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太阳电池P-P^+结和背反射器的实验研究
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作者 陈庭金 唐志芳 +8 位作者 鞠定德 苏庆益 魏晋云 刘宗光 王声仁 吴淑莹 吕丽华 钱美珍 张财宝 《云南师范大学学报(自然科学版)》 1989年第2期43-48,共6页
本文对硅太阳电池的背场和背反射器进行了理论分析。据此,对硅太阳电池的铝合金P—P^+结和背反射器进行了大量的实验研究。结果指出:(1) 采用p=10~12 Ωcm,厚度250μm,(111)或(100)的p—Si基片。铝层厚度d_ (al) >2μm,在850℃下合... 本文对硅太阳电池的背场和背反射器进行了理论分析。据此,对硅太阳电池的铝合金P—P^+结和背反射器进行了大量的实验研究。结果指出:(1) 采用p=10~12 Ωcm,厚度250μm,(111)或(100)的p—Si基片。铝层厚度d_ (al) >2μm,在850℃下合金,所得P—P^+结深X_j (P—P^+)>2μm时,可获得满意的背场电池。铝背场与无背场的电池相比,其开路电压V_oc 可提高(40~60) mv (2) 在P~P+结上,真空蒸镀Al,Ag或Ti作为背反射器。实验证明,具有高反射率的Ag和Al都是好的背反射器材料。三种材料相比,用Ag和Al作背反射器比之于Ti,电池短路电流最好的可提高6%以上。 展开更多
关键词 太阳电池 p—p^%pLUS% 背反射器
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