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有机硅聚合物制备的陶瓷材料高温结晶与氧化机理研究进展
被引量:
4
1
作者
林仕伟
司文捷
+2 位作者
彭志坚
苗赫濯
Linan An
《宇航材料工艺》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期12-17,共6页
综述了高温结构陶瓷材料在高温条件下结晶机理及氧化理论 ,对各种理论模型进行了评介。其中重点介绍了Si-C - (O) - (N)体系的“无定型—成核—晶粒长大”结晶机理和Si -C -N体系的“分离—分解—结晶”结晶机理 ;并具体介绍了Si -C -N...
综述了高温结构陶瓷材料在高温条件下结晶机理及氧化理论 ,对各种理论模型进行了评介。其中重点介绍了Si-C - (O) - (N)体系的“无定型—成核—晶粒长大”结晶机理和Si -C -N体系的“分离—分解—结晶”结晶机理 ;并具体介绍了Si -C -N -O和Si - (B) -C -N高温氧化机理。
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关键词
制备
陶瓷材料
高温结晶
氧化机理
有机硅聚合物
前驱体陶瓷
航空航天材料
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职称材料
题名
有机硅聚合物制备的陶瓷材料高温结晶与氧化机理研究进展
被引量:
4
1
作者
林仕伟
司文捷
彭志坚
苗赫濯
Linan An
机构
清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室
Department of Mechanical
出处
《宇航材料工艺》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期12-17,共6页
基金
国家 973项目 :G2 0 0 0 672 0 3- 2
文摘
综述了高温结构陶瓷材料在高温条件下结晶机理及氧化理论 ,对各种理论模型进行了评介。其中重点介绍了Si-C - (O) - (N)体系的“无定型—成核—晶粒长大”结晶机理和Si -C -N体系的“分离—分解—结晶”结晶机理 ;并具体介绍了Si -C -N -O和Si - (B) -C -N高温氧化机理。
关键词
制备
陶瓷材料
高温结晶
氧化机理
有机硅聚合物
前驱体陶瓷
航空航天材料
Keywords
organosilicon polymer
,
precursor
,
polymer derived ceramics
,
composites
,
crystallization
,
oxidation
分类号
V254.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
有机硅聚合物制备的陶瓷材料高温结晶与氧化机理研究进展
林仕伟
司文捷
彭志坚
苗赫濯
Linan An
《宇航材料工艺》
CAS
CSCD
北大核心
2002
4
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