碳掺杂硼氮纳米管导电性的理论研究

根据 DFT/ B3 LYP的计算结果 ,从能带、态密度和电子结构的变化 ,讨论了以 C_ C键替换 B_ N键的二碳和四碳掺杂的硼氮纳米管的导电性 .结果表明 ,替换后硼氮纳米管的导电性能增强 。

一碳掺杂硼氮纳米管的电子结构和电学性质

用密度泛函理论的DFT/ROB3LYP方法计算了几种一碳掺杂 (碳取代一个硼原子或氮原子 )的硼氮纳米管的电子结构 ,研究了其导电性 ,得到了这种碳掺杂硼氮纳米管的能带结构和态密度曲线 ,并与纯硼氮纳米管作了比较 ,讨论了碳掺杂对硼氮纳米管导电性的影响 .

碳掺杂闭口硼氮纳米管场发射第一性原理研究

运用第一性原理研究了闭口硼氮纳米管(BNNT)顶层掺碳体系(C@BNNT)的电子场发射性能.结果表明:随外电场增强,C@BNNT电子结构变化显著,态密度(DOS)向低能方向移动;碳原子的局域态密度(LDOS)在费米能级附近明显增大;赝能隙、最高占据分子轨道(HOMO)/最低未占据分子轨道(LUMO)能隙减小;体系电荷移向帽端.DOS,HOMO/LUMO及Mulliken电荷分析一致表明,与BNNT相比,C@BNNT电子场发射性能显著改善,且C@BNmoreNT性能更优.