p-GaAs同质结太赫兹探测器的优化与性能

从提高p-GaAs同质结太赫兹探测器量子效率出发,在考虑温度和偏压等参数的影响后,优化了谐振腔增强的p-GaAs同质结太赫兹探测器的材料及结构参数,使探测器的量子效率提高到了17%.并计算了探测器的响应率、探测率和偏压、温度、光谱频率的关系,得到了最佳工作偏压（10~40 m V）、最佳工作温度（〈8 K）和最大探测率（4.1×10^10cm Hz1/2/W）.而通过施加一对匹配的反射镜来构造谐振腔的设计,所能获得的极限量子效率为26%,极限探测率和响应率分别为5.7×10^10cm Hz1/2/W、25.9 A/W.

高Al组分p-Ga_(1-x)Al_xAs/p-GaAs/n-GaAs太阳电池收集效率和短路电流的理论计算

本文对p-Ga_(1-x)Al+xAs/p-GaAs/n-GaAs太阳电池收集效率的光谱响应和短路电流进行了计算,表明窗口层和窗口层漂移电场能有效地减小表面复合的影响,提高短波区的光谱响应。本文还讨论了窗口层厚度、Al组分、p-n结结深、表面复合速度和扩散长度对电池性能的影响。指出要得到大的短路电流,窗口层的电子扩散长度应大于窗口层厚度,p-GaAs区的电子扩散长度应大于三倍结深。在p-GaAs电子扩散长度一定的条件下,有一最佳结深,短路电流有极大值。

p-GaAs基欧姆接触快速退火的研究

为了更好地提高GaAs基半导体材料器件的性能,对p型GaAs基半导体激光器欧姆接触工艺条件进行了实验优化研究。使Ti/Pt/Au/p-GaAs分别在380℃-460℃快速退火温度和40s-80s快速退火时间下进行欧姆接触的实验研究,并利用矩形传输线模型法对比接触电阻进行了测试。结果表明:为了与n-GaAs快速退火温度相兼容,Ti/Pt/Au/p-GaAs在420℃快速退火温度和60s退火时间下形成了较好的接触电阻率3.91×10-5Ω·cm2。

掺杂浓度对p-GaAs的带隙变窄的影响

用光致荧光的方法对分子束外延生长的(110)方向的掺Be的GaAs带隙变窄随掺杂浓度的变化进行研究。结果表明:对于P-GaAs,带隙变窄主要是价带上移造成的,杂质能级(带)相对导带的位置不变。因此,电离能随着掺杂浓度的增加而减小。