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PCSS-SC下基于并行导频序列的一种主动式RAKE接收技术
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作者 陈浩 韩红柱 +1 位作者 程疆博 张望泉 《现代电子技术》 北大核心 2024年第21期28-33,共6页
为解决并行组合扩频散射传输系统信道中存在的严重多径衰落效应,提出一种基于并行导频序列的主动式RAKE接收技术。该技术利用扩频序列PN的自相关特性,添加额外并行扩频序列作为收发已知的导频信号,设计适用在并行组合扩频散射通信的系... 为解决并行组合扩频散射传输系统信道中存在的严重多径衰落效应,提出一种基于并行导频序列的主动式RAKE接收技术。该技术利用扩频序列PN的自相关特性,添加额外并行扩频序列作为收发已知的导频信号,设计适用在并行组合扩频散射通信的系统模型,并提出该模型下的多径搜索和时延估计方法,利用散射信道相干时间减少导频序列占比。通过仿真对比分析,在SNR=-8 dB时,信号识别概率能达到90%以上,低信噪比范围内,相比无抗多径技术可以提升60%左右的正确识别概率;区分充分多径和不充分多径进行系统误码率性能仿真分析,在SNR>-2 dB的区间内,相比无抗多径技术误码率大小均降低了三个数量级以上。结果说明文中技术能有效地对抗系统存在的多径衰落,保持较好的工作性能,保证数据稳定传输。 展开更多
关键词 并行组合扩频 散射通信 RAKE接收 并行导频序列 多径搜索 时延估计
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界面效应对PCSS剪力键滑移性能的影响实验研究
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作者 高燕梅 马飞 +3 位作者 叶孝平 刘伟 王国峰 李成君 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2023年第5期42-49,共8页
为考察栓钉界面、竖钢板界面对于预制装配抗剪栓钉(PCSS)剪力键抗剪性能的影响,进行了栓钉、竖钢板与混凝土全粘结(F),只有栓钉与混凝土粘结(H),栓钉、竖钢板与混凝土均无粘结(N)的剪力键推出实验研究,并建立了有限元模型,揭示了界面工... 为考察栓钉界面、竖钢板界面对于预制装配抗剪栓钉(PCSS)剪力键抗剪性能的影响,进行了栓钉、竖钢板与混凝土全粘结(F),只有栓钉与混凝土粘结(H),栓钉、竖钢板与混凝土均无粘结(N)的剪力键推出实验研究,并建立了有限元模型,揭示了界面工作机理。实验结果表明:N、H、F型试件承载力和抗剪刚度依次增大,其中栓钉与混凝土间的粘结效应对剪力键抗剪承载力贡献了7.9%,对抗剪刚度贡献了10%;竖钢板与混凝土间的粘结效应对剪力键的抗剪承载力贡献了5.6%,对抗剪刚度贡献约50%。其中,竖钢板与混凝土间的粘结作用对剪力键的抗剪刚度和延性均影响较大。通过有限元Abaqus软件进行模拟分析,考虑零厚度内聚力单元模拟竖钢板与混凝土之间的界面接触,对比弹塑性阶段无粘结效应的界面横向应变,得出PCSS剪力键竖钢板与混凝土间存在约束效应,并且竖钢板与混凝土间的粘结作用能够强化这种约束效应。在计算其抗剪刚度和承载力时,需考虑这种约束效应。 展开更多
关键词 pcss剪力键 粘结滑移 抗剪刚度 内聚力接触
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基于PCSS模型的内容电商实施策略的探索 被引量:2
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作者 朱兴荣 《办公自动化》 2018年第18期52-53,38,共3页
本文首先分析了内容电商与传统电商的异同,然后针对内容电商的产业链进行了分析,并建立了内容电商的PCSS模型,最后针对PCSS模型中的各个阶段中的实施提出了具体的实施策略,对企业转型内容电商,找准角色定位,起到一定的指导作用。
关键词 传统电商 内容电商 pcss
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GaAs-PCSS多通道同步导通条件实验研究 被引量:1
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作者 刘毅 谌怡 +3 位作者 夏连胜 王卫 叶茂 张篁 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期25-30,共6页
砷化镓光导开关(GaAs-PCSS)是具有快响应、高重频、低抖动、高功率容量的半导体光电导开关,多通道设计能够有效降低GaAs-PCSS非线性大电流导通时的损伤,提高开关寿命。为探究GaAs-PCSS多通道同步导通的必要条件,在基于固态脉冲形成线的... 砷化镓光导开关(GaAs-PCSS)是具有快响应、高重频、低抖动、高功率容量的半导体光电导开关,多通道设计能够有效降低GaAs-PCSS非线性大电流导通时的损伤,提高开关寿命。为探究GaAs-PCSS多通道同步导通的必要条件,在基于固态脉冲形成线的实验平台上,通过特殊设计的夹具,将多枚GaAs-PCSS并联连接以作为脉冲形成电路的开关,以对各GaAs-PCSS施以不同的触发信号进行测试。实验结果证明:相同触发信号下,开关导通电流被成功地均分到4个GaAs-PCSS通道中;不同触发信号下,为获得较好的电流均分效果,各通道触发延迟时差须小于1 ns,触发能量差须小于20μJ。设计了分体式、单体式两种结构的多通道GaAs-PCSS,其中基于刻蚀工艺的单体式20通道GaAs-PCSS在7000余次大电流工作后仅发生轻微损伤。 展开更多
关键词 砷化镓光导开关 多通道 同步 触发延迟时差 触发能量
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PCSS通信测距复合系统中一种改进的映射方法
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作者 孙铭 侯艳丽 郭鑫 《河北科技大学学报》 CAS 北大核心 2022年第4期386-392,共7页
为了提高通信测距复合系统的信息传输速率,实现数据与序列的完全映射,将并行组合扩频技术(parallel combinatory spread spectrum, PCSS)应用于复合系统,提出了一种改进的r_组合数据序列映射方法。在发送端采用所提出的映射方法实现数... 为了提高通信测距复合系统的信息传输速率,实现数据与序列的完全映射,将并行组合扩频技术(parallel combinatory spread spectrum, PCSS)应用于复合系统,提出了一种改进的r_组合数据序列映射方法。在发送端采用所提出的映射方法实现数据的扩频传输,在接收端采用改进的广义互相关算法进行时延估计和数据解扩,同时实现了信息传输和距离测量。仿真结果表明,改进的数据序列映射方法实现了映射的唯一性,提高了数据的映射效率,提升了PCSS通信测距复合系统的信息传输速率;改进的广义互相关算法在低信噪比下具有更好的时延估计性能。因此,所提方法能使PCSS通信测距复合系统更有效地完成测距任务和通信任务,可为通信测距复合系统的理论研究和工程应用提供参考。 展开更多
关键词 无线通信技术 通信测距复合系统 pcss 数据序列映射 时延估计 广义互相关
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适用于光导开关触发的V/N气体开关设计与验证
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作者 宋雨辉 王凌云 +8 位作者 周良骥 刘宏伟 张东东 陈林 袁建强 邓明海 谢卫平 高彬 王瑞杰 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期68-74,共7页
为了满足多路精确同步触发开关要求,将光导开关(PCSS)与V/N气体开关结合,可充分发挥PCSS低触发阈值、低抖动和光电隔离以及V/N气体开关工作电压高、带载能力强等优势。两种开关结合的核心是V/N气体开关结构参数与PCSS触发回路的参数匹... 为了满足多路精确同步触发开关要求,将光导开关(PCSS)与V/N气体开关结合,可充分发挥PCSS低触发阈值、低抖动和光电隔离以及V/N气体开关工作电压高、带载能力强等优势。两种开关结合的核心是V/N气体开关结构参数与PCSS触发回路的参数匹配。分析计算了V/N气体开关的结构电容、触发回路振荡参数、开关电场分布等,研究了V/N气体开关的结构电容与PCSS、串联电感等构成的振荡回路的匹配关系,通过实验获得了V/N气体开关自击穿电压曲线、导通延迟时间以及不同欠压比下的延迟时间抖动等,初步验证了适用于PCSS触发的V/N气体开关设计。 展开更多
关键词 同步触发 V/N气体开关 pcss 结构电容 自击穿电压
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Effects of spot size on the operation mode of Ga As photoconductive semiconductor switch employing extrinsic photoconductivity 被引量:1
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作者 韦金红 李嵩 +5 位作者 陈红 曾凡正 贾成林 付泽斌 葛行军 钱宝良 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第5期91-99,共9页
To guide the illuminating design to improve the on-state performances of gallium arsenide(GaAs)photoconductive semiconductor switch(PCSS),the effect of spot size on the operation mode of GaAsPCSS based on a semi-insul... To guide the illuminating design to improve the on-state performances of gallium arsenide(GaAs)photoconductive semiconductor switch(PCSS),the effect of spot size on the operation mode of GaAsPCSS based on a semi-insulating wafer with a thickness of 1 mm,triggered by a 1064-nm extrinsic laser beam with the rectangular spot,has been investigated experimentally.It is found that the variation of the spot size in length and width can act on the different parts of the output waveform integrating the characteristics of the linear and nonlinear modes,and then significantly boosts the PCSS toward different operation modes.On this basis,a two-channel model containing the active and passive parts is introduced to interpret the relevant influencing mechanisms.Results indicate that the increased spot length can peak the amplitude of static domains in the active part to enhance the development of the nonlinear switching,while the extended spot width can change the distribution of photogenerated carriers on both parts to facilitate the linear switching and weaken the nonlinear switching,which have been proved by comparing the domain evolutions under different spot sizes. 展开更多
关键词 GaAs pcss operation mode spot size on-state performances two-channel model domain evolution
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基于AlN钝化层的异面GaAs光电导开关初步研究
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作者 杨光晖 杨迎香 +2 位作者 程骏 吴小帅 胡龙 《通讯世界》 2024年第2期196-198,共3页
为解决GaAs光电导开关(PCSS)电极接触区局部高电场和热累积效应的问题。引入高热导率、高临界击穿电场强度及热稳定性优的AlN薄膜钝化GaAs PCSS,探索了AlN薄膜的制备工艺,分析了其元素成分、折射率及特征击穿电场强度(Eb)。同时制备了Al... 为解决GaAs光电导开关(PCSS)电极接触区局部高电场和热累积效应的问题。引入高热导率、高临界击穿电场强度及热稳定性优的AlN薄膜钝化GaAs PCSS,探索了AlN薄膜的制备工艺,分析了其元素成分、折射率及特征击穿电场强度(Eb)。同时制备了AlN-GaAs PCSS,分析了不同偏置电压下PCSS的瞬态特性,探究了GaAs PCSS的损伤机制。结果表明,溅射功率为40 W、Ar:N2比为24:2、压强为0.8 Pa时,AlN薄膜的质量最优;在905 nm、2μJ、50 kV/cm下,AlN-GaAs PCSS输出幅值为9.6 kV、上升时间为450 ps、脉冲宽度为2.3 ns,初步验证AlN薄膜的引入在提升GaAs PCSS可靠性方面具有可行性。 展开更多
关键词 GaAs pcss ALN薄膜 钝化 瞬态特性 特征击穿电场强度
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4H-SiC光导开关性能的仿真研究
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作者 蓝华英 罗尧天 +2 位作者 崔海娟 肖建平 孙久勋 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第2期195-199,共5页
碳化硅光导开关是相关领域的研究热点,但是文献中对4H-SiC光导开关的理论研究仍然以集总元件模型为主,仅能给出定性结果,典型文献中瞬态条件下的实验数据还没有定量的理论解释。文章使用SilvacoTCAD软件中的器件-电路混合模式,结合自编... 碳化硅光导开关是相关领域的研究热点,但是文献中对4H-SiC光导开关的理论研究仍然以集总元件模型为主,仅能给出定性结果,典型文献中瞬态条件下的实验数据还没有定量的理论解释。文章使用SilvacoTCAD软件中的器件-电路混合模式,结合自编的载流子迁移率接口程序,对4H-SiC光导开关的光学电学特性进行模拟仿真。单脉冲响应的仿真结果表明,器件在瞬态条件下的峰值光电流随光能的变化与文献中的实验数据相符合,表明所用模型和参数具有合理性。对影响单脉冲响应的主要因素,包括脉冲能量、脉冲宽度、碳化硅厚度,进行了计算和分析。同时,针对两种碳化硅厚度的器件,进行了多脉冲串响应的计算和分析。文章得到的结果和结论对碳化硅光导开关的进一步研究具有较好的参考价值。 展开更多
关键词 4H-SIC 光导开关 SilvacoTCAD 仿真模型
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深能级杂质对光导半导体开关非线性特性的影响 被引量:4
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作者 张同意 石顺祥 +2 位作者 赵卫 龚仁喜 孙艳玲 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期121-123,共3页
建立了非线性GaAs光导开关深能级杂质瞬态模型的基本方程 ,获得了与实验现象定性吻合的电流输出 ,给出了平均载流子随时间演化的情况 .分析结果表明 ,在考虑了深能级杂质的俘获、发射和碰撞电离后 ,有可能对非线性光导开关中发生的一系... 建立了非线性GaAs光导开关深能级杂质瞬态模型的基本方程 ,获得了与实验现象定性吻合的电流输出 ,给出了平均载流子随时间演化的情况 .分析结果表明 ,在考虑了深能级杂质的俘获、发射和碰撞电离后 ,有可能对非线性光导开关中发生的一系列现象做出解释 ,进一步的仔细分析将对非线性光导开关的设计和制作提供理论指导 . 展开更多
关键词 光导半导体开关 非线性工作模式 深能级杂质模型 数值分析 pcss
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大功率光电器件光波导键合技术研究
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作者 张晨璐 罗燕 +3 位作者 魏紫东 王乐庭 谢雅 尚吉扬 《科技创新与应用》 2024年第29期72-76,共5页
光导开关是一种新型半导体光电子器件,在光通讯、雷达、微波等领域广泛应用,但在高工作电压的条件下会发生表面击穿等问题,因此需要对其进行封装提高侧面的耐压性能。该文选用光波导的方式对碳化硅晶片进行封装,通过玻璃浆料烧结键合、... 光导开关是一种新型半导体光电子器件,在光通讯、雷达、微波等领域广泛应用,但在高工作电压的条件下会发生表面击穿等问题,因此需要对其进行封装提高侧面的耐压性能。该文选用光波导的方式对碳化硅晶片进行封装,通过玻璃浆料烧结键合、真空热压键合和光波导胶键合3种方法对小面积的侧面异质键合进行研究。通过3种方法的工艺优化及键合质量性能测试,光波导胶键合方法对激光功率的损耗最小,实现器件耐压值提升至10 kV。 展开更多
关键词 光导开关 玻璃浆料烧结 真空热压 光波导胶 键合方法
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基于GaAs光导开关的THz超宽带反隐身雷达研究 被引量:2
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作者 戴慧莹 李希阳 +1 位作者 侯军燕 杨丽娜 《弹箭与制导学报》 CSCD 北大核心 2006年第S2期459-462,共4页
THz超宽带电磁波照射隐身目标时,由于其极宽的频谱,使得目标的吸波涂层及外形设计均失去作用,因此是反隐身的有力武器,基于半绝缘GaAs光导开关的THz源是目前实用性最高最有前途的THz源之一。文中分析了THz超宽带雷达反隐身的原理,基于... THz超宽带电磁波照射隐身目标时,由于其极宽的频谱,使得目标的吸波涂层及外形设计均失去作用,因此是反隐身的有力武器,基于半绝缘GaAs光导开关的THz源是目前实用性最高最有前途的THz源之一。文中分析了THz超宽带雷达反隐身的原理,基于半绝缘GaAs的PCSS's获得THz脉冲的方法以及对THz脉冲的发射、接收及信号处理等问题。 展开更多
关键词 THZ 超宽带雷达 反隐身 pcss’s
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光电导开关中的隧穿现象
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作者 刘庆纲 高霞 +2 位作者 赵琳 江宁川 胡小唐 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期269-272,共4页
采用光刻和大气环境下原子力显微镜(AFM)阳极诱导氧化加工相结合的加工方法,加工由Ti-TiOx-Ti纳米级隧道结构成其基本结构的微型光电导开关(PCSS),并对其电特性进行了研究和分析。研究结果表明在大气室温条件下,微型PC-SS的输出特性随... 采用光刻和大气环境下原子力显微镜(AFM)阳极诱导氧化加工相结合的加工方法,加工由Ti-TiOx-Ti纳米级隧道结构成其基本结构的微型光电导开关(PCSS),并对其电特性进行了研究和分析。研究结果表明在大气室温条件下,微型PC-SS的输出特性随氧化物宽度不同而不同,当宽度小于100nm时,其输出特性表现为在一个线性峰值的输出过后,又出现了一个非线性的峰值;在一定条件下Ti-TiOx-Ti纳米级隧道结存在隧穿效应,且其隧穿特性随绝缘金属氧化物的宽度不同而不同。 展开更多
关键词 微型光电导开关(pcss) 隧道结 隧穿现象 AFM阳极诱导氧化
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全装配式钢桁-混凝土组合梁剪力件焊缝疲劳分析 被引量:2
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作者 简传熠 陈浩 +2 位作者 周志祥 朱虎勇 高燕梅 《三峡大学学报(自然科学版)》 CAS 2021年第2期53-60,共8页
为了研究全装配式钢桁-混凝土组合梁桥剪力连接件焊缝疲劳问题,基于全装配式钢桁-混凝土组合梁传力机制,提出了全装配式钢桁-混凝土组合梁非连续传力模型理论,利用该理论计算得到了组合梁界面滑移值和剪力值,并进一步得出组合梁在荷载... 为了研究全装配式钢桁-混凝土组合梁桥剪力连接件焊缝疲劳问题,基于全装配式钢桁-混凝土组合梁传力机制,提出了全装配式钢桁-混凝土组合梁非连续传力模型理论,利用该理论计算得到了组合梁界面滑移值和剪力值,并进一步得出组合梁在荷载上限的焊缝剪应力幅值,以此来评价焊缝的疲劳性能.通过设计一实桥缩尺负弯矩区段模型进行疲劳试验,观察全装配式钢桁-混凝土组合试验梁剪力件焊缝在全熔透无损伤情况下的疲劳情况并和非传力模型计算结果进行对比分析.结果表明:随着疲劳加载次数的增加,试验模型桥面板和钢桁的应变值变化在7%以内,未发生应变突变,表明结构整体性良好,未发生焊缝疲劳失效;通过非传力模型计算出组合梁最大剪应力幅值为32.90 MPa,小于组合梁剪力连接件的容许抗力值69.56 MPa,焊缝剪应力幅值远远低于抗力值,不会产生焊缝疲劳问题,这与试验所得结果一致,为之后研究全装配式钢桁-混凝土组合梁的疲劳问题提供了参考. 展开更多
关键词 全装配钢桁组合梁 pcss剪力连接件 非连续传力模型 焊缝疲劳问题 试验研究
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GaAs光导开关损伤机理研究 被引量:1
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作者 孙飞翔 何晓雄 +1 位作者 常润发 奚野 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2017年第4期497-501,共5页
光导开关(photoconductive semiconductor switches,PCSS)的损伤分为热击穿和电击穿,2种击穿的原因都由开关基底材料陷阱特性决定,因此对芯片击穿机理与开关制作工艺关系的研究非常重要。文章依据开关芯片的材料特性和半导体工艺知识,... 光导开关(photoconductive semiconductor switches,PCSS)的损伤分为热击穿和电击穿,2种击穿的原因都由开关基底材料陷阱特性决定,因此对芯片击穿机理与开关制作工艺关系的研究非常重要。文章依据开关芯片的材料特性和半导体工艺知识,研究和分析了光导开关的击穿机理以及开关击穿可能存在的工艺问题。 展开更多
关键词 光导开关(pcss) 热击穿 电击穿 电子俘获效应 转移电子效应
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GaAs与InP半导体光导开关特性实验研究 被引量:12
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作者 阮驰 赵卫 +3 位作者 陈国夫 朱少岚 杨宏春 阮成礼 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期405-411,共7页
利用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)及其掺杂材料制作的光导开关具有很好的时间响应及高功率输出特性.比较了这两种材料制作的不同电极间隙类型的光导开关的开关时间响应速度、导通光能与饱和触发激光能量、线性与... 利用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)及其掺杂材料制作的光导开关具有很好的时间响应及高功率输出特性.比较了这两种材料制作的不同电极间隙类型的光导开关的开关时间响应速度、导通光能与饱和触发激光能量、线性与非线性工作模式及触发稳定性等特性.结果表明,利用InP和GaAs两种材料制作的光导开关都具有达到皮秒级的超快时间响应,其对时间最佳响应与偏置电场有关.两种开关的多次触发时间抖动在几个皮秒范围,输出电压峰峰值抖动优于10 %.GaAs开关的非线性工作电场阈值比InP开关低,更容易实现非线性输出. 展开更多
关键词 光导开关 砷化镓 磷化铟 化合物半导体
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高介电常数复合介质固态Blumlein线 被引量:10
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作者 陈德彪 刘承俊 +3 位作者 夏连胜 戴光森 张篁 程念安 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期174-176,共3页
以陶瓷聚合物复合介质作为储能介质,砷化镓光导半导体开关作为开关,设计了带状Blumlein线并对其进行了实验研究。实验结果表明,复合介质Blumlein介电常数高达80-250,在21Ω的匹配负载上获得电压幅值为2kV,前沿小于5ns,半高宽约34n... 以陶瓷聚合物复合介质作为储能介质,砷化镓光导半导体开关作为开关,设计了带状Blumlein线并对其进行了实验研究。实验结果表明,复合介质Blumlein介电常数高达80-250,在21Ω的匹配负载上获得电压幅值为2kV,前沿小于5ns,半高宽约34ns,波动约士10A的平顶宽为22ns的电压脉冲,能满足脉冲功率系统小型化的应用要求。 展开更多
关键词 固态Blumlein线 复合介质 光导半导体开关 脉冲功率源
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用回扫变压器赋能的光导开关功率辐射系统 被引量:4
18
作者 吴明和 阮成礼 +4 位作者 杨宏春 贾文选 曾刚 王珊 孙云卿 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期143-145,162,共4页
为了达到回扫脉冲调制器的预期指标,计算了相关参数;说明了选择回扫调制器作为脉冲高压电源的原因。该脉冲调制器可提高单个光导开关的耐压、寿命和天线的辐射功率,同时因该脉冲调制器体积小,重量轻,可将其和光导开关辐射系统组合为一... 为了达到回扫脉冲调制器的预期指标,计算了相关参数;说明了选择回扫调制器作为脉冲高压电源的原因。该脉冲调制器可提高单个光导开关的耐压、寿命和天线的辐射功率,同时因该脉冲调制器体积小,重量轻,可将其和光导开关辐射系统组合为一个子系统组合,各个子系统组合再组成天线阵系统,提高了天线阵的辐射能量. 展开更多
关键词 调制器 光导开关 回扫变压器 天线 YAG激光器 光电同步装置
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负微分迁移率和碰撞电离对GaAs光导开关非线性特性的影响 被引量:3
19
作者 张同意 石顺祥 +2 位作者 赵卫 龚仁喜 孙艳玲 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期445-449,共5页
对 Ga As光导开关非线性工作时 ,负微分迁移率和碰撞电离的作用进行了数值分析 ,给出了考虑和未考虑碰撞电离作用时的外电路电流输出波形 ,以及载流子和电场的空间分布和随时间演变的情况。计算表明 Ga As材料的负微分迁移率引起的微分... 对 Ga As光导开关非线性工作时 ,负微分迁移率和碰撞电离的作用进行了数值分析 ,给出了考虑和未考虑碰撞电离作用时的外电路电流输出波形 ,以及载流子和电场的空间分布和随时间演变的情况。计算表明 Ga As材料的负微分迁移率引起的微分负阻 ,会导致阴极附近电场的动态增强 ,使得阴极附近的电场达到本征碰撞电离发生的阈值电场 ,从而引发本征碰撞电离的发生。分析结果表明 ,碰撞电离可以极大地延长电流输出的时间 ,但仅考虑负微分迁移率特性的本征碰撞电离过程不足以完全解释观察到的所有非线性现象 。 展开更多
关键词 光导半导体开关 非线性工作模式 负微分迁移率 碰撞电离 模拟计算 GAAS 砷化镓 非线性特性
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同面电极砷化镓光导开关的导通特性 被引量:1
20
作者 刘英洲 韦金红 +2 位作者 王郎宁 李嵩 冯进军 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第1期10-17,共8页
砷化镓光导开关(GaAs PCSS)作为固态脉冲功率器件,具有可承载高电压、超快速导通、在高重复频率下稳定工作等特点。基于多雪崩电离畴理论,建立了同面电极GaAs PCSS的二维数值计算模型,分析了GaAs PCSS的瞬态导通特性和延迟击穿特性。仿... 砷化镓光导开关(GaAs PCSS)作为固态脉冲功率器件,具有可承载高电压、超快速导通、在高重复频率下稳定工作等特点。基于多雪崩电离畴理论,建立了同面电极GaAs PCSS的二维数值计算模型,分析了GaAs PCSS的瞬态导通特性和延迟击穿特性。仿真结果表明,载流子浓度的增加与雪崩电离畴的形成和演化之间存在正反馈环路,促使GaAs PCSS超快速导通;雪崩电离畴的形成和演化会影响PCSS的延迟击穿特性。偏置电压、光照强度、PCSS长度和触发位置均会影响PCSS的延迟时间和导通时间。该结论对GaAs PCSS设计及开展相关实验研究具有参考意义。 展开更多
关键词 砷化镓(GaAs) 光导开关(pcss) 同面电极 雪崩电离畴 超快速导通
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