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高电导率高晶化率P型微晶硅薄膜的制备
被引量:
1
1
作者
赵尚丽
杨仕娥
+3 位作者
张丽伟
陈永生
陈庆东
卢景霄
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期116-118,134,共4页
利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以B2H6为掺杂剂,在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的p型微晶硅薄膜。为获得高电导率高晶化率的薄膜,采用正交实验法对衬底温度、氢稀释比及硼烷掺杂比等主要沉积参数进行初步优化。Ra...
利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以B2H6为掺杂剂,在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的p型微晶硅薄膜。为获得高电导率高晶化率的薄膜,采用正交实验法对衬底温度、氢稀释比及硼烷掺杂比等主要沉积参数进行初步优化。Raman光谱和电导率测试结果表明:(1)在实验选取的参数范围内,衬底温度是影响薄膜暗电导率和晶化率的最主要因素,其次是氢稀释比,硼烷掺杂比的影响相对较小;(2)通过正交优化,获得了暗电导率为2.05S·cm-1、晶化率为86%的p型微晶硅薄膜。
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关键词
RF—
p
ECVD
p型微晶硅薄膜
暗电导率
晶化率
下载PDF
职称材料
P型微晶硅在柔性太阳电池中的应用研究
被引量:
2
2
作者
靳果
袁铸
胡居涛
《电源技术》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第7期1025-1027,共3页
以B(CH_3)_3为掺杂剂,采用正交实验法,以硅烷浓度、B(CH_3)_3掺杂比、反应压强及气体总流量等主要沉积参数为实验组变量,对P型微晶硅薄膜进行初步优化。在玻璃衬底上沉积厚度为80 nm左右的P型微晶硅(μc-Si:H)薄膜,通过测试材料暗态电...
以B(CH_3)_3为掺杂剂,采用正交实验法,以硅烷浓度、B(CH_3)_3掺杂比、反应压强及气体总流量等主要沉积参数为实验组变量,对P型微晶硅薄膜进行初步优化。在玻璃衬底上沉积厚度为80 nm左右的P型微晶硅(μc-Si:H)薄膜,通过测试材料暗态电导率、XRD、Raman等,研究了上述沉积参数对材料电学和微结构性能的影响,并在此基础上做进一步的参数优化,得到更高电导的微晶硅薄膜;将其应用于PEN衬底的非晶硅薄膜太阳电池中,得到6%的初始效率。
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关键词
p型微晶硅薄膜
B(CH3)3
柔性衬底
非晶
硅
太阳电池
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职称材料
衬底温度和硼掺杂对p型氢化微晶硅薄膜结构和电学特性的影响
被引量:
4
3
作者
杨仕娥
文黎巍
+4 位作者
陈永生
汪昌州
谷锦华
郜小勇
卢景霄
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第8期5176-5181,共6页
以B2H6为掺杂剂,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃衬底上制备p型氢化微晶硅薄膜.研究了衬底温度和硼烷掺杂比对薄膜的微结构和暗电导率的影响.结果表明:在较高的衬底温度下很低的硼烷掺杂比即可导致薄膜非晶化;在实验范围内...
以B2H6为掺杂剂,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃衬底上制备p型氢化微晶硅薄膜.研究了衬底温度和硼烷掺杂比对薄膜的微结构和暗电导率的影响.结果表明:在较高的衬底温度下很低的硼烷掺杂比即可导致薄膜非晶化;在实验范围内,随着衬底温度升高薄膜的晶化率单调下降,暗电导率先缓慢增加然后迅速下降,变化趋势与硼烷掺杂比的影响极为相似.最后着重讨论了p型氢化微晶硅薄膜的生长机理.
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关键词
p
型
氢化
微晶
硅
薄膜
衬底温度
晶化率
电导率
原文传递
硼掺杂对μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响
被引量:
6
4
作者
汪昌州
杨仕娥
+3 位作者
陈永生
杨根
郜小勇
卢景霄
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期123-128,共6页
采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了掺硼氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究了硼掺杂对薄膜的结晶状况、沉积速率、暗电导率和光学带隙的影响。拉曼光谱、扫描电子显微镜、分光光度计和电导率测试结果表明:当掺硼比(B2H6/Si...
采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了掺硼氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究了硼掺杂对薄膜的结晶状况、沉积速率、暗电导率和光学带隙的影响。拉曼光谱、扫描电子显微镜、分光光度计和电导率测试结果表明:当掺硼比(B2H6/SiH4)由0.1%增加到0.75%时,硅膜的晶化率逐渐降低,并由微晶向非晶过渡;沉积速率随掺硼比的增加线性增大;暗电导率先升高后下降,当掺硼比为0.5%时,暗电导率最大;光学带隙随掺硼比的增加逐渐减小。
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关键词
p
型
氢化
微晶
硅
薄膜
掺硼比
晶化率
电导率
下载PDF
职称材料
题名
高电导率高晶化率P型微晶硅薄膜的制备
被引量:
1
1
作者
赵尚丽
杨仕娥
张丽伟
陈永生
陈庆东
卢景霄
机构
郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室
新乡学院物理系
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期116-118,134,共4页
基金
国家重点基础研究发展计划(2006CB202601)
河南省科技厅基础研究计划(072300410080)
文摘
利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以B2H6为掺杂剂,在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的p型微晶硅薄膜。为获得高电导率高晶化率的薄膜,采用正交实验法对衬底温度、氢稀释比及硼烷掺杂比等主要沉积参数进行初步优化。Raman光谱和电导率测试结果表明:(1)在实验选取的参数范围内,衬底温度是影响薄膜暗电导率和晶化率的最主要因素,其次是氢稀释比,硼烷掺杂比的影响相对较小;(2)通过正交优化,获得了暗电导率为2.05S·cm-1、晶化率为86%的p型微晶硅薄膜。
关键词
RF—
p
ECVD
p型微晶硅薄膜
暗电导率
晶化率
Keywords
RF-
p
ECVD ,
p
-ty
p
e μc-Si:H thin films, dark conductivity,crystalline volume fraction
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
P型微晶硅在柔性太阳电池中的应用研究
被引量:
2
2
作者
靳果
袁铸
胡居涛
机构
河南工业职业技术学院机电自动化学院
江苏武进汉能薄膜太阳能有限公司
出处
《电源技术》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第7期1025-1027,共3页
文摘
以B(CH_3)_3为掺杂剂,采用正交实验法,以硅烷浓度、B(CH_3)_3掺杂比、反应压强及气体总流量等主要沉积参数为实验组变量,对P型微晶硅薄膜进行初步优化。在玻璃衬底上沉积厚度为80 nm左右的P型微晶硅(μc-Si:H)薄膜,通过测试材料暗态电导率、XRD、Raman等,研究了上述沉积参数对材料电学和微结构性能的影响,并在此基础上做进一步的参数优化,得到更高电导的微晶硅薄膜;将其应用于PEN衬底的非晶硅薄膜太阳电池中,得到6%的初始效率。
关键词
p型微晶硅薄膜
B(CH3)3
柔性衬底
非晶
硅
太阳电池
Keywords
p
-滋c-Si
H, B(CH3)3
flexible substrate
a-Si:H solar cell
分类号
TM914 [电气工程—电力电子与电力传动]
下载PDF
职称材料
题名
衬底温度和硼掺杂对p型氢化微晶硅薄膜结构和电学特性的影响
被引量:
4
3
作者
杨仕娥
文黎巍
陈永生
汪昌州
谷锦华
郜小勇
卢景霄
机构
郑州大学物理工程学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第8期5176-5181,共6页
基金
国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB202601)
河南省自然科学基金(批准号:072300410080)资助的课题~~
文摘
以B2H6为掺杂剂,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃衬底上制备p型氢化微晶硅薄膜.研究了衬底温度和硼烷掺杂比对薄膜的微结构和暗电导率的影响.结果表明:在较高的衬底温度下很低的硼烷掺杂比即可导致薄膜非晶化;在实验范围内,随着衬底温度升高薄膜的晶化率单调下降,暗电导率先缓慢增加然后迅速下降,变化趋势与硼烷掺杂比的影响极为相似.最后着重讨论了p型氢化微晶硅薄膜的生长机理.
关键词
p
型
氢化
微晶
硅
薄膜
衬底温度
晶化率
电导率
Keywords
p
-ty
p
e hydrogenated microcrystalline silicon thin films,substrate tem
p
erature,crystalline fraction volume,conductivity
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
硼掺杂对μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响
被引量:
6
4
作者
汪昌州
杨仕娥
陈永生
杨根
郜小勇
卢景霄
机构
郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期123-128,共6页
基金
河南省科技攻关项目(No.0424210016)
文摘
采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了掺硼氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究了硼掺杂对薄膜的结晶状况、沉积速率、暗电导率和光学带隙的影响。拉曼光谱、扫描电子显微镜、分光光度计和电导率测试结果表明:当掺硼比(B2H6/SiH4)由0.1%增加到0.75%时,硅膜的晶化率逐渐降低,并由微晶向非晶过渡;沉积速率随掺硼比的增加线性增大;暗电导率先升高后下降,当掺硼比为0.5%时,暗电导率最大;光学带隙随掺硼比的增加逐渐减小。
关键词
p
型
氢化
微晶
硅
薄膜
掺硼比
晶化率
电导率
Keywords
p
-ty
p
e μc-Si
H films
diborane do
p
ing ratio
crystalline fraction volume
conductivity
分类号
O484 [理学—固体物理]
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高电导率高晶化率P型微晶硅薄膜的制备
赵尚丽
杨仕娥
张丽伟
陈永生
陈庆东
卢景霄
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
下载PDF
职称材料
2
P型微晶硅在柔性太阳电池中的应用研究
靳果
袁铸
胡居涛
《电源技术》
CAS
CSCD
北大核心
2017
2
下载PDF
职称材料
3
衬底温度和硼掺杂对p型氢化微晶硅薄膜结构和电学特性的影响
杨仕娥
文黎巍
陈永生
汪昌州
谷锦华
郜小勇
卢景霄
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
4
原文传递
4
硼掺杂对μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响
汪昌州
杨仕娥
陈永生
杨根
郜小勇
卢景霄
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
6
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职称材料
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