高迁移率二维半导体Bi_(2)O_(2)Se的化学气相沉积生长:可控生长及材料质量

高迁移率二维半导体材料具有独特的性质,可在原子级厚度下维持晶体管的尺寸微缩,抑制短沟道效应,被认为是“后摩尔时代”晶体管沟道的候选材料。作为二维半导体中的一员,环境稳定、带隙合适的Bi_(2)O_(2)Se备受关注。与其他二维材料不同的是,Bi_(2)O_(2)Se可以通过逐层氧化成高介电常数的氧化物介电层,同时保持原子级平整的界面,这可与半导体产业界中的Si/SiO2相比拟。上述特性使Bi_(2)O_(2)Se成为构筑高性能电子、光电子器件的理想材料平台。为了实现二维Bi_(2)O_(2)Se的广泛应用,开发大面积、高质量、低成本的制备方法至关重要。在这篇综述中,我们总结了通过化学气相沉积方法控制二维Bi_(2)O_(2)Se生长的最新进展。我们首先介绍了Bi_(2)O_(2)Se的晶体结构和性质,而后,我们重点关注二维Bi_(2)O_(2)Se的形貌控制与规则阵列构筑,其中形貌控制包括成核模式的控制与维度控制。此外,我们探讨了通过控制缺陷和释放应力以提高Bi_(2)O_(2)Se电学质量的方法。最后,为满足先进电子应用的需求,我们提出了精确控制Bi_(2)O_(2)Se结构和质量的策略。

微过充下三元镍钴铝锂离子电池的老化机理

电芯的不一致性及电量不均衡,会导致部分锂离子电池单体出现微过充现象,但此情况对于电池容量的影响未被完全揭示。在不同最高截止电压(4.2 V、4.3 V和4.4 V)下对三元镍钴铝(Li_(x)Ni_(0.80)Co_(0.15)Al_(0.05)O_(2))电池进行恒流充电循环老化实验,采用差分电压分析、电化学阻抗谱(EIS)等测试方法,探究高截止电压循环对电池老化的影响。随着最高截止电压的升高,电池老化速度加快,以2.5 A电流循环280次后,4.2 V、4.3 V、4.4 V下的容量保持率分别为90.30%、88.19%和86.19%。差分电压分析表明,容量衰减加速的原因是正极活性物质损失和活性Li+损失。EIS测试表明,微过充导致固体电解质相界面(SEI)膜阻抗略微升高,电荷转移阻抗升高,且程度随截止电压的升高而增大。

AAL2话音分组的最优长度

根据分组话音业务的特点 ,结合分组话音业务服务质量要求 ,研究带比特丢弃的第 2类ATM适配层 (AAL2 )分组话音系统中 ,AAL2分组长度的确定方法 .通过理论研究与计算机仿真得出 ,对于带比特丢弃的AAL2分组话音系统 ,当话音采用 32kb/s的G 72 7E ADPCM编码时 ,AAL2分组最优长度可定为 2 3或 2 7个字节 .此时AAL2分组的额外开销小 ,所得的话音质量高 .

三重四级杆-电感耦合等离子体质谱法测定高纯三氧化二铈中14种稀土元素

在高纯稀土分析中,通常利用C272微型柱分离或TODGA分离基体富集待测元素,但此方法效率低、操作难度大,容易引入外部杂质和洗脱不完全导致结果出现偏差。本文建立了三重四级杆电感耦合等离子体质谱(ICP-MS/MS)对高纯三氧化二铈(Ce_(2)O_(3))中杂质稀土元素测试方法,利用碰撞模式测定稀土氧化铈中的Y、La、Nd、Sm、Eu、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu,质量转移模式测定氧化铈中的Pr、Gd、Tb。测试采用0.1%基体进样,在MS/MS模式下,以笑气(N2O)为反应气,通过O原子和N原子的质量转移反应,可以有效克服高基体对待测元素带来质谱干扰,实现高纯Ce_(2)O_(3)中14种杂质稀土元素准确测定。试验结果表明,在优化试验条件下,14种元素的检出限为0.001~0.020 mg/kg,加标回收率在81.2%~105.3%之间。该方法仅使用N2O一种反应气,且无需基体分离,可以快速、准确测定高纯稀土氧化物中杂质元素,为高纯稀土杂质元素分析提供思路。

AAL2分组话音复接器的研究与实现

该文研究在ATM虚通路带宽利用率一定的条件下,AAL2分组话音复接器性能随ATM虚通路输出速率的增加而变化的情况。得出结论:当ATM虚通路带宽利用率一定时,ATM虚通路输出速率越高,AAL2分组话音复接器的分组丢弃概率和平均分组排队时延越小。并提出了一种AAL2分组话音复接器的实现方案。该方案可以随着ATM虚通路输出速率的增加,方便地复接多个E1话音电路上的话音数据。

三重四极杆电感耦合等离子体串联质谱法测定铁镍基高温合金中15种杂质元素含量

高温合金中的痕量杂质元素会对高温合金的性能产生一定影响,因此高温合金中杂质含量的严格控制和准确测定尤为重要。该文基于三重四极杆电感耦合等离子体串联质谱(ICP-MS/MS)直接测定了铁镍基高温合金中的15种杂质元素。采用硝酸、盐酸、氢氟酸混合酸消解样品,定容后直接上机测试,无需萃取和分离,大大提高了前处理分析效率。在氦气碰撞模式下,实现了高纯铁镍基高温合金中干扰较小的杂质元素的测试分析。由于Mo含量较高的高温合金样品中,^(95)Mo^(16)O^(+)会对^(111)Cd的测定造成强烈质谱干扰,导致单四极杆质谱仪测试受限。基于此,该文利用ICP-MS/MS优越的反应池技术,在O_(2)原位质量模式下,通过设置一级质量过滤器(Q1)的质荷比(m/z)为111,并向碰撞反应池中加入O_(2),使^(95)Mo^(16)O^(+)与O_(2)反应生成^(95)Mo^(16)O^(16)O^(+),再设置二级质量过滤器(Q2)的m/z也为111,使^(111)Cd被通过和检测,从而避免了质谱重叠干扰,实现了Cd含量的稳定测试。该研究以铁镍基高温合金标准物质(GBW01620)为样本进行验证,结果表明,各元素的线性相关系数均大于0.999,方法检出限为0.001~1.24 mg/kg,相对标准偏差不大于3.5%,15种元素的测试值均在认定值的不确定度范围内。该方法为高纯合金样品的准确测试分析提供了思路和借鉴。

电感耦合等离子体串联质谱测定植物样品中砷含量的去干扰方法研究

植物样品中砷(As)的快速及准确测定对于农产品安全与质量控制意义重大。然而,受样品中存在的钙(Ca)、钾(K)等大量元素导致的多原子离子干扰以及稀土元素钕(Nd)、钐(Sm)所导致的双电荷离子干扰影响,实际植物样品中痕量As的测定具有一定挑战性。本文应用电感耦合等离子体串联质谱(ICP-MS/MS),在4种模式下(无气体模式、He碰撞模式、H_(2)原位反应模式、O_(2)质量转移模式),研究不同浓度的Ca、K和稀土元素对As测定的影响,对比不同模式的干扰消除效果。结果表明,4种模式消除多原子离子干扰的有效性由高到低为O_(2)质量转移模式>He碰撞模式>H_(2)原位反应模式>无气体模式,消除双电荷离子干扰的有效性由高到低为O_(2)质量转移模式>无气体模式>He碰撞模式>H_(2)原位反应模式。采用ICP-MS/MS在O_(2)质量转移模式下可无干扰地测定As,该方法线性良好,准确度高,检出限为0.0002 mg/kg,用于测定国家标准物质黄豆(GBW10013)、圆白菜(GBW10014)、柑橘叶(GBW10020)、蒜粉(GBW10022)和湖南大米(GBW10045a)的相对标准偏差分别为1.3%、2.3%、0.7%、2.3%和1.0%,适用于植物样品中As的快速准确测定。

基于氧反应模式的ICP-MS/MS高灵敏测定食品中痕量镍

提出了电感耦合等离子体串联质谱(ICP-MS/MS)法测定食品中痕量Ni的策略。食品样品经微波消解后采用ICP-MS/MS分析。在MS/MS模式下,分别采用O_(2)和NH_(3)/He为反应气体,利用Ni^(+)与反应气发生质量转移反应消除质谱干扰。虽然在2种反应模式下均能将质谱干扰消除至接近背景水平,但研究表明,采用O_(2)为反应气,将Ni^(+)转化为NiO^(+)进行测定获得的灵敏度更高,检出限(LOD)更低。通过理论计算与实验验证揭示了Ni^(+)与O_(2)的质量转移反应机制。在优化条件下,Ni的LOD低至11.5 ng/L。通过分析标准参考物质,并与采用国标GB 5009.138-2017法结果进行对比分析,评价方法的准确性。结果显示,在95%的置信度水平,本方法结果与国标法无显著性差异,相对标准偏差(RSD)为2.8%~4.7%,2种方法的测定值与标准参考物质的认证值基本一致。