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Ab initio/MBPT Studies of the Effective Exchange Integrals and Theoretical Models of Organic Ferromagnets
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作者 Li Jiabo (Department of Chemistry, Xiamen University, Xiamen) 《Chemical Research in Chinese Universities》 SCIE CAS CSCD 1991年第3期181-183,共3页
Nowadays the studies of organize ferromagnets have been becoming a very attractive area of material science in both theoretical and experimental aspects. A major theoretical problem on design of OFM is to estimate the... Nowadays the studies of organize ferromagnets have been becoming a very attractive area of material science in both theoretical and experimental aspects. A major theoretical problem on design of OFM is to estimate the effective exchange integrals(J) between radical sites. However, most of theoretical work was on hypothetical hydrocarbons, which were impracticable in the synthesis. The recent breakthrough in the synthesis of OFM turns the theorist’s attention to some more realistic models such as those 展开更多
关键词 organic ferromagnet(ofm) doping curie temperature
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稀磁半导体制备方法的研究进展 被引量:6
2
作者 侯志青 刘东州 那木拉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期294-299,共6页
稀磁半导体(DMS)是一种新型功能材料,其结合了半导体和磁性材料的电学和磁学性质,具有优异的磁、磁光和磁电等性能,在未来的光电器件、自旋电子器件和计算机等领域具有广阔的开发应用前景。简述了我国稀磁半导体的研究成果及进展,重点... 稀磁半导体(DMS)是一种新型功能材料,其结合了半导体和磁性材料的电学和磁学性质,具有优异的磁、磁光和磁电等性能,在未来的光电器件、自旋电子器件和计算机等领域具有广阔的开发应用前景。简述了我国稀磁半导体的研究成果及进展,重点讨论了稀磁半导体的制备合成方法,分析了各种制备方法的优缺点,包括分子束外延技术(MBE)、离子注入法、脉冲激光沉积(PLD)、助熔剂法、化学气相沉积(CVD)、溶胶-凝胶和水热法等。同时分析了目前稀磁半导体遇到的问题和困难,探讨了其解决方法,展望了稀磁半导体潜在的应用前景。 展开更多
关键词 稀磁半导体 制备方法 掺杂 居里温度 室温铁磁性
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Mn和Cr共掺杂对GaAs居里温度的影响 被引量:4
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作者 关玉琴 陈余 赵春旺 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第A01期94-96,共3页
定量分析Mn和Cr共掺杂时GaAs居里温度的特点,经过计算可得反铁磁性交换作用使得材料的居里温度降低,制备高居里温度的材料需要更高的掺杂浓度,增加了制备高居里温度材料的难度;而高的空穴浓度能有效地抑制反铁磁性交换作用对居里温度的... 定量分析Mn和Cr共掺杂时GaAs居里温度的特点,经过计算可得反铁磁性交换作用使得材料的居里温度降低,制备高居里温度的材料需要更高的掺杂浓度,增加了制备高居里温度材料的难度;而高的空穴浓度能有效地抑制反铁磁性交换作用对居里温度的影响。 展开更多
关键词 稀磁半导体材料 反铁磁性交换作用 居里温度 掺杂浓度 共掺杂
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稀磁半导体材料居里温度的极值点 被引量:3
4
作者 陈余 关玉琴 赵春旺 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期702-705,共4页
以Zener模型为基础,考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响,理论计算得到了居里温度关于掺杂浓度和反铁磁性交换作用的二元函数,对GaAs∶TM(Ga,TM)As(TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的居里温度做了详细分析得到:n型半导体居里温度... 以Zener模型为基础,考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响,理论计算得到了居里温度关于掺杂浓度和反铁磁性交换作用的二元函数,对GaAs∶TM(Ga,TM)As(TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的居里温度做了详细分析得到:n型半导体居里温度有一个极大值,而p型掺杂是单调的递增。 展开更多
关键词 稀磁半导体 居里温度 掺杂浓度 反铁磁性交换作用
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P型稀磁半导体材料的居里温度 被引量:2
5
作者 关玉琴 陈余 赵春旺 《粉末冶金材料科学与工程》 EI 2010年第5期521-524,共4页
稀磁半导体(DMS)材料日益受到科技界和工业界的关注。本文根据ZENER模型研究稀磁半导体材料的居里温度。计算结果证明:同种基质材料掺杂不同的金属元素,低价元素掺杂形成的DMS材料居里温度较高。在考虑反铁磁性交换作用时,低价元素掺杂... 稀磁半导体(DMS)材料日益受到科技界和工业界的关注。本文根据ZENER模型研究稀磁半导体材料的居里温度。计算结果证明:同种基质材料掺杂不同的金属元素,低价元素掺杂形成的DMS材料居里温度较高。在考虑反铁磁性交换作用时,低价元素掺杂形成的DMS材料的居里温度与高价元素掺杂形成的DMS材料的居里温度的差别,比不考虑反铁磁性交换作用时居里温度的差别更为明显,且差别随反铁磁性交换作用相对强度的增加而增加。该研究结果可为获得具有高居里温度的DMS材料提供参考。 展开更多
关键词 稀磁半导体 居里温度 掺杂浓度 反铁磁性交换作用
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反铁磁性交换作用对p、n型掺杂的GaAs居里温度的影响 被引量:1
6
作者 关玉琴 陈余 赵春旺 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第A02期250-252,共3页
居里温度与载流子浓度反铁磁性交换作用有着密切联系,定量分析反铁磁性交换作用对p型及n型GaAs材料的居里温度的影响,计算证明,反铁磁性交换作用对p型和n型掺杂的GaAs居里温度的影响有着本质的区别。p型半导体材料的居里温度仅仅与反铁... 居里温度与载流子浓度反铁磁性交换作用有着密切联系,定量分析反铁磁性交换作用对p型及n型GaAs材料的居里温度的影响,计算证明,反铁磁性交换作用对p型和n型掺杂的GaAs居里温度的影响有着本质的区别。p型半导体材料的居里温度仅仅与反铁磁性交换作用有关,而与掺杂浓度无关;对n型半导体居里温度与反铁磁性交换作用和掺杂浓度都有关,而且高掺杂浓度下居里温度比低掺杂浓度下居里温度低。 展开更多
关键词 稀磁半导体材料 反铁磁性交换作用 居里温度 p、n型掺杂 掺杂浓度
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反铁磁性交换作用对(Ga,TM)As居里温度的影响
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作者 陈余 关玉琴 李继军 《磁性材料及器件》 CSCD 北大核心 2010年第6期25-28,共4页
基于Zener模型,详细分析了反铁磁性交换作用对(Ga,TM)As(TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)居里温度的影响,结果表明,反铁磁性交换作用对n型半导体居里温度的影响程度远远大于对p型半导体居里温度的影响,而且在考虑了反铁磁性交换作用后,除了(... 基于Zener模型,详细分析了反铁磁性交换作用对(Ga,TM)As(TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)居里温度的影响,结果表明,反铁磁性交换作用对n型半导体居里温度的影响程度远远大于对p型半导体居里温度的影响,而且在考虑了反铁磁性交换作用后,除了(Ga,Cr)As和(Ga,Mn)As以外都不可能实现室温铁磁性,(Ga,Cr)As和(Ga,Mn)As的掺杂浓度为13.1%和18%时可获得室温铁磁性,但是反铁磁性交换作用相对强弱增强到y=0.01时,任何掺杂浓度都不能实现室温铁磁性。 展开更多
关键词 稀磁半导体 居里温度 掺杂 反铁磁性交换作用
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n型DMS材料居里温度的极值点
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作者 陈余 关玉琴 迎春 《内蒙古工业大学学报(自然科学版)》 2011年第1期17-19,共3页
以Zener模型为基础,考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响,理论计算证明:n型DMS材料的居里温度有一个极大值,此极大值点投影到xoy平面(掺杂浓度x与反铁磁性交换作用相对强弱y所在的坐标面)上的轨迹是一双曲线,此双曲线为由基质... 以Zener模型为基础,考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响,理论计算证明:n型DMS材料的居里温度有一个极大值,此极大值点投影到xoy平面(掺杂浓度x与反铁磁性交换作用相对强弱y所在的坐标面)上的轨迹是一双曲线,此双曲线为由基质材料与掺杂的磁性杂质决定。 展开更多
关键词 稀磁半导体 居里温度极值点 掺杂浓度 反铁磁性交换作用
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