有机电双稳材料与器件的研究进展

由于有机分子材料和聚合物材料本身的各种优良性质,用其取代传统的无机半导体材料来修饰电信号具有非常广阔的研究前景。本文简要介绍了近年来有机电双稳材料与器件在电存储方面的研究进展,并讨论了有机电双稳器件(OEBD)目前存在的问题以及今后发展的方向。

一种具有极性记忆效应的热可擦有机电双稳薄膜

报道了一种新型有机材料AOSCN(3,9-双(10-(二氰基亚甲基)-9-亚甲蒽基)-2,4,8,10-四硫杂螺[5,5]十一烷),能与Cu形成具有电双稳特性的络合物,在6 V电压下,薄膜发生从高阻态到低阻态的转变,跃迁时间小于30 ns,驰豫时间小于1 us。若薄膜已发生高阻态到低阻态转变,高温热处理能使其恢复初始状态,这有望制成可擦写存储器。此外,在一定的工艺条件下,AOSCN与Cu和Al形成的金属-有机-金属(MOM)结,具有极性记忆效应。

一种新型的有机电双稳薄膜及其极性记忆效应

报道了一种新的高稳定的有机分子 (SCN)可以和铜构成具有电双稳态特性的金属有机络合物。由这种材料制成的薄膜 ,在室温 6V电压作用下可以从高阻态转变成低阻态 ,其跃迁时间小于 2 0ns ,并具有极佳的热稳定性。因此可望用于制作电子器件 ,如一次写入存储器 (WORM)等。进一步的研究还发现 ,在适当的工艺条件下 ,SCN能够与Cu和Al一起构成Cu SCN Al结 ,这种结具有极性记忆效应 。