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一种抗总剂量辐照的新型PD SOI器件
被引量:
1
1
作者
李孟窈
刘云涛
蒋忠林
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第1期101-105,共5页
提出了一种具有叠层埋氧层的新栅型绝缘体上硅(SOI)器件。针对SOI器件的抗总电离剂量(TID)加固方案,对绝缘埋氧层(BOX)采用了叠层埋氧方案,对浅沟槽隔离(STI)层采用了特殊S栅方案。利用Sentaurus TCAD软件,采用Insulator Fixed Charge...
提出了一种具有叠层埋氧层的新栅型绝缘体上硅(SOI)器件。针对SOI器件的抗总电离剂量(TID)加固方案,对绝缘埋氧层(BOX)采用了叠层埋氧方案,对浅沟槽隔离(STI)层采用了特殊S栅方案。利用Sentaurus TCAD软件,采用Insulator Fixed Charge模型设置固定电荷密度,基于0.18μm CMOS工艺对部分耗尽(PD)SOI NMOS进行了TID效应仿真,建立了条栅、H栅、S栅三种PD SOI NMOS器件的仿真模型。对比三种器件辐照前后的转移特性曲线、阈值电压漂移量、跨导退化量,验证了该器件的抗TID辐照性能。仿真结果表明,有S栅的器件可以抗kink效应,该PD SOI NMOS器件的抗TID辐照剂量能力可达5 kGy。
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关键词
STI
pd
soi
nmos
总剂量辐照
S栅体接触
KINK效应
下载PDF
职称材料
题名
一种抗总剂量辐照的新型PD SOI器件
被引量:
1
1
作者
李孟窈
刘云涛
蒋忠林
机构
哈尔滨工程大学信息与通信工程学院
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第1期101-105,共5页
基金
黑龙江省自然科学基金资助项目(JJ2018ZR1021)。
文摘
提出了一种具有叠层埋氧层的新栅型绝缘体上硅(SOI)器件。针对SOI器件的抗总电离剂量(TID)加固方案,对绝缘埋氧层(BOX)采用了叠层埋氧方案,对浅沟槽隔离(STI)层采用了特殊S栅方案。利用Sentaurus TCAD软件,采用Insulator Fixed Charge模型设置固定电荷密度,基于0.18μm CMOS工艺对部分耗尽(PD)SOI NMOS进行了TID效应仿真,建立了条栅、H栅、S栅三种PD SOI NMOS器件的仿真模型。对比三种器件辐照前后的转移特性曲线、阈值电压漂移量、跨导退化量,验证了该器件的抗TID辐照性能。仿真结果表明,有S栅的器件可以抗kink效应,该PD SOI NMOS器件的抗TID辐照剂量能力可达5 kGy。
关键词
STI
pd
soi
nmos
总剂量辐照
S栅体接触
KINK效应
Keywords
STI
pd soi nmos
total dose irradiation
S-gate contact
kink effect
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种抗总剂量辐照的新型PD SOI器件
李孟窈
刘云涛
蒋忠林
《微电子学》
CAS
北大核心
2021
1
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