一种背面深槽填充P型多晶硅RC-IGBT

提出了一种新型RC-IGBT,在背面阳极处设置了填充重掺杂P型多晶硅的深槽和FOC浮空电极。器件正向导通时,利用重掺杂P型多晶硅与N型衬底的接触电势差,将槽间的N型衬底部分耗尽,增强了阳极PN结的短路电阻,在较短背面阳极尺寸的条件下实现了RC-IGBT在开启过程中不出现电压折回现象。在器件反向开启过程中,空穴电流经过FOC浮空电极流入P型多晶硅,降低了多晶硅与N型衬底之间的势垒,提高了反向二极管的开启速度,降低了开启过程中二极管的过充电压。仿真结果表明,提出的新型RC-IGBT完全消除了电压折回现象,反向电流的均匀性得到了提高。相比于传统RC-IGBT,该新型RC-IGBT的元胞背面尺寸减小了88.89%,关断损耗降低了26.37%,反并联二极管的反向恢复电荷降低了13.12%。

金属镍诱导p型多晶硅薄膜的光电性能研究

利用电子束蒸镀方法及重掺杂p型硅为蒸发源在K8玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜,采用镍诱导晶化法在氮气氛围下进行退火处理制备出p型多晶硅薄膜。研究了不同温度热处理条件对p型多晶硅薄膜的光电性能的影响,通过霍尔测量、拉曼光谱、原子力显微镜、紫外-可见光吸收光谱等测试手段对薄膜进行分析。结果表明,随着晶化温度的提高晶化程度先增强后减弱。优化晶化温度使30 nm厚p型多晶硅薄膜的方块电阻达到300Ω/□,在可见光范围的透射率超过10%。

有源有机发光显示器视频显示驱动系统的设计

提出了一种有源有机发光显示器型视频显示驱动系统的设计方案,包括屏上驱动电路和外围驱动电路。前者采用p型多晶硅薄膜晶体管设计制作,该技术能够简化TFT的制作工艺,降低成本,提高成品率;后者为屏上驱动电路提供控制、时钟信号,完成视频数据的处理。最后分别以HSPICE和QUARTUSⅡ为开发平台,验证电路的正确性,实现现场可编程门阵列器件的编程、仿真、下载和测试。

基于AM-OLED基板的拓展多晶硅薄膜功能层的研究

在有源寻址有机发光二极管(active matrix organic light emitting diode,AM-OLED)显示基板中,将电学功能层——薄膜晶体管(thin fil mtransistor,TFT)有源层材料p型掺杂金属诱导晶化(metal induced crystallized,MIC)多晶硅(p+-MIC poly-Si)薄膜的版图适当延伸,来充当OLED的阳极,由于它具有低方块电阻、高功函数的电学特性和半反半透、低吸收率的光学特性,与OLED的金属铝阴极形成了微腔器件,成功地形成了显示基板上的多晶硅薄膜的光学功能层.对这一功能层的厚度进行了优化,比较了不同厚度下TFT器件的电学特性和OLED的光学特性.当其厚度为40nm时为最佳厚度,此时,TFT器件场迁移率、阈值电压、亚阈值幅摆、电流开关比和栅压诱导漏极漏电等性能为最佳,且红光微腔式OLED(microcavity-OLED,MOLED)的出光强度增大,光谱窄化,电流效率与功率效率均有所提高.这不仅使器件的性能有所提高,而且大大地简化了AM-OLED基板的制备流程.