OptiMOS^(TM) 300V提高硬开关应用的效率,支持新型设计

英飞凌科技股份公司（FSE：IFX/OTCQX：IFNNY）推出OptiM OSTM 300 V,壮大中压MOSFET产品阵容,树立功率场效应管市场新标准。300 V OptiM OSTM的发布有助于英飞凌进一步巩固其在通信电源、不间断电源（UPS）、电机控制、工业电源、和DC/AC逆变器等领域的市场领导地位。新推出的OptiM OS 300 V有助于提高功率密度,降低系统成本,并提供更高的可靠性。而对于最终用户,这意味着节省能源成本。譬如,在AC/DC变换器的硬开关应用中,OptiM OS 300 V可以将电能损耗降低50%。

SuperSo8封装中的用于高效功率转换的OptiMOS2技术

英飞凌开发了一种新的MOSFET系列器件，将其业界领先的OptiMOS2 30V技术放在一个高级封装概念中实现。这种与SuperS08封装结合在一起的OptiMOS2技术专用于优化要求高效的应用设计的开关性能（例如：大功率密度的直流DC/DC转换器）。

猫科动物 韩泰OPTIMO H426静音轮胎

可曾想过车子以240km/h的速度仍可安静无声地行驶?类于猫科动物的敏捷与狡猾,人类也可享受这种宁静与速度的平衡结合!

英飞凌OptiMOS5 150V产品组合针对高能效设计和应用

英飞凌科技股份公司发布针对高能效设计和应用的Opti MOS5 150V产品组合。该产品家族进一步壮大了行业领先的最新一代Opti MOS5功率MOSFET的阵容。新的150V产品家族专门针对要求低电荷、高功率密度和高耐受性的高性能应用而优化。它是英飞凌面向低压马达驱动、通讯电源同步整流和DC/DC Brick同步整流,以及太阳能电源优化器等系统解决方案的重要组成部分之一。

英飞凌推出OptiMO 5 25V和30V产品家族可为稳压器解决方案提供最高功率密度

英飞凌科技股份公司2015年3月24日推出了OptiMOSTM5 25V和30V产品家族,它们是采用标准分立式封装的新一代功率MOSFET。同时,英飞凌还发布了名为Power Block的新型功率模组和集成式功率模组DrMOS 5×5。加上驱动器和数字控制器产品,英飞凌为服务器、电脑。

e络盟进一步扩充英飞凌CoolMOS^(TM)与OptiMOS^(TM)系列功率MOSFET,支持亚太区电子产品设计

e络盟日前宣布新增来自全球半导体和系统解决方案领先提供商英飞凌的CoolMOSTM与OptiMOSTM系列产品,进一步扩充其功率MOSFET产品组合。该系列产品可为开关电源（SMPS）应用提供优异性能,从而实现更高效率、更高功率密度及更好的易用性。e络盟亚太区产品与资产管理总监Marc Grange表示:"我们很高兴能够引进更多来自全球MOSFET功率晶体管领先厂商英飞凌的功率MOSFET。该系列领先产品可为功率转换系统设计提供具备更高速度及功率的解决方案。

宁静致远——韩泰OPTIMO H426静音轮胎

高速行驶时卓越低噪音表现 Optimo H426最大的特征就是即使在高速行驶时都能维持卓越的低噪音状态。通过计算机模拟，使胎面花纹块的组合最优化，从而分散了高速行驶时发生的噪音，强化了低噪音性能。并且，为了使行驶中发生的震动和噪音最小化，加强了胎肩部分的刚性，在主花纹沟边缘部采用了流线型处理，大幅度降低花纹沟边缘部引起的噪音。

英飞凌推出具最低通态电阻无铅封装MOSFET

英飞凌科技公司（FSE／NYSE：IFX）近日在中国国际电源展览会上宣布推出采用Super—S08和S308（ShrinkSuperS08）封装的40V、60V和80VOptiMOS3N沟道MOSFET．在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。

英飞凌高标准节能技术助全球降低能耗

高能效之道就是产品和解决方案要确保大幅降低电子设备和机器的能耗。英飞凌通过提供最新的IGBT、CoolMOS、OptiMOS和碳化硅（SiC）等产品,最多可将现行总能耗降低25%。英飞凌称,其节能效果甚至超过了国际能效标准。由于采用CoolMOS芯片,服务器主板所需的功率下降了30%。

新一代CoolMOS C6和第三代SiC二极管提高综合性能

英飞凌日前推出下一代MOSFET 600V CoolMOS C6系列，可以将PFC或PWM电源转换产品的电源效率大幅提升。全新C6技术融合了超结结构及包括超低单位面积导通电阻在内的补偿器件的优势，同时具有更低的电容开关损耗、更简单的开关特性控制特性和更结实耐用的增强型体二极管。