functionality and are highly sensitive to bio-analytes. Such peculiar behavior in 2D organics can be utilized to design highly-efficient bio-sensors. Also, a bio-molecular integrated electronic/optoelectronic device with enhanced performance can be attained. Furthermore, the bio-degradable, biocompatible, biometabolizable, non-toxic behaviour and natural origin of organic nanomaterials can address the current ecological concerns of increasing inorganic material based electronic waste. This review highlights the benefits of 2D organic semiconductors. Considering the importance of strategic techniques for growing thin 2D organic layers,this review summarizes progress towards this direction. The possible challenges for long-time stability and future research directions in 2D organic nano electronics/optoelectronics are also discussed. We believe that this review article provides immense research interests in organic 2D nanotechnology for exploiting green technologies in the future. 展开更多
关键词 2D organic semiconductor Green nanotechnology otfts OLEDS Photo-diodes Organic solar cell Optical wave guide
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OTFT开关比对有源层厚度、杂质浓度间制约关系的影响研究 被引量:1
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作者 陈金伙 李文剑 程树英 《贵州大学学报(自然科学版)》 2012年第4期71-76,共6页
本文从物理角度推导并分析Brown方程的本质,并将之用于OTFT开关比的分析。首次通过引入关键参数K(杂质层电流/感应层电流)对OTFT开关比进行了分析,获得OTFT中有源层厚度和杂质浓度潜在的、可被允许的上限值。在此前提下,重点分析了有源... 本文从物理角度推导并分析Brown方程的本质,并将之用于OTFT开关比的分析。首次通过引入关键参数K(杂质层电流/感应层电流)对OTFT开关比进行了分析,获得OTFT中有源层厚度和杂质浓度潜在的、可被允许的上限值。在此前提下,重点分析了有源层厚度、有效杂质浓度对OTFT开关比的影响。接着根据模拟分析的结果,提出一种有效且简易的判断OTFT是否逼近开关比极限的方法,并分别论证在逼近/远离开关比极限的情况下,降低NA和dS对开关比提升的有效性,及不同情况的OTFT应采取的优化措施。最后,文中给出了一定开关比约束下有效掺杂浓度/有源层厚度的临界关系曲线,它具有重要的实用意义,且进一步约束了OTFT中有源层厚度和有效杂质浓度的所允许的上限值。 展开更多
关键词 OTFT IV方程 开关比 杂质浓度上限 膜层厚度上限
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有机薄膜晶体管及其集成电路 被引量:2
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作者 廖燕平 王军 《现代显示》 2007年第8期7-14,共8页
首先介绍了有机薄膜晶体管的基本结构、工作原理以及近期的研究进展。其次阐述了有机集成电路的重要组成部分——有机双极型晶体管的构建、工作机制和相关的发展状况。最后就有机集成电路的构建、加工以及未来的发展前景作了相关的阐述。
关键词 OTFT 工作原理 集成电路
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基于有限元方法的有机薄膜晶体管性能分析
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作者 陈跃宁 李琳 +1 位作者 徐征 张成文 《沈阳师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2017年第2期129-132,共4页
有机薄膜晶体管(organic thin film transistor,OTFT)是一种以有机半导体材料作为有源层的晶体管,是有机电子学的重要研究内容之一。近年来,人们在实验的基础上得到了一些OTFT的基本特性。旨在从基本的物理模型和数学模型出发,通过有限... 有机薄膜晶体管(organic thin film transistor,OTFT)是一种以有机半导体材料作为有源层的晶体管,是有机电子学的重要研究内容之一。近年来,人们在实验的基础上得到了一些OTFT的基本特性。旨在从基本的物理模型和数学模型出发,通过有限元方法对顶栅底接触式的OTFT器件进行模拟,从而在理论上将OTFT器件的部分特性表征出来。经过模拟,可以看到OTFT器件的电位分布和载流子密度分布趋势与实验得到的特性基本一致,尤其是夹断现象的产生,与实际情况基本吻合。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管(OTFT) 有限元法 载流子密度 器件模拟
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双层复合有机栅绝缘膜漏电机理的研究
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作者 景亚霓 王乐 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期681-685,共5页
本文研究了利用旋涂法在硅衬底上制备的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和三氟乙烯-偏氟乙烯的共聚物(P(VDF-TrFE))双层复合绝缘膜的漏电机理,采用这种膜的MIS器件的单位面积电容为32 nF/cm2.电流-电压测试结果显示在不同的电压范围内其... 本文研究了利用旋涂法在硅衬底上制备的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和三氟乙烯-偏氟乙烯的共聚物(P(VDF-TrFE))双层复合绝缘膜的漏电机理,采用这种膜的MIS器件的单位面积电容为32 nF/cm2.电流-电压测试结果显示在不同的电压范围内其漏电曲线出现转折点,反映了这种膜在不同的电场下有不同的漏电机制.对实验结果拟合分析表明,在0~1 V电压范围内,其漏电主要是Poole-Frenkel机制控制;在1~25 V电压范围内,主要是以肖特基发射电流为主;而在35~40 V的电压范围内,绝缘膜漏电流是空间电荷限制电流. 展开更多
关键词 OTFT 双层栅绝缘膜 漏电机制
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有源层厚度对CuPc-OTFT器件性能的影响 被引量:2
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作者 袁剑峰 闫东航 许武 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第1期14-18,共5页
研究了不同厚度有源层的顶电极CuPc OTFT器件的电学特性。发现器件的性能与有源层厚度有依赖关系,其中,有源层厚度为20nm的器件性能最好。在有源层厚度大于20nm时,有源层厚度的增大不但分去一部分栅电压而且还增大了源、漏电极的接触电... 研究了不同厚度有源层的顶电极CuPc OTFT器件的电学特性。发现器件的性能与有源层厚度有依赖关系,其中,有源层厚度为20nm的器件性能最好。在有源层厚度大于20nm时,有源层厚度的增大不但分去一部分栅电压而且还增大了源、漏电极的接触电阻,从而不利于器件性能的提高。但当有源层厚度小于20nm以后器件的性能开始降低。我们认为当有源层厚度降低到一定程度时,有源层上表面的表面态会使有机材料的隙态浓度增加从而对沟道载流子迁移率产生不良影响以及使器件的阈值电压增大。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 有源层 OTFT 接触电阻 载流子迁移率 场效应迁移率
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OTFT或使“折叠电视”成现实
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作者 马伟 《科技中国》 2014年第4期51-51,共1页
可以看新闻和天气动态的汽车车窗、透叫可弯曲的手机、可以折叠的电视……这些高科技“幻想”或许很快将成为现实。
关键词 OTFT 电视 折叠 可弯曲 高科技 手机
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双层复合栅介质膜的制备及电学性能研究 被引量:1
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作者 王乐 张亚军 +1 位作者 祖帅 钟传杰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期820-822,827,共4页
介电常数分别为2.6的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)及介电常数为16的偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物(P(VDF-TrFE))两种不同的有机绝缘材料,通过溶液旋涂的方法在P型硅衬底上制备了不同结构的复合栅介质膜并测试了它们的高频C-V特性及漏电特性。实验... 介电常数分别为2.6的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)及介电常数为16的偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物(P(VDF-TrFE))两种不同的有机绝缘材料,通过溶液旋涂的方法在P型硅衬底上制备了不同结构的复合栅介质膜并测试了它们的高频C-V特性及漏电特性。实验结果表明Si-PMMA-P(VDF-TrFE)-Ag结构绝缘膜上单位面积电容达到了35nF/cm2,40V电压下漏电流随着扫描次数的增加逐渐由7.29×10-7 A/cm2降低至3.44×10-7 A/cm2。而Si-P(VDF-TrFE)-PM-MA-Ag结构栅介质膜测得的单位面积电容仅为15nF/cm2,在相同电压下的单位面积漏电流为1.93×10-8 A/cm2。在此基础上分析了电子陷阱以及电场强度对双层栅绝缘膜C-V、I-V特性的影响。 展开更多
关键词 OTFT 复合绝缘膜 电子陷阱 漏电机理
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新材料与平板显示技术
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作者 蒋庆全 《今日电子》 2005年第2期90-91,共2页
关键词 OTFT 平板显示技术 有机薄膜晶体管 有源矩阵 视频显示 硅晶体管 智能卡 存货 商品标价 新材料
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有机非挥发存储器件:浮栅结构有机薄膜晶体管
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作者 吴承龙 杨建红 +2 位作者 贾水英 蔡雪原 盛晓燕 《电子器件》 CAS 2011年第4期355-358,共4页
提出了一种浮栅结构的新型有机薄膜晶体管(FG-OTFT)器件,并阐述了这种器件的工作机理。该器件通过控制浮置栅上的电荷来控制FG-OTFT器件的阈值电压的大小,而器件不同的阈值电压便可用来存储"0"和"1"两个状态,故这... 提出了一种浮栅结构的新型有机薄膜晶体管(FG-OTFT)器件,并阐述了这种器件的工作机理。该器件通过控制浮置栅上的电荷来控制FG-OTFT器件的阈值电压的大小,而器件不同的阈值电压便可用来存储"0"和"1"两个状态,故这种器件可以被用作有机非挥发存储器。我们通过计算机数值模拟的方法对这种器件进行了研究。研究表明该存储器件表现出4V的记忆窗口和很好的存储特性。这种新型结构的有机存储器件可以广泛的用于信息存领域。 展开更多
关键词 存储器件 浮栅结构OTFT 数值模拟 记忆窗口 器件特性
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PMMA栅绝缘层表面形貌对并五苯OTFT性能的影响
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作者 李雪飞 王伟 +1 位作者 王帅 石晓东 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第9期554-558,580,共6页
影响有机薄膜晶体管(organic thin-film transistor,OTFT)器件性能的主要因素中,栅绝缘层表面形貌特性和薄膜厚度等有着非常关键的作用,会直接影响有源层材料的分子排列方式和整个器件的性能。以氧化铟锡(ITO)导电薄膜玻璃为衬底材料,... 影响有机薄膜晶体管(organic thin-film transistor,OTFT)器件性能的主要因素中,栅绝缘层表面形貌特性和薄膜厚度等有着非常关键的作用,会直接影响有源层材料的分子排列方式和整个器件的性能。以氧化铟锡(ITO)导电薄膜玻璃为衬底材料,采用溶液旋涂的工艺制备聚合物聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)有机绝缘层,采用真空蒸镀的方法制备并五苯有源层及源-漏银电极。通过对比不同退火条件下PMMA绝缘栅层表面形貌及粗糙度,制备适合有源层生长的绝缘层表面,得到较好的PMMA栅绝缘层/并五苯有源层界面接触。实验表明,PMMA栅绝缘层经退火后所制备的器件场效应迁移率提高到2.52×10-3 cm2/(V·s),阈值电压降低到-11.5 V,获得了性能较好的OTFT。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管(OTFT) 栅绝缘层 迁移率 聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 阈值电压
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溶剂蒸汽辅助制备超薄PVP栅介质膜及性能研究
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作者 冷华星 张玲珑 +1 位作者 滕支刚 钟传杰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第13期13140-13143,共4页
使用溶剂蒸汽辅助制备超薄PVP栅介质膜,得到了低漏电流密度(E=1 MV/cm时,为1.12×10-9A/cm2;E=2 MV/cm时,为5.42×10-9A/cm2)、膜厚为10 nm的超薄PVP栅介质膜,其单位面积栅电容达到了566 nF/cm2。此外,AFM测试表明溶剂蒸汽辅助... 使用溶剂蒸汽辅助制备超薄PVP栅介质膜,得到了低漏电流密度(E=1 MV/cm时,为1.12×10-9A/cm2;E=2 MV/cm时,为5.42×10-9A/cm2)、膜厚为10 nm的超薄PVP栅介质膜,其单位面积栅电容达到了566 nF/cm2。此外,AFM测试表明溶剂蒸汽辅助退火使薄膜表面粗糙度由0.36 nm降到了0.21 nm,空间电荷限制电流法(SCLC)的分析结果表明薄膜体内陷阱密度减少了26%。 展开更多
关键词 PVP OTFT 聚合物绝缘栅 溶液法 溶剂蒸汽辅助退火
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一种异靛蓝衍生半导体的合成、表征和OTFT应用 被引量:1
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作者 陈少云 瞿波 +2 位作者 刘小英 李文杰 卓东贤 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期602-608,共7页
以4-癸基十六烷基溴和6-溴二氢吲哚-2,3-二酮为原料,将4-癸基十六烷基侧链引入到(3E,7E)-3,7-双(2-氧代二氢吲哚-3-亚基)苯并[1,2-b:4,5-b']二呋喃-2,6(3H,7H)-二酮(IBDF)中合成了IBDF-26,再与(E)-1,2-双(三丁基甲锡烷基)乙烯通过St... 以4-癸基十六烷基溴和6-溴二氢吲哚-2,3-二酮为原料,将4-癸基十六烷基侧链引入到(3E,7E)-3,7-双(2-氧代二氢吲哚-3-亚基)苯并[1,2-b:4,5-b']二呋喃-2,6(3H,7H)-二酮(IBDF)中合成了IBDF-26,再与(E)-1,2-双(三丁基甲锡烷基)乙烯通过Stille偶合制备了基于异靛蓝衍生大稠环聚合物的半导体PIBDFV-26。采用TGA、DSC、UV、CV、XRD、AFM对PIBDFV-26的性能、结构、形貌进行了表征。结果表明,基于异靛蓝大稠环的半导体PIBDFV-26在三氯乙烯(TCE)中的溶解性良好,具有良好的热稳定性,HOMO/LUMO能级为–5.96eV/–4.62eV,光学帯隙为1.34eV。XRD结果表明,聚合物链沿边沿取向形成层状晶体结构,层间距为2.55×10^(–6) mm,π–π堆积距离为3.46×10^(–7) mm。AFM显示,退火处理的PIBDFV-26薄膜表面含有纳米级的晶状颗粒。对PIBDFV-26组装的有机薄膜晶体管(OTFT)器件进行了测试,结果显示OTFT器件表现出电子传输(negative,n)型沟道的电荷传输特性。150℃退火处理的聚合物薄膜的平均电子迁移率为0.13 cm^2/(V?s)。 展开更多
关键词 异靛蓝 给体-受体 半导体 OTFT 电子迁移率 功能材料
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异质诱导酞菁锌有机薄膜晶体管的蒸镀工艺
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作者 董金鹏 孙强 +4 位作者 李桂娟 苏和平 王璐 朱阳阳 王丽娟 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期700-707,共8页
通过调控对六联苯(p-6P)诱导层和酞菁锌(ZnPc)蒸镀工艺条件,研究了有机半导体小分子的结晶生长成膜与ZnPc有机薄膜晶体管(OTFT)器件电性能的关系。结果表明,p-6P在180~190℃较高的衬底生长温度和3~4 nm的生长厚度下能够形成更大的结晶... 通过调控对六联苯(p-6P)诱导层和酞菁锌(ZnPc)蒸镀工艺条件,研究了有机半导体小分子的结晶生长成膜与ZnPc有机薄膜晶体管(OTFT)器件电性能的关系。结果表明,p-6P在180~190℃较高的衬底生长温度和3~4 nm的生长厚度下能够形成更大的结晶畴以及对二氧化硅衬底表面更好的覆盖,有利于诱导ZnPc小分子的结晶生长,使晶畴的排列更加有序。同时通过X射线衍射分析晶体结构,结果表明p-6P衬底温度的升高会明显提高ZnPc薄膜的结晶性。电性能研究发现,ZnPc蒸镀厚度的增加会显著提高器件的饱和电流和迁移率,在异质诱导条件下,p-6P薄膜厚度为3 nm、ZnPc蒸镀厚度为20 nm时,器件的饱和电流为1.08×10^(-6) A,迁移率为1.66×10^(-2) cm ^(2)·V^(-1)·s^(-1)。 展开更多
关键词 p-6P 酞菁锌(ZnPc) 薄膜生长 有机薄膜晶体管(OTFT) 电性能
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OTFT将成为下一代平板显示核心技术 被引量:2
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作者 闫东航 《实用影音技术》 2008年第2期79-81,共3页
目前有机薄膜晶体管(OTFT)的综合性能已经达到商用非晶硅水平,其鲜明的低生产成本和高功能优点已显示出巨大的市场潜力和产业化价值。有机薄膜晶体管将很快成为新一代平板显示的核心技术。
关键词 平板显示 OTFT 技术 有机薄膜晶体管 综合性能 市场潜力 生产成本 非晶硅
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电视机进入薄膜时代
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作者 《今日科技》 2005年第1期38-38,共1页
近年来,有机薄膜晶体管(OTFT)发展非常迅速,它与无机TFT相比有两个突出的优点:一是制作温度低,二是成本低.而且,还具有比硅晶体管更好的柔韧性.适合用于有源矩阵显示器、智能卡、商品价格及存货分类标签、大面积传感阵列等应用领域.将... 近年来,有机薄膜晶体管(OTFT)发展非常迅速,它与无机TFT相比有两个突出的优点:一是制作温度低,二是成本低.而且,还具有比硅晶体管更好的柔韧性.适合用于有源矩阵显示器、智能卡、商品价格及存货分类标签、大面积传感阵列等应用领域.将来有一天,采用有机薄膜晶体管技术,可以像折叠报纸一样将显示器放进背包,随时取出打开收看电视节目,电视甚至可以变成一张巨大的薄膜,任意粘贴在墙壁上,这不仅将改变我们的生活,而且会给薄膜电视机的从业人员带来巨大的财富. 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 电视机 OTFT 有源矩阵显示器 硅晶体管 节目 智能卡 取出 巨大 合用
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OTFT将成为下一代平板显示核心技术
20
作者 王瑞 《信息记录材料》 2007年第6期11-11,共1页
目前,有机薄膜晶体管(OTFT,organic thin film transistor)的综合性能已经达到商用非晶硅水平,其较低的生产成本和高功能优点已显示出巨大的市场潜力和产业化价值。有机薄膜晶体管将很快成为新一代平板显示的核心技术。
关键词 平板显示 OTFT 技术 有机薄膜晶体管 综合性能 市场潜力 生产成本 非晶硅
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