直流热阴极PCVD法制备金刚石厚膜

建立和发展了非脉冲式的直流热阴极PCVD(PlasmaChemicalVapourDeposition)方法。通过采用温度为110 0℃～ 15 0 0℃的热阴极以及阴极和阳极尺寸不相等配置 ,在大的放电电流和高的气体气压下实现了长时间稳定的辉光放电 ,并用这种方法制备出大尺寸高质量的金刚石厚膜 ,其厚膜直径为 4 0mm～ 5 0mm ,膜厚为～ 4 .2mm ,生长速率最高达到 2 5 μm/h左右 ,在 5 μm/h～ 10 μm/h的生长速率下制出的金刚石厚膜 ,热导率一般在 10W/K·cm～12W /K·cm。高导热金刚石厚膜用做半导体激光二极管列阵的热沉和MCM的散热绝缘基板 。

CVD法与PCVD法TiN薄膜研究

用等离子体增强化学气相沉积 (PCVD)法和化学气相沉积 (CVD)法分别制备 Ti N系薄膜。采用扫描电镜、X射线衍射仪和连续加载压入仪研究分析薄膜的微观结构、相结构和薄膜的力学性能 ,并采用电极电位法测定了薄膜的耐腐蚀性能。研究表明 :PCVD法 Ti N系薄膜的微观组织形态明显优于同类的 CVD法薄膜 ,PCVD法薄膜晶粒尺寸细小、均匀 ,形态圆整 ,组织致密 ;CVD法薄膜晶粒形态为多边形 ,尺寸较粗大、不均匀 ,组织致密性差 ;PCVD法 Ti N系薄膜的韧性和结合力等力学性能可达到或优于同类 CVD法薄膜 ;虽然 PCVD法薄膜的氯含量 (约为 2 % )远高于 CVD法薄膜 (约为 0 .5 % ) ,但 PCVD法薄膜的耐蚀性能却明显优于 CVD法薄膜。还研究分析了 PCVD法和CVD法成膜模式对薄膜微观结构和性能的影响机理。

PCVD法制6.5%Si电工钢的研究

研究了PCVD法在电工钢上沉积Si的规律及其电磁性能,探讨了处理温度对表层中Si含量影响。DW620—50电工钢经PCVD处理后磁性能得以改善,高温扩散后其铁损降低了45.2％,磁饱和强度提高了4.5％。

PCVD法对碳化硅陶瓷的表面改性研究

利用等离子辉光放电化学气相沉积技术（ＰＣＶＤ），控制甲烷与磋烷质量流量比、硅烷与氨质量流量比，在碳化硅基体表面分别沉积上无定形碳化硅和氨化硅薄膜，研究其膜的组成、沉积工艺、厚度等对碳化硅陶瓷的强度改性影响．在一定的沉积条件下沉积的碳化硅薄膜可以使基体强度提高２０％达到８５０ＭＰａ，沉积氮化硅薄膜使强度提高３０％达到９００ＭＰａ，改性的效果很明显．

直流PCVD法沉积TiN超硬膜工艺中的几个问题

本文讨论了直流PCVD法沉积TiN工艺中温度控制、色泽控制等问题,提出了预防工件过热、确保涂层色泽的工艺措施,还提出了涂层黑斑的成因及消除方法。

PCVD法合成的无定形Si_3N_4纳米粉末和薄膜的红外特性比较

用等离子冷放电化学气相法（PCVD）合成的高纯、超细的无定形Si3N4粉末，储放了不同时间和在红外灯下烘烤短时间后，进行红外光谱的测定．发现合成的粉末刚暴露于空气中就产生了氧化，而后随着储放时问的延长，表面氧化愈来愈严重，Si－O键的吸收峰强度明显增强，而Si－N－Si键，Si-H键的吸收峰则愈来愈弱，直至仅有极小的吸收．而用低温PCVD法合成的无定形薄膜的特征吸收峰宽且强，与刚合成的粉末的红外谱有许多相同之处，但峰的形状，强度不随时间的变化而变化．

光纤PCVD法激光熔融过程分析

利用热传导理论，结合ＬＰＨＶＤ（激光等离子体混合气相沉积）工艺，从激光功率密度、光斑尺寸、预制棒平动速度和转动速度等方面分析光纤ＰＣＶＤ法中激光熔融过程，并优化这些参数，得到功率密度、运动速度、熔融时间、熔融厚度等之间的具体关系。

用PCVD法制备(TiAl)N膜的研究

本文介绍了在PCVD设备中用固态AlCl_3制备(TiAl)N膜。结果表明,(TiAl)N膜的含Al量与AlCl_3的蒸发温度成正比,但膜内Cl含量却无明显变化。(TiAl)N膜保持了TiN膜的面心立方晶体结构,但其晶格常数变小,织构变弱,组织略有细化。(TiAl)N膜的显微硬度略高于或等于TiN膜的硬度,但抗高温氧化性有较大幅度提高。

PCVD法超微粒α-Fe_2O_3的敏感特性

普通的α—Fe_2O_3,由于其所具有的高稳定性,对气体是不够敏感的。由于加入了SO_4^(2-)和 M^(4+)(M=Sn,Ti,Zr)使其微细化后成了具有实用价值的气敏材料。通常被用于检测烷烃等可燃性气体。在此基础上,用超微粒 Au 敏化的 Ti—α—Fe_2O_3材料实现了对 CO 的选择性检测。研制超微粒化、薄膜化和复合化的α—Fe_2O_3新型材料是当前气敏材料研究领域的一个重要课题。一、实验方法利用文献的方法合成超微粒氧化铁,并制成管状气敏元件,经热处理获得所需气敏元件。采用外加热动态脉冲法测试其气敏性能,用 Ra/Rg 表示气敏元件的灵敏度。

PCVD法渗6.5%Si的动力学问题研究

提高硅钢片磁性能的最佳途径是提高钢片的硅含量。本研究采用等离子体化学气相沉积 ( PCVD)法 ,在( 0 .1～ 0 .3) mm厚的普通硅钢片表面上涂硅 ,然后进行短时间高温扩散处理。结果表明 :硅钢片的 Si含量可达到 6.5% ,磁性能有很大改善。在 ( 460～ 60 0 )℃范围内渗硅 ,其它条件不变 ,渗硅速度随着温度的升高而降低 ,这是由等离子体反应的特殊动力学和热力学性质所决定。

MPCVD法合成金刚石膜的基片影响因素

以乙醇和氢气作为工作气源,采用微波等离子化学气相沉积（MPCVD）法在较低温度时制备了金刚石膜,并探讨了基片位置、基片温度对金刚石膜生长的影响。结果表明：当基片置于等离子球边缘处、基片温度为810℃时,沉积所得金刚石膜的质量相对最好,其体积电阻率（0.82×1013Ω·cm）相对最大。0前言随着集成电路技术的迅速发展,电子产品的尺寸越来越小,其散热性能已成为影响电子产品寿命的主要因素之一。在高分子基体或无机硅酸盐基体中,通过添加高导热绝缘填料制成的复合材料,可有效提高材料的导热性能。环氧树脂（EP）具有优良的力学性能、粘接性能和绝缘性能，已广泛应用于大规模集成电路的封装和极端条件用复合材料的基体树脂；而金刚石则具备优异的绝缘性能和导热性能，能保证电子器件的稳定运行，并且在EP中分散性良好。因此，以金刚石为导热填料、EP为基体的导热绝缘胶粘剂，可使材料的导热性能大大提高。然而，天然金刚石成本昂贵，势必会限制其在电子行业的广泛应用。利用低压气相法合成的金刚石膜，其性能几乎与天然金刚石接近，一经问世就立即受到了人们的关注。

PCVD法TiN、TiCN涂层工艺研究

研究了四氯化钛、氮气、甲烷通入量对 PCVD 法沉积 TiN、TiCN 涂层硬度、沉积速率以及颜色的影响,进行了磨损试验。结果表明,不同色泽的 TiN 膜中,以金黄色 TiN 涂层硬度最高,磨损量最小。

PCVD法制备ZrO_2和YSZ薄膜

以金属β-二酮类有机螯合物Zr(DPM)_4和Y(DPM)_3为挥发性源物质,采用微波等离子体化学气相淀积法于较低的温度下(420～560℃)成功地在多孔α-Al_2O_3陶瓷、非晶玻璃等衬底上制备出致密的ZrO_2和YSZ薄膜材料。XRD分析结果表明,纯ZrO_2薄膜中除了单斜相外还存在着亚稳态的四方相。当掺入的Y_2O_3摩尔百分含量大于或等于7％时,ZrO_2完全被稳定成立方相。SEM观察表明,在等离子体内的不同区域中生成的薄膜形貌有所不同。XPS检测了YSZ薄膜中Zr3d_(5/2)和Zr3d_(3/2)的电子结合能,发现较ZrO_2的标准值低0.7eV。由TEM观察和由XRD衍射蜂半宽度计算,所制备的ZrO_2和YSZ薄膜中微晶粒径在10nm左右。

挤压轮表面PCVD法制备T(iCN)涂层组织与性能

通过挤压轮的失效形式分析,表面裂纹是引起其失效的主要原因。应用PCVD法对挤压轮(H13)进行表面改性处理,在其表面备制了一层T(iCN)涂层。通过扫描电镜观察T(iCN)涂层表面的形貌以及断口组织形貌,用EDS对其化学元素进行能谱分析,测试了T(iCN)涂层表面显微硬度和粗糙度。结果表明T(iCN)涂层中所含Ti元素的质量和原子百分比为最多,涂层界面结合良好,其表面硬度为1004HV,粗糙度为1.23μm,有利于改善其疲劳性能和延长使用寿命。

PCVD法数据光纤的研制

本文报道了ＰＣＶＤ法数据光纤的研制，包括光纤设计、工艺流程及关键工艺问题，还给出了该数据光纤产品性能的统计结果。

PCVD 法沉积 TiN 膜若干问题的研究探讨

探讨了ＰＣＶＤ法沉积ＴｉＮ膜器壁副产物的成分及形成机制，并提出了解决办法。同时对脉冲、直流ＰＣＶＤ沉积ＴｉＮ膜中的氯含量、膜的生长、晶粒大小及膜结构进行了对比分析，认为脉冲ＰＣＶＤ比直流ＰＣＶＤ更适合于ＴｉＮ膜的沉积。

PCVD 法模具表面强化技术的研究

介绍离子氮化＋镀ＴｉＮ的复合渗镀（简称ＰＣＶＤ）的模具表面强化新技术，表面强化层是由氮化层和气相沉积镀层组成，皆由ＰＣＶＤ法制备。试验表明这种复合表面可以显著提高各类模具的使用寿命。还可以改善压铸模具钢的热疲劳性能和耐铝液腐蚀性能。