p-InGaAs/n-InGaAs MSM光电探测器研究

本文首次对具有p-InGaAs肖特基势垒增强层的p-InGaAs/n-InGaAs MSM光电探测器做了较系统研究。实验结果表明:具有20nm厚增强层器件的暗电流为3.5×10(-11)A(5伏,30×40μm^2);而具有40nm厚增强层器件的FWHMM为350ps(6伏)。

用低能Ar~＋离子束溅射得到p－InGaAs极低电阻欧姆接触的一种可靠的制造技术

对ｐ－ＩｎＧａＡｓ的Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ欧姆接触提供了一种新的制造技术，即在淀积金属之前采用阳极氧化和低能Ａｒ＾＋离子溅射腐蚀。从ＲＴＰ之后提供的具有极好均匀性和一致性的低电阻率接触看好，这种清洗工艺优于湿法化学预清洗。