溶胶-凝胶法制备P型氧化物薄膜晶体管的研究进展

目前,关于氧化物薄膜晶体管(TFT)的报道大部分是关于n型的。为进一步扩大集成电路的应用范围,需要制造稳定、高性能的P型氧化物TFT。传统的真空镀膜技术依赖于昂贵的设备、苛刻的真空环境等,不仅增加了生产成本,而且不利于大面积器件的制备。溶胶-凝胶法工艺成本低,操作简单,易实现大规模制备。文章重点阐述了溶胶-凝胶法和几种典型P型氧化物半导体材料,并介绍了其典型的应用领域。

纳米氧化亚铜的制备方法研究

氧化亚铜是一种新型的无机材料，因其独特的性质而在诸多领域有着广泛的应用。总结了各种制备纳米氧化亚铜的方法，论述了各种方法的原理，并比较了各自的优缺点。

氧分压对NiO薄膜特性的影响

采用JGP-300型超高真空磁控溅射镀膜机在蓝宝石衬底上制备了Ni O薄膜。通过X射线衍射(XRD)仪、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见分光光度计(UV-VIS)、霍尔(Hall)测试,研究了氧分压对Ni O薄膜晶体结构、表面形貌、光学特性和电学特性的影响。研究结果表明:Ni O薄膜具有单一的(111)衍射峰。当氧分压为60%时,Ni O薄膜具有较好的结晶性能。随着氧分压的升高,Ni O薄膜表面逐渐变光滑。由(αhν)2-hν曲线得到Ni O薄膜的禁带宽度为3. 60～3. 77 e V。所有Ni O薄膜都具有良好的p型导电特性,空穴载流子浓度为5. 45×10^(17)～2. 16×10^(19)cm^(-3)。