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中子直接非弹散射截面的耦合道计算 被引量:3
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作者 陈振鹏 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期372-375,共4页
用耦合道光学模型程序ECIS-79计算了Hg的6个同位素,以及 ̄(203)T1、 ̄(205)和 ̄(175)Lu的低能中子(E<20MeV)直接非弹散射截面。
关键词 耦合道 光学模型 中子 非弹散射截面
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