PCVD技术在刀具涂层中的应用

为了提高刀具的切削性能,比较有效的一种方法是采用各种涂层技术在刀具基体上涂覆上一层或者多层高硬度、高耐磨损性能的材料,可以显著地提高加工效率、提高加工精度、延长刀具使用寿命。CVD沉积温度高（约1 000℃）,PVD绕镀性差,在一定程度上限定了材料的适用范围,而等离子体化学气相沉积（PCVD）的出现,恰好克服了CVD和PVD的不足。概述了PCVD技术及其应用显著效果,希望对PCVD技术进行推广应用。

PCVD技术在InSb CID焦平面阵列的应用

本文系统描述了用ＰＣＶＤ（光化学汽相淀积）技术在ＩｎＳｂ衬底上淀积ＳｉＯｘＮｙ介质膜的工艺过程。对ＳｉＯｘＮｙ膜进行测试分析，并用它作介质膜，钝化膜，作出了性能较好的ＩｎＳｂＣＩＤ焦平面器件。

MOPCVD制备Ti(CN)硬膜研究

采用金属有机物四异丙基钛 (Ti[OC3 H7]4 )为钛源 ,在辅助加热PCVD设备上进行沉积Ti(CN)涂层研究。并对涂层进行了显微硬度测量、扫描电镜观察和X射线衍射分析。结果表明 ,此法制备的Ti(CN)涂层其显微硬度可达 15 6 80N/mm2 。Ti(CN)涂层仍为柱状晶结构 ,Ti(CN)晶体的d(2 0 0 )值随着炉温和氢、氮比的变化而变化。切削实验证明 ,6mm高速钢钻头经MOPCVD Ti(CN)涂镀后提高使用寿命 7 3倍 ;经MOPCVD Ti(CN)涂镀的6 5mm×2 2mm× 5mm直齿三面刃铣刀使用寿命是非涂镀的 8倍。

PCVD法制备硅系纳米复合薄膜材料

纳米复合薄膜材料由于具有传统复合材料和现代纳米材料两者的优点,成为重要的前沿研究领域之一.其中半导体纳米复合材料,尤其是硅系纳米复合薄膜,由于具有独特的光电性能,加之与集成电路相兼容的制备技术,有着广泛的应用前景.近年来关于纳米复合薄膜的研究不断深入,但仍有许多问题没有完全解决.本文围绕硅系纳米复合薄膜的材料特点,说明了等离子体化学气相沉积(PCVD)技术的工作原理和装置结构,以及该技术在硅系纳米复合薄膜制备中的独特优点.并以氮化硅薄膜为重点,介绍纳米复合薄膜材料的PCVD制备技术.文章最后对硅系纳米复合薄膜的在光电技术等各个领域的应用前景做了一些展望.

论顋CVD技术

一、发展概况 1974年莫托洛拉公司引进LPCVD用于半导体工业,尔后又引进了LTO系统及等离子增强CVD技术,CVD技术得到了惊人的发展。据统计在1980年世界销售的化学气相淀积(CVD)设备已达一亿美元,超过了当年扩散炉的销售额。 关于PCVD(Piama Chemical VaporDeposition等离子化学气相淀积)技术的研究,1965年美国的H·F·Sterling进行了射频辉光放电下的CVD试验;1974年A·R·