低强度半导体激光疗法对认知障碍病人脑功率和P_3PL的影响

①目的 观察低强度半导体激光 (LISCL)疗法对认知障碍病人脑功率和事件相关电位P3 0 0 峰潜伏期(P3 PL)的影响。②方法 应用LISCL对 6 0例认知障碍病人进行治疗 ,分别于治疗前、治疗 5次和 10次后采用CFM 8便携式脑电监测仪和神经电检仪检测脑功率和P3 PL的变化。③结果 治疗前脑功率表现为额叶、颞叶及枕叶脑电慢波成分较多 ,异常的高功率含量区 (δ ,θ)值分别于治疗 5次和 10次后逐渐减少 ,额叶、颞叶底部及枕叶慢波指数降低 ,而α,β频段减少的功率含量值逐渐增高 ,表现为 (δ +θ) / (α +β)减小 ,与治疗前比较差异有显著意义(F =3.0 5～ 4.89,q =2 .83～ 6 .0 2 ,P <0 .0 5 ,0 .0 1) ;治疗 5次和 10次后的P3 PL与治疗前相比明显降低 (F =5 .0 3,q =6 .33,6 .2 0 ,P <0 .0 1)。