Vishay Siliconix推出新款P沟道30 V芯片级MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的P沟道30 V器件——Si8497DB和Si8487DB,扩充其MI-CRO FOOT TrenchFET GenⅢ功率MOSFET家族。新的Si8497DB是业内首款采用小巧的1mm×1.5 mm外形尺寸的30 V芯片级MOSFET。