Si7145DP：30VP沟道功率MOSFET器件

Vishay推出采用S08占位面积的30VP沟道功率MOSFET器件一Si7145DP，将10V、4．5V栅极驱动下的最大导通电阻降至2．6mΩ和3．75mΩ。凭借这些性能规格，新的Vishay Siliconix Si7145DP——第三代TrenchFETP沟道家族的最新成员——实现了在这个电压等级和占位下最低的导通电阻。

功率应用中的P沟道和N沟道MOSFET

MOSFET是大多数开关电源（SMPS）中晶体管的选择。MOSFET可以作为栅极整流器来提高效率。为了在功率应用中选择最好的开关，本文对优化后的P沟道和N沟道MOSFET进行了比较。

采用PowerPAK 1212-8封装的30VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology，Inc．推出采用PowerPAK1212—8封装的30VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET—Si7625DN。在这种电压等级和3．3mm-3．3mm占位面积的P沟道MOSFET中，该器件的导通电阻是最低的。

采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

Vishay Intertechnology，Inc．推出首款采用芯片级MICROFOOT封装的P沟道第三代ThnchFET功率MOSFET—Si8499DB。在1．5mm×1mm的占位面积内，这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。

Vishay的17款新器件扩充600VN沟道功率MOSFET系列

Vishay Intertechnology，Inc宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件．将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39-600mr／，将最高电流等级扩展至7-73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超级结技术，使公司进入使用功率转换技术的增量市场，包括照明、适配器和高功率可再生能源系统。

Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET~ Gen Ⅲ P沟道功率MOSFET具有极低导通电阻

VishayIntertechnology，Inc．宣布，扩充其采用超小PowerPAK0SC-70封装的‰nchFET@GenIIIP沟道功率MOSFET。今天推出的VishaySiliconixMOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的，占位面积只有2x2mm，在-4．5V和-10V栅极驱动下的导通电阻是-12V、-20V和-30V（12VVGS和20VVGS）器件中最低的。

IR新型-30V P沟道功率MOSFET使设计更简单灵活

全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（InternatfOnalRectifier，简称IR）推出新系列-30V器件，采用IR最新的SO-8封装P沟道MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统／负载开关。新款P沟道器件的导通电阻（nDS（on））为4．6mΩ至59mΩ，可匹配广泛的功率要求。P沟道MOSFET无需使用电平转换或充电泵电路，使其成为系统／负载开关应用非常理想的解决方案。

Vishay Siliconix的新款8V P沟道TrenchFET~功率MOSFET创业内最低导通电阻纪录

日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布，发布占位面积为1．6×1．6mm、高度小于0．8mm的新款8VP沟道TrenchFET 功率MOSFET SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一肖旨在1．2V下导通的此类器件。新款SiB437EDKT可用做智能手机、MP3播放器、便携式多媒体播放器、数码相机、电子书和平板电脑等手持设备中的负载开关。

具有超低导通电阻的P沟道功率MOSFET

SiA433EDJ是采用第三代TrenchFETP沟道技术的最新器件，将P沟道MOSFET的导通电阻减小了近一半，在4．5V、2．5V和1．8V下的导通电阻分别为18mΩ、26mΩ和65mΩ。该MOSFET是同时具有12V栅源电压和可在1．8V额定电压下导通的20V器件，这样就可以将该器件用在由于浪涌、尖峰、噪声或过压导致的更高栅极驱动电压波动的应用，

具有超低导通电阻的P沟道功率MOSFET

SiA433EDJ是采用第三代TrenchFETP沟道技术的最新器件，将P沟道MOSFET的导通电阻减小了近一半，在4．5V、2．5V和1．8V下的导通电阻分别为18mΩ、26mΩ和H65mΩ。

SiA975DJ:P沟道功率MOSFET

Vishay推出新款双路12VP沟道TrenchFET功率MOSFET——SjA975DJ。新器件具有迄今为止双路P沟道器件中最低的导通电阻，采用2mm×2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC．70封装。

SiA433EDJ：P沟道功率MOSFET

Vishay推出新款20V P沟道功率MOSFET SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70封装，具有最低导通电阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFETP沟道技术的最新器件，使用了自矫正的工艺技术，在每平方英寸的硅片上装进了1亿个晶体管。

Vishay推出新款8V P沟道TrenchFET功率MoSFET-——SiA427DJ

日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布，推出新款8VP沟道TrenchFET功率MOSFET—SiA427DJ。该新器件采用2mm×2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。

NEC电子新型P沟道功率MOSFET

和NP系列的其他产品一样，新产品按照AEC-Q101流程制造，额定温度为175℃，纯锡电镀管脚完全符合RoHS要求。雪崩能量从19mJ至550mJ，因芯片不同而有所差异。

SiB457EDK：P沟道功率MOSFET

Vishay推出一款低导通电阻的新型20VP沟道功率MOSFETSiB457EDK。新型SiB457EDK采用了TrenchFETGenⅢP沟道技术，该技术利用自对准工艺制程，在每平方英寸的硅片上装进了十亿个晶体管单元。

高性能P沟道MOSFET器件

FDMA905P和FDME905PT是具有低导通阻抗的MOSFET，这些器件具有优异的散热性能和小占位尺寸，也非常适合线性模式应用dFDMA905P采用2mm×2mmMicro FET封装.

SiB437EDKT：P沟道TrenchFET功率MOSFET

VishayIntertechnology推出占位面积为1．6mm×1．6mm、高度小于0．8mm的8VP沟道TrenchFET功率MOSFETSiB437EDKT。

IRFBxxxxPBF：沟道型HEXFET功率MOSFET

IR推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。