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采用硅片趋势键合技术的实用型H^＋—ISFET
1
作者
陈德英
周天舒
《黑龙江电子技术》
1991年第4期19-22,45,共5页
关键词
硅片键合
ISFET
P^H
传感器
下载PDF
职称材料
题名
采用硅片趋势键合技术的实用型H^＋—ISFET
1
作者
陈德英
周天舒
出处
《黑龙江电子技术》
1991年第4期19-22,45,共5页
关键词
硅片键合
ISFET
P^H
传感器
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
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作者
出处
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1
采用硅片趋势键合技术的实用型H^＋—ISFET
陈德英
周天舒
《黑龙江电子技术》
1991
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