Modeling operation amplifier based on VHDL-AMS for TID effect

A model of the operational amplifier based on VHDL-AMS is proposed. According to needs of simulating the total ionizing dose(TID) radiation effect, parameters of operational amplifier are taken into account when the performance is specified. The operational amplifier model used for the TID radiation effect simulation is completed after verifying each modeled parameter. And a parameter for describing the external environment is introduced to make the model combined with TID. Finally, an example is used to illustrate the TID effect on the operational amplifier of MC14573, proving the validity of the model.

线性集成电路的辐照响应和电离辐射损伤评估

利用用于电离辐射效应研究的运算放大器计算机测试系统以及测试分析和数据处理软件对十几种运算放大器进行了^(60)Coγ射线、1.5MeV电子的电离辐射损伤试验及其室温和加温退火特性研究。同时,探讨了运算放大器电离辐射损伤水平的评估方法和损伤机制。

CMOS运算放大器在不同辐射环境下的辐照响应

介绍了ＬＦ７６５０ＣＭＯＳ运算放大器在６０Ｃｏγ射线、１ＭｅＶ电子和４、７、３０ＭｅＶ不同能量质子辐照环境中的响应规律及６０Ｃｏγ射线和１ＭｅＶ电子辐照损伤在室温和１００℃高温条件下的退火特性，探讨了引起ＣＭＯＳ运放在不同辐射环境中辐照响应出现差异的损伤机理，并对ＣＭＯＳ运放电路在不同辐射环境中表现出的与ＣＭＯＳ数字电路不同的响应特征给予了解释。

CMOS 运算放大器的质子和 γ 辐照效应

ＣＭＯＳ运算放大器的质子和γ辐照效应陆妩任迪远郭旗余学锋严荣良（中国科学院新疆物理研究所，乌鲁木齐，８３００１１）本文主要研究了ＬＦ７６５０ＣＯＭＳ运放电路在４、７、３０ＭｅＶ质子及６０Ｃｏγ两种不同辐射环境中的响应特性及变化规律，并通过对实验结果的...

双极型运算放大器瞬时电离辐射效应实验研究

建立了运算放大器瞬时电离辐射效应在线测试系统,选取不同带宽、不同压摆率的3种双极型运算放大器,在西北核技术研究所的"强光一号"加速器上进行了实验。结果显示,在相同剂量率下,双极运算放大器的带宽越大、压摆率越高,其输出端口瞬时电离辐射恢复时间越短。分析表明,对于具有内补偿电容的双极运算放大器,其压摆率与补偿电容有关;补偿电容越小,压摆率越大,运算放大器输出端口瞬时电离辐射扰动的恢复时间越短。

JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究

本文对结型场效应管JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法进行了研究。结果表明,采用循环辐照—退火的方法可以使JFET输入运算放大器的辐射损伤增强,并且通过调整辐照剂量率、退火温度及时间等参数,可以评测出器件的低剂量率辐射损伤情况。文章还对这种辐射损伤方法的机理进行了分析。

双极运算放大器辐射损伤的时间相关性

通过一系列辐照实验对双极运放辐射损伤的时间相关性进行了研究.结果表明,双极运放的辐射损伤与时间有着密切的关系,通过调整辐照剂量率、退火温度及时间等参数进行循环辐照-退火实验,可以测评出器件的低剂量率辐射损伤情况,并从界面态角度对这种损伤机理进行了分析.

CMOS运算放大器电离辐照的后损伤效应

介绍了CMOS运算放大器经60Coγ辐照及辐照后在不同温度下随时间变化的实验结果,并通过对差分对单管特性和电路内部各单元电路损伤退化的分析,探讨了引起电路"后损伤"效应的原因。结果表明,由辐照感生的氧化物电荷和界面态的消长及差分对管的不匹配,是造成电路继续损伤劣化的根本原因。对于CMOS运算放大器电路,在抑制辐照感生的氧化物电荷和界面态增长的同时,改善电路间的对称性和匹配性,对提高电路的抗辐射能力是至关重要的。

运算放大器 X 和 γ 辐射损伤的比较

比较了运算放大器在Ｘ和γ辐射环境下性能的变化，并对Ｘ射线对运算放大器产生的剂量增强效应作了研究。实验测量Ｘ射线对几种典型运放的相对剂量增强系数（ＲＤＥＦ）的范围为３．４～１２．３。ＳｉＯ２／Ｓｉ界面产生的俘获空穴电荷和界面态是运算放大器在Ｘ和γ辐射环境下的主要失效模式。

CMOS运算放大器内部电路电离辐射损伤研究测试系统

为了从内部研究ＣＭＯＳ运算放大器的电离辐射损伤机理，用由计算机控制的运算放大器内部单元电路损伤试验测试系统测量运放电路整体性能参数在电离辐射环境中的变化，观察电路内部各功能单元电路和ＭＯＳＦＥＴ的辐照损伤特性；该系统能将不同功能单元电路的损伤对电路整体性能的影响进行测试。

典型电子系统总剂量效应行为级仿真

为了实现电子系统的总剂量效应行为级仿真,本文提出了一种基于VHDL-AMS语言的行为级建模思路。利用VHDL-AMS语言对子电路或器件(如运算放大器、比较器和模数转换器等)的总剂量效应进行抽象建模,并从不同维度对模型的准确性进行了试验验证。在此基础上,依据器件、电路、模块之间的相互连接关系,构建典型电子系统总剂量效应行为级仿真模型,实现了其总剂量效应仿真,并与试验结果能够较好地吻合。基于行为级仿真建模,能有效简化系统总剂量效应建模难度,实现系统辐射敏感位置定位和损伤规律的再现,具有很好的应用价值,对空间电子系统的抗辐射加固设计和抗辐射性能预估能够提供技术支持。