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大功率P沟道VDMOS器件设计与工艺仿真
被引量:
1
1
作者
蒲石
杜林
张得玺
《重庆大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期133-138,共6页
作为现代电力电子核心器件之一的P沟道VDMOS(vertical double-diffuse,MOS)器件,一直以来由于应用领域狭窄而并未得到足够的研究。以P沟道VDMOS器件为研究对象,为一款击穿电压超过-200V的P沟道VDMOS设计了有源区的元胞结构及复合耐压终...
作为现代电力电子核心器件之一的P沟道VDMOS(vertical double-diffuse,MOS)器件,一直以来由于应用领域狭窄而并未得到足够的研究。以P沟道VDMOS器件为研究对象,为一款击穿电压超过-200V的P沟道VDMOS设计了有源区的元胞结构及复合耐压终端结构,并开发了一套完整的P沟道VDMOS专用非自对准工艺流程。最后通过仿真得到器件的击穿电压超过-200V,阈值电压为-2.78V,完全满足了设计要求,也为下一步流片提供了有益的参考。
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关键词
p沟道vdmos
击穿电压
导通电阻
阈值电压
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职称材料
题名
大功率P沟道VDMOS器件设计与工艺仿真
被引量:
1
1
作者
蒲石
杜林
张得玺
机构
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
出处
《重庆大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期133-138,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61106106)
中央高校基本科研业务费专项基金(K5051325002
K50511250008)~~
文摘
作为现代电力电子核心器件之一的P沟道VDMOS(vertical double-diffuse,MOS)器件,一直以来由于应用领域狭窄而并未得到足够的研究。以P沟道VDMOS器件为研究对象,为一款击穿电压超过-200V的P沟道VDMOS设计了有源区的元胞结构及复合耐压终端结构,并开发了一套完整的P沟道VDMOS专用非自对准工艺流程。最后通过仿真得到器件的击穿电压超过-200V,阈值电压为-2.78V,完全满足了设计要求,也为下一步流片提供了有益的参考。
关键词
p沟道vdmos
击穿电压
导通电阻
阈值电压
Keywords
p
-channel
vdmos
breakdown voltage
on-resistance
threshold voltage
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
大功率P沟道VDMOS器件设计与工艺仿真
蒲石
杜林
张得玺
《重庆大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
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职称材料
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