有机静电感应三极管(OSIT)静态工作特性的解析

在分析SIT器件电流-电压特性的理论基础上,对由有机半导体材料酞氰铜制作的有机SIT进行了静态特性的测试,通过对测试曲线进行数据拟合与解析,得出一系列OSIT在不同偏压条件下,电流-电压的表达式,数据解析结果表明,有机SIT器件的静态特性同无机SIT器件静态特性的理论分析基本相符。

酞菁铜有机静电感应三极管动作特性研究

介绍了由有机半导体材料酞菁铜制作的具有 Au/CuPc/Al/CuPc/Au 三明治结构的肖特基型栅极有机静电感应三极管。根据对该三极管测试,采用适当的数学工具,对其参数进行计算。通过 I - V 方程的拟合,对其动作特性进行了研究。通过对小信号等效电路模型的仿真计算,得出其截止频率,并提出了改善其动作特性的途径。

基于实验结果的有机静电感应三极管动态特性

根据采用有机半导体材料酞菁铜制作的有机静电感应三极管的测试结果,建立适当的动态小信号模型,对其动态特性进行仿真计算,得出器件的截止频率.通过对截止频率的分析,提出改善有机器件动态特性的方法.

单极型有机静电感应三极管沟道纵向电势分析

研究了单极型有机半导体酞菁铜静电感应三极管(OSIT)导电沟道内纵向电势分布． 依据电磁场理论,应用有限元法对其导电沟道内的电势分布进行了数值计算与解析．解析结果证 明,导电沟道内鞍部点附近纵向的一维电势分布满足二次方关系．