Ca/P层对NiTi形状记忆合金生物相容性的影响

用化学法在 ＮｉＴｉ形状记忆合金表面修饰了一层 Ｃａ／Ｐ层． Ｘ射线分析表明， Ｃａ／Ｐ层的主要成分是 Ｃａ５（ＰＯ４）３（ＯＨ），还有少量的ａ－Ｃａ２Ｐ３Ｏ７和ｂ－Ｃａ３（ＰＯ４）２．原子吸收光谱的测量表明， Ｃａ／Ｐ层抑制镍离子在人体模拟溶液中的溶出，植入试验的结果表明， Ｃａ／Ｐ层改善了 ＮｉＴｉ形状记忆合金的生物相容性。

门极p层扩散参数对GTO特性影响分析

通过一维计算机数值模型分析了ＧＴＯ门极ｐ型层扩散参数对其单元特性分散性影响，表明高均匀ｐ基区扩散是实现大容量ＧＴＯ的一个重要保证。

p层厚度对Si基GaN垂直结构LED出光的影响

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的InGaN/GaN蓝光LED薄膜并制备成垂直结构发光二极管(VLEDs),研究了p层厚度即p面金属反射镜与量子阱层的间距对LED出光效率的影响,并采用F-P干涉模型进行了理论分析。结果显示,光提取效率受d影响很大,随d的增加呈现类似阻尼振动的变化趋势,分别在0.73λn处和1.01λn处取得第一个极大值和极小值,且前者是后者两倍多。因此优化p层厚度可以有效提高LED的出光效率。

a-Si太阳电池p层微晶结构的研究

用氢气稀释的硼烷及不同氢气稀释浓度的硅烷[n(H2)/n(SiH4)=100,n(H2)/n(SiH4)=10]作为气相反应先驱体,采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备出掺硼的非晶氢化硅薄膜。通过拉曼光谱、激活能测试、暗电导测试表明,高氢气稀释浓度的硅烷在一定的掺杂比时[n(B2H6)/n(SiH4)=1%],沉积出的非晶氢化硅出现了微晶结构,暗电导率可达10-1Ω-1·cm-1,激活能可达0.2eV左右,接着又用μC Si∶H与传统所用的a SiC∶H分别做电池的p层,比较了二者的I V特征,发现μC Si∶H作为电池的p层有更大的优越性。

P层厚度对InGaN单结太阳电池的影响

采用基于第一性原理和太阳电池基本方程的wxAMPS软件,在理想情况下,模拟计算了单结In0.65Ga0.35N太阳电池的光电特性。计算结果表明:当p层厚度从130 nm逐渐增加到220 nm时,入射的光子吸收能量减少,从而产生的光生载流子数目减少,进而引起了开路电压、短路电流密度以及电池的转换效率均逐渐减小,但是填充因子却反而逐渐增大,为对单结In0.65Ga0.35N太阳电池的设计提供了理论的参考依据。

热处理温度对CrMoNi铸铁基化学镀Ni—P层显微结构与性能的影响

采用化学镀技术在CrMoNi高合金铸铁表面沉积Ni—P合金镀层,采用维氏硬度仪、M-2000摩擦磨损机、SEM和EDAX等手段研究了热处理温度对Ni—P合金镀层组织结构和性能的影响,并对磨损机理进行了分析.研究结果表明:CrMoNi合金基体表面沉积Ni—P合金镀层能有效改善CrMoNi合金基体硬度和耐磨性.经过350,℃热处理时,获得的Ni—P合金镀层硬度达到极值1 072,HV,为基体硬度的4.5倍,耐磨性最佳,磨损率仅为基体的0.68‰,镀层的磨损机制为轻微的黏着磨损.

过渡区p层在高速沉积非晶硅薄膜电池中的应用

研究了采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积从微晶相向非晶相相变的过渡区p层,并将其作为电池的窗口层应用到高速沉积的非晶硅薄膜电池中。通过调整p层的沉积参数,获得不同p层的暗电导率从1.0E-8S/cm变化到1.0E-1S/cm,并获得了从微晶相向非晶相转变的过渡区p层。实验发现,电池的开路电压Voc随p层SiH4浓度的增加先增加后降低,当p层处在过渡区时达到最大;p层处在过渡区时电池的短路电流Isc和填充因子FF都得到了不同程度的提高。在p/i界面引入buffer层后,能进一步显著提高电池的FF和Voc。在过渡区p层作为电池窗口层,没有背反射电极,本征层沉积速率为1.5nm/s情况下获得效率达8.65%(Voc=0.89V,Jsc=12.90mA/cm2,FF=0.753)的高速非晶硅薄膜电池。比较了过渡区P层与P-a-SiC:H分别作为电池窗口层对于电池性能特别是FF的影响,由于存在结构演变的原因,FF对于过渡区P层厚度的依赖大于后者。

Ni-P化学镀层在动态加载条件下的塑脆转变

利用单摆划痕法的动态加载特性,研究了Ni P化学镀层本身的塑脆转变。镀层的塑脆转变除可采用Lamy建议的塑脆转变深度D′判据外,还提出用新定义的临界法向力Fnc来表征。根据划痕深度d和法向力Fnc的大小,可把镀层在划痕过程中的力学行为分为塑性变形、塑脆转变和脆性断裂三个阶段。分析讨论了磷含量和热处理温度对塑脆转变的影响。

卫星油田PⅠ层组基于砂体发育的地震反射模式

卫星油田PⅠ层组为该油田的主力油层组,层组内单砂层厚度较薄、空间连续性差。将PⅠ层组纵向上划分为上、中、下3个组合单元,利用地震波形能够给以较好的反映。测井曲线具备好的沉积微相识别能力,将每个单元里存在河道或河坝砂体定义为砂体发育,不存在的定义为互层发育,考察卫星油田三维地震工区近100口井资料识别的沉积微相与地震波形的对应关系,建立8种地震波砂体反射模式,依据模式可有效推测出卫星油田PⅠ层组勘探空白区的砂体发育状况,为该油田部署有利井位提供技术支撑。

基于多层P样条和稀疏编码的非刚性医学图像配准方法

针对传统相似性测度易受灰度偏移场的影响而造成误配,以及单层P样条变换模型中通常无法准确选择初始化网格密度的问题,提出了多层P样条和稀疏编码的非刚性医学图像配准方法。该方法将稀疏编码作为相似性测度,首先把待配准的两幅图像划分图像块,然后使用K-SVD算法训练图像块得到分析字典并寻找稀疏系数,采用多层P样条自由变换模型来模拟非刚性几何形变,结合梯度下降法优化目标函数。实验结果表明,与单层P样条几何变换和sparse-induced、rank-induced相似性测度相比,所提方法能够准确地选择网格密度,并有效克服灰度偏移场对配准的影响,降低了均方根误差,提高了配准的精度和鲁棒性。

浅层人工地震P波和S波资料揭示的郑州老鸦陈断层特征

断层活动性的探测研究是城市防震减灾的基础性工作。为了查明郑州老鸦陈断层的位置、性质及其活动性,2006年底跨老鸦陈断层进行了高分辨率的浅层地震P波和S波探测,通过采用不同的地震波激发源、不同的观测系统参数相结合的工作方法,获得了沿剖面不同深度的地下细结构图像,揭示了老鸦陈断层的形态和特征。结果表明,老鸦陈断层为一条倾向NE、走向NW的正断层,该断层错断了新近系(N)以前的地层,在Q+N地层内部没有发现断层引起的地层错断现象。

物联网中基于两层P2P结构的ONS模型

海量数据处理中对象命名服务(ONS)系统易于出现负载不均、单点失效等安全问题。为此,根据本地ONS和根ONS 2个层次将ONS节点组成2个不同的P2P网络,提出两层P2P结构的ONS模型,并给出信息解析服务流程。仿真结果表明,与其他模型相比,该模型平均响应时间较短,负载均衡效果较好,在物联网规模大幅增加的情况下仍能及时处理相关数据。

埋部分P+层背栅SOI高压器件新结构

提出了一种埋部分P+层的背栅SOI(Buried Partial P+layer SOI,BPP+SOI)高压器件新结构.部分P+层的引入不仅有效地增强了源端埋氧层电场,而且还降低了源端PN结表面电场,使器件击穿电压随背栅压的增加而大幅增加,比导通电阻也显著降低.仿真结果表明,在漂移区长度为150μm,背栅压为650V时,BPP+SOI的耐压较常规结构提高了84.9%;在漂移区为120μm,耐压相同的情况下,BPP+SOI的比导通电阻较常规结构降低了31%.

Ni-Fe-P化学镀层的耐腐蚀性能

为了进一步改善Ni-P化学镀层的耐蚀性,扩大化学镀层的应用范围,在Ni-P化学镀液中加入FeSO4,制备了Ni-Fe-P镀层。通过扫描电镜观察和分析了Ni-P和Ni-Fe-P镀层的表面形貌和成分,通过2273电化学设备测试了2种镀层在3.5%NaCl腐蚀溶液中的动电位极化和交流阻抗曲线。结果表明:Ni-Fe-P镀层比Ni-P镀层的晶粒更加细小、致密,表面质量更好,有利于减少腐蚀介质渗入;与Ni-P镀层相比,Ni-Fe-P镀层在腐蚀溶液中具有更正的腐蚀电位和更低的腐蚀电流密度,镀层的膜电阻和电荷转移电阻更高,腐蚀反应阻力更大,镀层的耐蚀性得到提高。

腹足类在赣东北沿沟剖面P\T界线层中的发现

该文报道了腹足类15属(包括1新属)、介形类11属14种4未定种以及玻屑、微球粒等在江西乐平地区二叠三叠系(简称“P\T”,下同)界线层中的发现.介形类Langdaiasuboblonga和腹足类1新属与Hindeodusparvus同层,同样是三叠系底界和早三叠世早期的标志化石.

Ni-P化学镀层在动态加载条件下的摩擦学性能研究

利用单摆划痕法的动态加载特性,研究了Ni-P化学镀层本身的摩擦学性能。分析讨论了磷含量和热处理制度对单摆划痕法测定的比能耗、摩擦因数的影响。研究还表明:切向动态硬度(HT)、法向动态硬态(HN)和比能耗(e)在评价材料耐磨性方面比显微硬度(HV)更真实准确。

掺硼p^+-Si外延层厚度的测试方法

给出了一种掺硼p+-Si外延层厚度的测试方法。该方法是根据Si在KOH溶液中呈现的腐蚀特性而衍生出来的。Si在KOH溶液中的腐蚀速率与Si的掺杂浓度有关,当掺杂浓度超过5×1019cm-3时,腐蚀速率很小,利用这一现象可以测量p+/p结构中p+层的厚度。详细分析了该方法的原理及使用范围,并对测试系统的组成、样品的制备过程和测试方式及测试结果做了说明和分析。该测试方法与磨角染色法相比具有简单易行的特点,该方法可以作为外延工艺的检测手段,以加强对外延过程的监控。

外延生长对GaN基PIN型器件的影响研究

实现了PIN型GaN外延材料的生长,并深入研究了影响器件性能的关键i-GaN外延层的生长温度和生长气流等要素。结果表明,适当的生长温度和气流条能够有效改善GaN的位错密度和背景掺杂,从而提升其晶体质量;过高或过低的生长温度和低气流则可能导致杂质原子如C、O等并入外延材料,形成高位错和缺陷。制备了GaN基PIN型器件,并探究了不同p层掺杂浓度对其电学I-V特性的影响。结果表明,较高的掺杂浓度有助于制备势垒低的欧姆接触,形成更优越的PN结特性。比较了Ni/Cr和Ni/Au两种金属接触对器件I-V特性的影响。结果表明,以Ni/Au制备P型欧姆接触能够获得更低的反向漏电流。此外,相较于Cr、Au具有更优越的稳定性和耐压性。深入探讨了PIN型GaN外延材料的生长条件对器件性能的影响,并通过制备GaN基PIN型器件深入研究了掺杂浓度和金属接触对电学特性的影响。

P波偏振层析成像

论述了P波偏振层析成像方法 .这是一个利用P波远震偏振资料去反演速度结构的方法 ,与走时层析成像相比 ,它有几个显著的优点 :不受震源定位和发震时刻误差的影响 ;对深地幔速度结构不敏感而对接收器附近的速度结构和速度梯度最敏感 ,在这一意义上它与走时反演是互补的 .如果联合使用走时和偏振资料可以改善层析成像的结果 .走时的变化对应于速度的变化 ,而偏振的变化则与速度梯度的变化相对应 ,因此 ,要确定速度异常的边界 ,用偏振数据更合适 .三维数值模拟实验以及实际应用证实了P波偏振层析成像是一个有效的、实用的新颖方法 .