原位聚合(PSS/PANI)_n复合膜的静电层-层自组装

基于静电相互作用，从苯胺单体出发原位聚合、现场掺杂、层-层自组装制备多层聚苯乙烯磺酸钠（PSS）／聚苯胺（PANI）复合膜。为了明确控制PSS／PANI复合膜纳米结构的因素，以紫外-可见（UV—Vis）光谱跟踪PSS／PANI复合膜的成膜过程，系统地研究了基片性质、氧化剂用量及沉积时间等溶液因素对单个双层复合膜纳米结构的影响，得到了制备单个双层复合膜的较优条件。在此基础上变换苯胺单体浓度，制备了不同纳米结构的多层复合膜（PSS／PANI）n，并用原子力显微镜（AFM）、扫描电镜（SEM）及椭偏仪等对该多层复合薄膜的形貌结构进行了表征。结果表明，通过控制沉积条件，每双层复合膜的厚度可控制在40～100nm，电导率可达2．675mS·cm^-1,并且可制备增长均匀的8个双层的（PSS／PANI）n。复合膜。热失重分析（TGA）表明，（PSS／PANI）n多层复合膜的热稳定性优于普通PSS／PANI复合膜。

SPEEK/PANI/PWA复合质子交换膜的制备及性能

为了解决Nafion膜甲醇渗透的问题,以聚醚醚酮(PEEK)、聚苯胺(PANI)和磷钨酸(PWA)为原料,采用流延制膜法制备了SPEEK/PANI/PWA复合质子交换膜,并通过X-射线衍射(XRD)、红外光谱分析(FT-IR)和扫描电子显微镜(SEM)等对其组织和结构进行了表征,利用紫外可见分光光度计、电化学工作站和气相色谱仪等对其性能进行了测试。研究结果表明,与SPEEK/PANI和SPEEK/PWA复合质子交换膜相比,SPEEK/PANI/PWA复合质子交换膜的综合性能有很大改善,可作为DMFC用质子交换膜。

PANI的内光电发射

利用电化学方法在自组装一层对氨基硫醇 (PATP)的金电极上制备三种氧化还原态的聚苯胺 (PANI)膜 . PANI膜底层比较致密 ,表面呈山包状 ,该膜在 K3Fe(CN) 6 /K4 Fe(CN) 6 溶液的循环伏安图表明了部分氧化态 PANI膜具有良好的电子传输性能 .从光电流谱得到氧化态 PANI的禁带能为 1 .45 e V.首次发现部分氧化态 PANI膜的光电流谱遵循 Fowler定律 (IPCE1 / 2 ～ hν呈线性 ) ,具有内光电发射的性质 .通过 Fowler图得出部分氧化态 PANI的绝缘母体的禁带宽度为 3 .3 3 e V,并且证实该绝缘母体为还原态 PANI.从 Mott-Schottky图得到部分氧化态和还原态 PANI的平带电位都为 0 .63 V(vs. SCE) .提出了和 PANI的颗粒金属岛导电模型一致的内光电发射机理来解释部分氧化态

银表面聚苯胺/聚吡咯复合膜的制备及其耐蚀性

以三氯化铁为氧化剂,苯胺、吡咯为基体,采用化学氧化法在银片表面制备了聚苯胺/聚吡咯(Pani/Ppy)复合膜。采用红外光谱(IR)、热重分析(TG)、扫描电子显微镜(SEM)、电化学极化分析、自腐蚀电位-时间分析等研究了复合膜的表面形貌、热力学稳定性及耐蚀性。结果表明:n(Ani)/n(Py)为1/3的复合膜的热分解温度为450℃,能在其工作温度范围内(20~300℃)满足使用要求;复合膜对银片具有明显的防腐蚀效果,其中n(Ani)/n(Py)为1/3的复合膜的防腐蚀效果最佳。

ZnO/聚苯胺复合膜的制备和性能表征

采用电化学组装法 (ECA)和溶胶 凝胶法 (sol gel)的联用技术在对胺基苯硫酚 (PATP ,ρ aminothiophenol) Au电极上制备ZnO 聚苯胺(PANI ,polyaniline)复合膜 ,并用TEM ,SEM ,XPS等对ZnO溶胶和ZnO PANI复合膜进行表征。同时还利用紫外 可见吸收光谱、荧光光谱和光电流谱研究了ZnO胶体、ZnO微粒膜和ZnO PANI复合膜的性能。结果表明 ,ZnO PANI复合膜具有优良的发光性能和光电化学转换效率 。

聚苯胺/三氧化钨复合薄膜的制备与性质

采用溶胶-凝胶法在氧化铟锡(ITO)玻璃上制备三氧化钨(WO_3)薄膜,将其在300℃下焙烧2h,再通过电沉积法在表面生长聚苯胺(PANI)薄膜。采用电化学方法、光谱分析法及扫描电镜等测试手段对WO_3薄膜、PANI薄膜及PANI/WO_3复合膜进行表征,发现复合膜着色态与褪色态透过率差异显著,变色效率(CE)达到57.94cm^2/C,比PANI和WO_3薄膜的CE值28.94和10.55cm^2/C分别提高了50%和82%。扫描电镜结果表明,PANI薄膜表面结构疏松,有无序的微孔;而复合膜的结构规整、微孔排列相对有序且表面形貌均匀。

聚苯胺/α-磷酸锆电控膜高效去除水中微量镉离子

以三维多孔碳毡(PTCF)为基底,将苯胺和α-磷酸锆(α-ZrP)电化学聚合成聚苯胺(PANI)/α-ZrP/PTCF膜,用于水中微量Cd^(2+)的电控分离。利用多种表征手段对PANI/α-ZrP/PTCF膜的微结构及离子吸脱附机理进行表征和分析。考察了不同操作条件下,PANI/α-ZrP/PTCF膜对Cd^(2+)吸附性能的影响,并对吸附等温模型进行拟合分析。结果表明,Langmuir等温模型能够较好的描述Cd^(2+)吸附规律,且膜的最大吸附量为113.5 mg/g。此外,Cd^(2+)的浓度可从1 mg/L降低到0.09 mg/L,且脱附率为98.7%。

Preparation of Nanosize CdS/PANI Film and Its Photoelectric Properties

Nanosize CdS semiconductor particles were synthesized using the solvothermal technique. The structure was characterized by means of XRD,TEM and ED techniques. PANI film was prepared by electro-chemistry method onto the indium-tin oxide glass. The nanoparticles were doped on PANI film by the dipping process, and the self-assembled nanoparticles-PANI composite film was acquired. The photoelectric properties of the self-assembled film were studied by PL and Z-scan method.