P沟道增强型MOS管的工作原理及特性曲线

针对P沟道增强型MOS管的结构讨论它的工作原理及其基本特性

埋沟道P沟CCD红外信号处理器件的研制

采用三相埋沟结构，研制成了2×64位埋沟道P沟CCD红外信号处理器件。该器件采用埋沟和三层多晶硅技术，其动态范围达到45dB，转移效率≥99．995％，工作频率≥3MHz。本文对该器件的工作原理，设计和制作工艺作了详细的介绍。

大功率P沟道VDMOS器件设计与工艺仿真

作为现代电力电子核心器件之一的P沟道VDMOS(vertical double-diffuse,MOS)器件,一直以来由于应用领域狭窄而并未得到足够的研究。以P沟道VDMOS器件为研究对象,为一款击穿电压超过-200V的P沟道VDMOS设计了有源区的元胞结构及复合耐压终端结构,并开发了一套完整的P沟道VDMOS专用非自对准工艺流程。最后通过仿真得到器件的击穿电压超过-200V,阈值电压为-2.78V,完全满足了设计要求,也为下一步流片提供了有益的参考。

一种新型P沟道VDMOS复合耐压终端

针对终端结构耐压的提高,研究了高压P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管的场限环和场板复合耐压终端结构,提出了一种采用单N+偏移区场限环和多级场板复合的耐压终端结构.仿真发现,该结构能更有效地改善器件主结的边缘电场分布,从而提高了器件的整体击穿电压.根据以上理论,将该结构运用在一款大功率P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管器件上.经流片测试结果表明,该P沟道垂直导电双扩散型场效应晶体管器件样品的击穿电压为-90V,与仿真结果中主结击穿电压达到-91V有很好的吻合,证明了该结构设计的正确性.

用于GaN CMOS集成技术的p型GaN欧姆接触研究

通过金属叠层结构、蒸发-合金工艺条件的优化调整,实现了低接触电阻率、高稳定的p型GaN欧姆接触技术,并研究分析了电极金属在合金过程中的扩散行为。测试结果显示,改进后的p型GaN欧姆接触电阻为11.9Ω·mm,比导通电阻率为3.9×10^(-5)Ω·cm^(2),同时在250℃以内的高温环境中欧姆特性不会发生退化。在此基础上,采用低损伤凹槽栅刻蚀、叠层栅介质沉积等工艺研制出增强型p沟道GaN晶体管器件,器件的阈值电压为-1.2 V(V_(GS)=VDS,IDS=10μA/mm),漏极电流密度为-5.6 mA/mm,导通电阻为665Ω·mm(V_(GS)=-8 V,V_(DS)=-2 V)。优异的p型GaN欧姆接触技术为高性能GaN p沟道器件的研制以及GaN CMOS集成技术的小型化、智能化、高速化发展奠定了重要基础。

P沟道恒流二极管的电流扩展方法

介绍了P沟道恒流二极管和NPN双极型晶体管的工艺制作,采用PN结隔离技术实现隔离,巧妙地将集电极、发射极和恒流二极管沟道区同时制作,得到兼容后的结构,并对兼容结构进行了特性仿真。介绍了工艺流程,讨论了沟道长度、沟道厚度、沟道杂质浓度、基区宽度等结构参数对器件特性的影响。并用该兼容工艺将P沟道恒流二极管的恒定电流值放大了73倍。

功率应用中的P沟道和N沟道MOSFET

MOSFET是大多数开关电源（SMPS）中晶体管的选择。MOSFET可以作为栅极整流器来提高效率。为了在功率应用中选择最好的开关，本文对优化后的P沟道和N沟道MOSFET进行了比较。

英飞凌全新推出的汽车电源管理40V P沟道OptiMOS P2芯片可改进EPS、电机控制装置和电动泵的能效并节约成本

英飞凌科技股份公司（FSE：IFX／OTCQX：IFNNY）日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40VOptiMOSP2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆，从而进一步巩固英飞凌在新一代汽车电源管理应用领域的领导地位。

Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET~ Gen Ⅲ P沟道功率MOSFET具有极低导通电阻

VishayIntertechnology，Inc．宣布，扩充其采用超小PowerPAK0SC-70封装的‰nchFET@GenIIIP沟道功率MOSFET。今天推出的VishaySiliconixMOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的，占位面积只有2x2mm，在-4．5V和-10V栅极驱动下的导通电阻是-12V、-20V和-30V（12VVGS和20VVGS）器件中最低的。

Vishay利用PowerPAK~封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen Ⅲ P沟道产品

日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布推出采用PowerPAK1212—8封装的-40V——SiS443DN和PowerPAK1212—8S封装的－30V——SiSS27DN器件，

Vishay的Si7655DN-20V P沟道MOSFET荣获EDN China 2013创新奖之最佳产品奖

VishayIntertechnology,Inc．宣布其Si7655DN一20VP沟道GenIII功率MOSFET荣获EDNChina2013创新奖之电源器件和模块类最佳产品奖。

采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

Vishay Intertechnology，Inc．推出首款采用芯片级MICROFOOT封装的P沟道第三代ThnchFET功率MOSFET—Si8499DB。在1．5mm×1mm的占位面积内，这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。

采用PowerPAK 1212-8封装的30VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology，Inc．推出采用PowerPAK1212—8封装的30VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET—Si7625DN。在这种电压等级和3．3mm-3．3mm占位面积的P沟道MOSFET中，该器件的导通电阻是最低的。

Vishay推出具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET

日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET＊P沟道GenIII功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在一IOV和-4．5V电压下的导通电阻分别低至0．0016n和0．0020Q，可提高移动电子设备的效率。

Vishay发布采用小尺寸WCSP6封装的新款斜率控制的P沟道高边负载开关

Vishay Intertechnology，Inc．（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出可在1．5-5．5V电压下工作的新款上升斜率控制的P沟道高边负载开关——SiP32458和SIP32459。这两款器件均具有一个集成的可提供稳定的20mΩ低导通电阻，同时保持低静态电流的栅极泵。器件采用小尺寸6凸点晶圆级CSP封装（WCSP6），将4．5V下的导通电压上升斜率控制在3ms，限制使用容性或噪声敏感负载的设计方案的涌入电流。

IR新型-30V P沟道功率MOSFET使设计更简单灵活

全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（InternatfOnalRectifier，简称IR）推出新系列-30V器件，采用IR最新的SO-8封装P沟道MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统／负载开关。新款P沟道器件的导通电阻（nDS（on））为4．6mΩ至59mΩ，可匹配广泛的功率要求。P沟道MOSFET无需使用电平转换或充电泵电路，使其成为系统／负载开关应用非常理想的解决方案。

飞兆半导体推出40VP沟道MOSFET

飞兆半导体公司近日推出40VP沟道Power Trench MOSFET产品FDD4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。FDD4141具有低导通阻抗，与目前的MOSFET比较能降低栅极电荷达50％，可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用，以更高的速度进行切换，而不会产生过多的热量。

Vishay Siliconix的新款8V P沟道TrenchFET~功率MOSFET创业内最低导通电阻纪录

日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布，发布占位面积为1．6×1．6mm、高度小于0．8mm的新款8VP沟道TrenchFET 功率MOSFET SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一肖旨在1．2V下导通的此类器件。新款SiB437EDKT可用做智能手机、MP3播放器、便携式多媒体播放器、数码相机、电子书和平板电脑等手持设备中的负载开关。