B位掺杂Sn对BNT-BLZT陶瓷电学行为的影响

采用固相反应制备无铅反铁电陶瓷[(Bi_(1/2)Na_(1/20)_(0.92)Ba_90.05)La_(0.02)][SnxZr_(0.95-x)Ti_(0.05)]O_3,研究了材料的相结构、介电及储能性能。结果表明,随着Sn含量增加,晶粒尺寸变化不大,但该材料介电损耗整体呈减小趋势,并且TF-R向低温区移动。Sn元素的加入对提高该材料的储能性能效果明显,当Sn加入量超过0.06时,出现双电滞回线,说明Sn元素对该体系材料电学性能有一定的优化作用。

Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3薄膜的制备、结构及性能研究

研究了一种以乙二醇为稳定剂的新的ＢＳＴ前驱液，用ｓｏｌ－ｇｅｌ法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）基底上成功地制备出具有优良电学性能的Ｂａ０．７Ｓｒ０．３ ＴｉＯ３薄膜．乙二醇的加入有效地增加了前驱液的稳定性，并降低薄膜的结晶温度．利用ＸＲＤ、ＤＴＡ等技术分析了凝胶热处理过程中相变化情况及薄膜厚度与成相的关系．厚度 ２００ｎｍ，Ｏ２气氛中 ７００℃处理 １５ｍｉｎ后的 ＢＳＴ薄膜具有良好的介电性能，１００ｋＨｚ时介电常数ε＞４００，介电损耗 Ｄ＜０．０２；Ｐ—Ｅ电滞回线说明薄膜具有良好的铁电性能，剩余极化只约为１．４μＣ／ｃｍ２，矫顽场强 Ｅｃ约为 ４８ｋＶ／ｃｍ．