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Rail-to-rail op-amp with constant transconductance,SR and gain
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作者 常昌远 李弦 +1 位作者 姚建楠 李娟 《Journal of Southeast University(English Edition)》 EI CAS 2008年第2期163-167,共5页
A novel general-purpose low-voltage rail-to-rail CMOS ( complementary metal-oxide-semiconductor transistor ) operational amplifier (op-amp)is introduced, which obtains constant transconductance, slew rate and cons... A novel general-purpose low-voltage rail-to-rail CMOS ( complementary metal-oxide-semiconductor transistor ) operational amplifier (op-amp)is introduced, which obtains constant transconductance, slew rate and constant high gain over the entire input common mode voltage range. The proposed scheme has the potential for applications in deep submicrometer technology, as the operation of the circuit does not exclusively rely on the square-law or the linear-law of transistors. The scheme is compact and suitable for applications as VLSI cell. The rail-to- rail op-amp has been implemented in DPDM 0. 6 μm mixedsignal process. The simulations show that in the entire range of input common mode voltage, the variations in transconductance, SR and gain are 1%, 2. 3%, 1.36 dB, respectively. Based on this, the layout and tape-out are carded out. The area of layout is 0. 072 mm^2. The test results are basically consistent with the circuit simulation. 展开更多
关键词 CMOS analog circuit op-amp RAIL-TO-RAIL constant transconductance constant slew rate constant gain
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完备完全树及其在Op-Amp电路分析中的应用
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作者 房大中 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 1993年第6期136-139,共4页
介绍一种分析Op-Amp电路的拓扑公式和算法。与Mayeda算法相比,本算法不需要处理双图;也克服了完全树符号确定的困难。举例说明了该算法在电路分析中的应用。
关键词 完备完全树 运算放大器 op-amp电路
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单OP-AMP二阶低通巴特沃斯滤波器的参数选择 被引量:1
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作者 郑长义 董春利 《松辽学刊(自然科学版)》 1998年第3期75-76,共2页
从减少同一种参数的数值类别出发选择阻容元件的参数
关键词 op-amp 低通波波器 参数选择 滤波器 低通滤波器
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Two Simple Analog Multiplier Based Linear VCOs Using a Single Current Feedback Op-Amp
4
作者 Data Ram Bhaskar Raj Senani +1 位作者 Abdhesh Kumar Singh Shanti Swarup Gupta 《Circuits and Systems》 2010年第1期1-4,共4页
Two simple voltage-controlled-oscillators (VCO) with linear tuning laws employing only a single current feedback operational amplifier (CFOA) in conjunction with two analog multipliers (AM) have been highlighted. The ... Two simple voltage-controlled-oscillators (VCO) with linear tuning laws employing only a single current feedback operational amplifier (CFOA) in conjunction with two analog multipliers (AM) have been highlighted. The workability of the presented VCOs has been demonstrated by experimental results based upon AD844 type CFOAs and AD534 type AMs. 展开更多
关键词 Voltage-Controlled Oscillators Current FEEDBACK op-amps CURRENT-MODE CIRCUITS ANALOG MULTIPLIERS
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一种高PSRR低温漂无运放带隙基准
5
作者 王凯 张方晖 +2 位作者 杨旭 王义晨 李梓腾 《现代电子技术》 北大核心 2024年第23期171-175,共5页
针对无运放带隙基准电压源温度特性及电源抑制比差的问题,设计一种高电源抑制比、低温漂的无运放带隙基准电路。该电路通过电流镜进行钳位,避免运算放大器失调电压对输出基准的影响,利用晶体管栅极与三极管基极生成稳定的补偿电流,以降... 针对无运放带隙基准电压源温度特性及电源抑制比差的问题,设计一种高电源抑制比、低温漂的无运放带隙基准电路。该电路通过电流镜进行钳位,避免运算放大器失调电压对输出基准的影响,利用晶体管栅极与三极管基极生成稳定的补偿电流,以降低基准电压的高阶温度系数,输出端采用共源共栅结构提高电源抑制比。基于SMIC 0.18μm BCD工艺在Cadence环境下对电路进行仿真,仿真结果表明:在-40~125℃范围内,电路的温度系数为3.187×10^(-6)/℃,10 Hz时电源抑制比为-88.6 dB,1 MHz时电源抑制比为-50.2 dB。在考虑启动电路影响的情况下,电路在5 V电源下的静态电流为3.78μA,带隙基准的版图面积为160μm×183μm。可实现对基准电压高阶温度项的补偿,降低温度系数,并在没有滤波电容的条件下提高带隙基准的PSRR。 展开更多
关键词 带隙基准 无运放 电源抑制比 温度系数 补偿电流 启动电路
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一种带曲率补偿的低功耗带隙基准设计
6
作者 张祖静 冯全源 刘恒毓 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第1期54-59,共6页
为了改善传统带隙基准中运放输入失调影响电压精度和无运放带隙基准电源抑制差的问题,设计了一款基于0.35μm BCD工艺的自偏置无运放带隙基准电路。提出的带隙基准源区别于传统运放箝位,通过负反馈网络输出稳定的基准电压,使其不再受运... 为了改善传统带隙基准中运放输入失调影响电压精度和无运放带隙基准电源抑制差的问题,设计了一款基于0.35μm BCD工艺的自偏置无运放带隙基准电路。提出的带隙基准源区别于传统运放箝位,通过负反馈网络输出稳定的基准电压,使其不再受运算放大器输入失调电压的影响;在负反馈环路与共源共栅电流镜的共同作用下,增强了输出基准的抗干扰能力,使得电源抑制能力得到了保证;同时采用指数曲率补偿技术,使得所设计的带隙基准源在宽电压范围内有良好的温度特性;且采用自偏置的方式,降低了静态电流。仿真结果表明,在5 V电源电压下,输出带隙基准电压为1.271 V,在-40~150℃工作温度范围内,温度系数为5.46×10^(-6)/℃,电源抑制比为-87 dB@DC,静态电流仅为2.3μA。该设计尤其适用于低功耗电源管理芯片。 展开更多
关键词 带隙基准 无运放 自偏置 指数曲率补偿 负反馈 温度系数 电源抑制 低功耗
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基于AZFA技术的高精度低功耗Σ-Δ调制器
7
作者 李耀东 谷硕 +3 位作者 杨吉城 汪家奇 申人升 常玉春 《微处理机》 2024年第2期1-7,共7页
为满足高精度Σ-Δ调制器在实际应用中对于低功耗日益严格的要求,提出一种基于自稳零和双通道动态运放结合的AZFA技术的离散型Σ-Δ调制器。设计采用局部前馈、全局反馈的全差分二阶单bit量化结构,具有低功耗、低失调、低噪声、稳定性... 为满足高精度Σ-Δ调制器在实际应用中对于低功耗日益严格的要求,提出一种基于自稳零和双通道动态运放结合的AZFA技术的离散型Σ-Δ调制器。设计采用局部前馈、全局反馈的全差分二阶单bit量化结构,具有低功耗、低失调、低噪声、稳定性好的优点。整体电路采用SMICBCD 0.18μm工艺,工作电压为5 V。仿真结果表明,在过采样率(OSR)为512、采样时钟频率为163 kHz条件下,其信噪比、有效位数、整体功耗等相关指标均有优秀表现,适用于低速高精度低功耗系统的应用场景。 展开更多
关键词 Σ-Δ调制器 自稳零 双通道动态运放 AZFA技术
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一种级间运放共享的MASH结构Σ-Δ调制器
8
作者 彭蠡霄 汪东 +2 位作者 李振涛 邓欢 龙睿 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第1期38-44,共7页
基于55 nm CMOS工艺,设计了一种级间运放共享的级联噪声整形(MASH)结构Σ-Δ调制器。采用2-2 MASH结构对调制器参数进行了设计。对经典结构的开关电容积分器进行了改进,并应用到调制器电路的设计中,实现了两级调制器之间的运放共享,在... 基于55 nm CMOS工艺,设计了一种级间运放共享的级联噪声整形(MASH)结构Σ-Δ调制器。采用2-2 MASH结构对调制器参数进行了设计。对经典结构的开关电容积分器进行了改进,并应用到调制器电路的设计中,实现了两级调制器之间的运放共享,在达到高精度的同时减少了运放的数量,显著降低了MASH结构调制器的功耗。仿真结果表明,在3.3 V电源电压下,调制器信噪失真比为111.7 dB,无杂散动态范围为113.6 dB,整体功耗为16.84 mW。 展开更多
关键词 Σ-Δ调制器 级间运放共享 级联噪声整形 低功耗
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一种双运放指数型电压驱动器设计
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作者 张浩 李仑升 黄克英 《山西电子技术》 2024年第5期8-9,共2页
采用双运放设计了一种指数型电压驱动电路,该电路的特点是不论电路的初始状态如何,都可以随着时间推移以指数函数的形式收敛至目标电压数值,和单运放组成的跟随器电路相比,兼具运放跟随器的高驱动能力的同时,对于短时高频的噪声也具有... 采用双运放设计了一种指数型电压驱动电路,该电路的特点是不论电路的初始状态如何,都可以随着时间推移以指数函数的形式收敛至目标电压数值,和单运放组成的跟随器电路相比,兼具运放跟随器的高驱动能力的同时,对于短时高频的噪声也具有较好的抗噪性,可以作为电源电路或基准源电路的输出驱动使用。 展开更多
关键词 指数型 集成运放 电压跟随器
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一种高PSRR的无运放带隙基准电路 被引量:2
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作者 曹麒 罗萍 +3 位作者 刘凡 杨秉中 冯冠儒 杨健 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第2期227-232,共6页
设计了一种无运放带隙基准电路,该电路采用电压自调节技术来稳定输出基准电压,并实现该带隙基准电路在较宽频率范围内的高PSRR。该基准采用无运放结构,在降低电路复杂性的同时,避免了运算放大器的失调电压对输出基准的温度系数的影响。... 设计了一种无运放带隙基准电路,该电路采用电压自调节技术来稳定输出基准电压,并实现该带隙基准电路在较宽频率范围内的高PSRR。该基准采用无运放结构,在降低电路复杂性的同时,避免了运算放大器的失调电压对输出基准的温度系数的影响。基于0.18μm BCD工艺,在Cadence环境下仿真得到该电路在10 Hz时,PSRR为-94 dB,在1 MHz时,PSRR为-44 dB;在-40~125℃温度范围内,温度系数为4×10^(-6)/℃;包含启动电路在内,该电路静态电流约为14μA,片上面积约为0.016 mm^(2)。 展开更多
关键词 带隙基准 电源抑制比 无运放 电压自调节
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An Accelerated Simulation Method for ELDRS of Bipolar Operational Amplifiers Using a Dose-Rate Switching Experiment
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作者 陆妩 任迪远 +2 位作者 郑玉展 郭旗 余学峰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1286-1291,共6页
Through different dose-rate switching evaluation methods,the radiation-response rules of operational amplifiers are studied when the irradiation dose rate is switched from high to low under different radiation tempera... Through different dose-rate switching evaluation methods,the radiation-response rules of operational amplifiers are studied when the irradiation dose rate is switched from high to low under different radiation temperatures and total doses. The experimental results indicate that the response characteristics could be affected by the switching total doses, irradiation temperatures,and dose rates individually or together. Accelerated evaluation on the ELDRS can be realized by adopting a proper dose-rate switching method. Meanwhile, the irradiation time can also be reduced. Finally, the mechanisms of the difference between various radiation responses are analyzed. 展开更多
关键词 bipolar op-amps ^60Co γ radiation switching dose rates accelerated evaluation
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多通道高精度数据采集电路的设计与实践 被引量:25
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作者 郑永秋 史赟 +1 位作者 李圣昆 任勇峰 《电测与仪表》 北大核心 2011年第9期86-90,共5页
本文结合实际应用工程,给出了多通道高精度数据采集电路的硬件设计和控制时序的设计。将理论计算和实践相结合,详细介绍了信号采集电路的设计,采用模拟开关进行通道的切换,对运放的输出稳定性进行了分析和验证;采用FPGA作为逻辑控制器,... 本文结合实际应用工程,给出了多通道高精度数据采集电路的硬件设计和控制时序的设计。将理论计算和实践相结合,详细介绍了信号采集电路的设计,采用模拟开关进行通道的切换,对运放的输出稳定性进行了分析和验证;采用FPGA作为逻辑控制器,给出了程序设计流程和控制时序,并结合大量实验,给出了AD7667驱动运放的最优设计。测试表明,该整体设计实现了对72路模拟信号的高精度(0.1%)采集和编码,满足了工程实际需求,并已应用到实际环境中的参数采集。 展开更多
关键词 AD7667 数据采集 高精度 容性负载 运放
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PSD微位移测量系统的设计与验证 被引量:11
13
作者 汪涛 唐清清 +1 位作者 刘江 汪雨寒 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期472-476,共5页
以提高PSD输出微弱电流信号的稳定性和精度为目的,讨论了PSD驱动、运放电路的设计。主要考虑因素包括:两级精密运放选择,电源滤波模块设计,PCB设计中数模抗干扰,电源和地的处理,抗环境光干扰,PSD及其运放电路集成化,以及适应不同漫反射... 以提高PSD输出微弱电流信号的稳定性和精度为目的,讨论了PSD驱动、运放电路的设计。主要考虑因素包括:两级精密运放选择,电源滤波模块设计,PCB设计中数模抗干扰,电源和地的处理,抗环境光干扰,PSD及其运放电路集成化,以及适应不同漫反射性质的被测物体的多路放大倍数设计等。最后,区别于传统的测量方案,采用一种基于标定测量的方法。通过音叉振动波形和定点距离测量实验,验证了PSD微位移测量系统的稳定性和精度都较好,测量范围20 mm,位移测量相对精度达到1.01%。 展开更多
关键词 PSD 运放电路 标定测量 稳定性 精度
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双极器件和电路的不同剂量率的辐射效应研究 被引量:11
14
作者 任迪远 陆妩 +2 位作者 余学锋 郭旗 艾尔肯 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期471-476,共6页
对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究。结果表明:在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且NPN管比PNP管明显。双极运... 对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究。结果表明:在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且NPN管比PNP管明显。双极运算放大器的研究结果显示:不同电路间的辐照响应差异很大,对有些电路而言,剂量率越低,损伤越大。有些电路虽有不同剂量率的辐照损伤差异,但这种差异可通过室温退火得到消除,因而只是时间相关的效应。文中对引起双极器件辐照损伤差异的机理进行了探讨。 展开更多
关键词 双极晶体管 双极运算放大器 ^60Coγ辐照 剂量率效应
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CMOS运算放大器的辐照和退火行为 被引量:7
15
作者 任迪远 陆妩 +4 位作者 郭旗 余学锋 王明刚 胡浴红 赵文魁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期731-734,共4页
介绍了CMOS运算放大器电路经电离辐照后 ,在不同偏置及不同退火温度下 ,运放整体性能参数、电路内部单管特性及功能单元电路的节点电流、电压的变化规律 ,分析了引起运放辐照后继续损伤退化的基本原因 .结果显示 ,运放电路辐照后的退火... 介绍了CMOS运算放大器电路经电离辐照后 ,在不同偏置及不同退火温度下 ,运放整体性能参数、电路内部单管特性及功能单元电路的节点电流、电压的变化规律 ,分析了引起运放辐照后继续损伤退化的基本原因 .结果显示 ,运放电路辐照后的退火行为与偏置及温度均有较大的依赖关系 ,而这种关系与辐照感生的氧化物电荷和Si/SiO2 展开更多
关键词 CMOS运算放大器 电离辐射 退火
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瞬时电离辐射剂量率对BiMOS运放输出扰动时间的影响 被引量:7
16
作者 马强 林东生 +5 位作者 范如玉 陈伟 杨善潮 龚建成 王桂珍 齐超 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B09期545-549,共5页
对两种不同类型BiMOS运算放大器(JFET-Bi,PMOS-Bi)γ瞬时电离辐射效应进行研究。结果显示,BiMOS运放瞬时辐射扰动时间随剂量率变化呈现出一定的规律性,在剂量率较低情况下扰动时间随剂量率指数增长,剂量率较高时,扰动时间呈现出饱和特... 对两种不同类型BiMOS运算放大器(JFET-Bi,PMOS-Bi)γ瞬时电离辐射效应进行研究。结果显示,BiMOS运放瞬时辐射扰动时间随剂量率变化呈现出一定的规律性,在剂量率较低情况下扰动时间随剂量率指数增长,剂量率较高时,扰动时间呈现出饱和特性。另外,输入信号不同,输出扰动时间随剂量率的变化也会有差异。 展开更多
关键词 BIMOS 集成运算放大器 γ瞬时电离辐射 扰动时间 剂量率
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锂电池组单体电压检测系统设计 被引量:8
17
作者 崔张坤 梁英 +2 位作者 龙泽 董文 段玲玲 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期41-42,160,共3页
提出了一种基于"飞电容"技术测量串联锂离子电池组中单体电池电压的检测系统。该电路由MOSFET输出光电耦合器、差分运算放大器及AD采样电路组成。文中提供了15节串联电池组单体电池电压测量电路,高压开关采用的是AQS225R2S,... 提出了一种基于"飞电容"技术测量串联锂离子电池组中单体电池电压的检测系统。该电路由MOSFET输出光电耦合器、差分运算放大器及AD采样电路组成。文中提供了15节串联电池组单体电池电压测量电路,高压开关采用的是AQS225R2S,差分运算放大器采用的是OP4177,AD采样由MSP430F169完成。首先在multisim11.0软件基础上进行了仿真,然后给出了15节串联锂离子电池组单体电压测量电路的实验结果,并进行分析。实验结果表明,此种方法具有对锂离子电池组影响小、精度高及体积小等优点,并且可以为电池组的均衡和SOC估算提供基础,可以应用在电动汽车和锂电池储能系统等领域。 展开更多
关键词 电压检测 光电耦合器 差分运算放大器
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一种新型无运放CMOS带隙基准电路 被引量:13
18
作者 冯树 王永禄 张跃龙 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期336-339,共4页
介绍了带隙基准原理和常规的带隙基准电路,设计了一种新型无运放带隙基准电路。该电路利用MOS电流镜和负反馈箝位技术,避免了运放的使用,从而消除了运放带隙基准电路中运放的失调电压和电源抑制比等对基准源精度的影响。该新型电路比传... 介绍了带隙基准原理和常规的带隙基准电路,设计了一种新型无运放带隙基准电路。该电路利用MOS电流镜和负反馈箝位技术,避免了运放的使用,从而消除了运放带隙基准电路中运放的失调电压和电源抑制比等对基准源精度的影响。该新型电路比传统无运放带隙基准电路具有更高的精度和电源抑制比。基于0.18μm标准CMOS工艺,在Cadence Spectre环境下仿真。采用2.5V电源电压,在-40℃~125℃温度范围的温度系数为6.73×10-6/℃,电源抑制比为54.8dB,功耗仅有0.25mW。 展开更多
关键词 带隙基准电压源 无运放基准源 启动电路
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MEMS接触电容式高温压力传感器的温度效应 被引量:29
19
作者 郑志霞 冯勇建 《电子测量与仪器学报》 CSCD 2013年第12期1141-1147,共7页
介绍了一种基于SOI/硅片键合技术制作的接触电容式高温压力传感器结构,并对传感器的测试装置、测试方法进行详细的介绍后,对传感器进行压力测试和温度特性测试。压力测试结果表明,传感器线性工作区压力为110~280kPa,灵敏度约为0.... 介绍了一种基于SOI/硅片键合技术制作的接触电容式高温压力传感器结构,并对传感器的测试装置、测试方法进行详细的介绍后,对传感器进行压力测试和温度特性测试。压力测试结果表明,传感器线性工作区压力为110~280kPa,灵敏度约为0.14pF/kPa;温度特性测试结果表明,传感器具有正温度效应,在30~300%,传感器输出误差约为0.5%。文中还分析了热胀冷缩及介电常数温度系数对传感器温度效应的影响,以及设计了参考电容及运算放大器式传感器测量电路来消除温度效应。 展开更多
关键词 接触电容 传感器 压力测量 温度效应 运算放大器
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栅氧层厚度与CMOS运算放大器电离辐射效应的关系 被引量:3
20
作者 陆妩 任迪远 +3 位作者 郭旗 余学锋 郑毓峰 张军 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期227-230,共4页
介绍了在干氧和氢氧合成两种不同工艺和不同栅氧层厚度情况下,CMOS 运算放大器电路的电离辐照响应规律。并通过对其单管特性及内部单元电路辐照变化的分析比较,探讨了栅氧层厚度的变化与运放电路辐照损伤之间的相互依赖关系。结果显示,... 介绍了在干氧和氢氧合成两种不同工艺和不同栅氧层厚度情况下,CMOS 运算放大器电路的电离辐照响应规律。并通过对其单管特性及内部单元电路辐照变化的分析比较,探讨了栅氧层厚度的变化与运放电路辐照损伤之间的相互依赖关系。结果显示,适当地减薄栅氧层厚度,可相应地减少辐照感生氧化物电荷和界面态引起的跨导衰降,从而使 CMOS 运放电路的抗辐射特性得到明显的改善。 展开更多
关键词 CMOS运算放大器 跨导 栅氧层 氧化物电荷 界面态
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