p-nitrobenzonitrile纳米有机薄膜的超高密度信息存储研究

采用扫描隧道显微镜 (STM)在p nitrobenzonitrile(PNBN)单体有机薄膜上进行信息记录点的写入研究。通过在STM针尖和高定向裂解石墨 (HOPG)衬底之间施加一系列的电压脉冲进行信息记录点的写入 ,得到了一个信息点点径小于 1nm ,对应存储密度高达 1 0 13 bit cm2 的信息存储点阵。电流-电压 (I-V)曲线表明 ,薄膜上非信息点存储区域是高电阻区 ,而信息点存储区域是导电区 ,具有 0-1信息存储特性。PNBN单体有机薄膜的存储机制可能是规则排列的PNBN分子在强电场作用下由有序向无序的转变 ,使得薄膜的电阻由高阻态向低阻态转变 。

有机纳米信息存储中的结构转变

采用真空热蒸发方法制备了有机单体薄膜对硝基苯腈p nitrobenzonitrile (PNBN) .利用扫描隧道显微镜 (STM)在PNBN薄膜上进行信息记录点的写入 ,通过在STM针尖和高定向裂解石墨 (HOPG)之间施加电压脉冲 ,直接观察到了信息记录点写入前后薄膜发生的局域结构转变 .信息记录点的写入机制主要是这种纳米范围结构变化所导致的薄膜由高阻态向低阻态转变 ,高阻态对应 0 ,低阻态对应 1.