基于大功率可控硅芯片SCR的失效分析研究

随着芯片设计进入纳米技术领域,芯片的集成度越来越大,智能产品趋向浓缩化,产品的结构越来越紧凑,PC⁃BA板上元器件布局越来越密集,这就对电子元器件的可靠性要求越来越高,失效分析定位技术可以很好地找到器件失效的薄弱点,从而更好地提高预防设计的能力。论文基于PCBA主控板上可控硅芯片SCR进行失效分析,通过I-V电学复测、X-Ray射线、C-SAM超声以及SEM等失效分析测试设备,对失效器件进行电学、物理和化学测试分析,确定器件失效的模式,分析造成器件失效的机理,定位失效点并查找失效原因,并提出了设计优化建议。为PCBA电控板可靠性设计与失效分析提供了一定的参考依据。