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Undistorted Cyclic Voltammograms at Scan Rates up to 2.5 MVs^(-1) through Positive Feedback Compensation of Ohmic Drop
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作者 郭智勇 林祥钦 邓兆祥 《Chinese Journal of Chemistry》 SCIE CAS CSCD 2004年第9期913-919,共7页
A circuit based on the current feedback operational amplifier was constructed to accomplish on-line ohmic drop compensation in ultrafast cyclic voltammetry. Firstly, its characteristics were confirmed experimentally o... A circuit based on the current feedback operational amplifier was constructed to accomplish on-line ohmic drop compensation in ultrafast cyclic voltammetry. Firstly, its characteristics were confirmed experimentally on dummy cells. Then the reduction of anthracene in acetonitrile, a classical test example with very fast electron-transfer kinet-ics, was examined to prove them too. The results showed that this circuit could afford excellent ohmic drop com-pensation so that the undistorted voltammograms up to 2.2 MVs-1 scan rate can be recorded, and 2.5 MVs-1 if 5% error is tolerated. 展开更多
关键词 ultrafast cyclic voltammetry megavolt per second scan rate ULTRAMICROELECTRODE instrument ohmic drop compensation
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Determination of ohmic/voltage drop and factors influencing anodic overvoltage of carbon anodes in Na_3AlF_6-Al_2O_3 based melts
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作者 李庆余 李劼 +1 位作者 田忠良 张刚 《中国有色金属学会会刊:英文版》 EI CSCD 2003年第3期699-703,共5页
Experimental technique has been inadequate to anodic overvoltage measurements in aluminum electrolysis. To determine its ohmic/voltage drop precisely, a current interruption technique was modified with a high frequenc... Experimental technique has been inadequate to anodic overvoltage measurements in aluminum electrolysis. To determine its ohmic/voltage drop precisely, a current interruption technique was modified with a high frequency digital oscilloscope, current interrupters with fast switching time, an improved cell configuration and a simulation applied to the oscillating potential decay curve. The results show that the technique can give good reproducibility for overvoltage studies. A substantial increase of anodic overvoltage is observed with graphite powder addition, metallic aluminum addition and CO bubbling in the melts. 展开更多
关键词 炼铝 碳阳极 电解 阳极过电压 Na3AlF6-Al2O3 滴定分析 一氧化碳
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Co_3O_4对RuO_2-TiO_2(60)/Ti阳极析氯活性和欧姆降的影响 被引量:5
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作者 王明贤 姚立广 +2 位作者 梁洁 朱恩庆 李志强 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 1993年第3期30-35,共6页
用稳态恒电流法和断电流技术研究了Co_3O_4对RuO_2-TiO_2(60)/Ti阳极析氯催化活性和欧姆降的影响。适量Co_3O_4可以大大提高RuO_2-TiO_2(60)/Ti阳极的析氯催化活性,明显减小涂层欧姆降。RuO_2(40)-TiO_2(60)/Ti阳极涂层中近65%的RuO_2... 用稳态恒电流法和断电流技术研究了Co_3O_4对RuO_2-TiO_2(60)/Ti阳极析氯催化活性和欧姆降的影响。适量Co_3O_4可以大大提高RuO_2-TiO_2(60)/Ti阳极的析氯催化活性,明显减小涂层欧姆降。RuO_2(40)-TiO_2(60)/Ti阳极涂层中近65%的RuO_2被Co_3O_4取代后,电极析氯速率不会下降。 展开更多
关键词 阳极 氧化钌 涂层 析氯活性
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半导体GaN功率开关器件的结构改进 被引量:1
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作者 杨媛媛 《电源学报》 CSCD 北大核心 2020年第4期186-192,共7页
因氮化镓GaN(gallium nitride)材料自身的物理性质优势,该材料更适用于高温且大功率电子器件的制作。但目前GaN材料制作的功率开关器件存在反向饱和漏电现象,业界一直以进一步发挥GaN性能为目的展开研究,GaN材料的全面实用化应用也面临... 因氮化镓GaN(gallium nitride)材料自身的物理性质优势,该材料更适用于高温且大功率电子器件的制作。但目前GaN材料制作的功率开关器件存在反向饱和漏电现象,业界一直以进一步发挥GaN性能为目的展开研究,GaN材料的全面实用化应用也面临着性能稳定性的挑战。为此,提出一种新的半导体GaN功率开关器件结构改进方法。由于集电极-发射极击穿电压和饱和压降是衡量器件可靠性的重要指标,因此采用绝缘栅混合阳极二极管取代平面肖特基势垒二极管,解决集电极-发射集击穿电压和饱和压降输出不合理的问题。改进结构后的器件阳极由肖特基栅极和欧姆阳极金属短接组成,阴极为欧姆金属;改进器件的制作主要采用隔离、钝化、凹槽刻蚀和介质淀积等工艺,更好地实现了功率开关和功率转换功能。经仿真结果的分析可知:改进结构后的功率开关器件能有效减少反向饱和漏电状况,且改进器件的温度与电压、比导通电阻成正比,高温性能良好。 展开更多
关键词 绝缘栅混合阳极二极管 GaN功率开关 欧姆金属 饱和压降
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具有欧姆压降自动补偿的电化学检测系统设计
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作者 陈庚 谢建军 +2 位作者 章政焕 张春风 邬杨波 《宁波大学学报(理工版)》 CAS 2019年第5期23-29,共7页
提出了一种具有欧姆压降自动补偿功能的基于快速伏安法的电化学检测系统.系统使用微控制器内建模数转换器结合外部电平调节电路产生快速扫描信号,用数字电位器实现溶液欧姆压降的正反馈补偿,通过测量输出信号频率判断是否实现欧姆压降... 提出了一种具有欧姆压降自动补偿功能的基于快速伏安法的电化学检测系统.系统使用微控制器内建模数转换器结合外部电平调节电路产生快速扫描信号,用数字电位器实现溶液欧姆压降的正反馈补偿,通过测量输出信号频率判断是否实现欧姆压降的完全补偿,然后通过调整数字电位器抽头位置调整补偿信号大小,从而实现检测系统溶液欧姆压降自动补偿功能.二茂铁(Fe(C5H5)2)溶液的实际测试结果表明,在不同溶液浓度和不同扫描速度情况下,系统能较好地实现溶液欧姆压降自动补偿,以及输出电流信号的自动检测功能. 展开更多
关键词 欧姆压降 自动补偿 快速伏安 电化学
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特高压晶闸管的焊接技术 被引量:1
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作者 高山城 王峰瀛 +1 位作者 白永恒 张刚琦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第10期782-786,共5页
详细分析了现有技术中半导体芯片与阳极钼片欧姆接触技术的优缺点,提出了一种全新的特高压晶闸管焊接技术。采用特殊的焊料,利用金属原子间微扩散键合的原理,将半导体芯片与钼片牢固地焊接在一起,形成良好的欧姆接触。采用欧姆接触技术... 详细分析了现有技术中半导体芯片与阳极钼片欧姆接触技术的优缺点,提出了一种全新的特高压晶闸管焊接技术。采用特殊的焊料,利用金属原子间微扩散键合的原理,将半导体芯片与钼片牢固地焊接在一起,形成良好的欧姆接触。采用欧姆接触技术制备了两种不同结构的样品,并对其进行电性能测试和可靠性试验。结果表明,与采用压接技术的样品相比,采用欧姆接触技术的样品在流过相同的电流(8 000 A)时,具有更小的通态压降(2. 423 V)和更小的热阻值(0. 004 66 K·cm^2/W),晶闸管性能和可靠性得到全面提高。采用此技术研制的6英寸(1英寸=2. 54 cm) 5 500 A/8 500 V特高压焊接技术晶闸管已成功应用于我国某特高压直流输电工程中。 展开更多
关键词 特高压晶闸管 欧姆接触 焊接技术 压接技术 通态压降
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Optical and electrical characteristics of GaN vertical light emitting diode with current block layer 被引量:2
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作者 郭恩卿 刘志强 +2 位作者 汪炼成 伊晓燕 王国宏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期47-50,共4页
A GaN vertical light emitting diode(LED)with a current block layer(CBL)was investigated.Vertical LEDs without a CBL,with a non-ohmic contact CBL and with a silicon dioxide CBL were fabricated.Optical and electrica... A GaN vertical light emitting diode(LED)with a current block layer(CBL)was investigated.Vertical LEDs without a CBL,with a non-ohmic contact CBL and with a silicon dioxide CBL were fabricated.Optical and electrical tests were carried out.The results show that the light output power of vertical LEDs with a non-ohmic contact CBL and with a silicon dioxide CBL are 40.6%and 60.7%higher than that of vertical LEDs without a CBL at 350 mA,respectively.The efficiencies of vertical LEDs without a CBL,with a non-ohmic contact CBL and with a silicon dioxide CBL drop to 72%,78%and 85.5%of their maximum efficiency at 350 mA,respectively. Moreover,vertical LEDs with a non-ohmic contact CBL have relatively superior anti-electrostatic ability. 展开更多
关键词 current block layer efficiency drop vertical LED non-ohmic contact
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