C-N化合物薄膜的PE-HFCVD合成研究

对等离子体增强热丝化学气相沉积 (PE HFCVD)Si衬底上合成的C N薄膜进行了研究 .利用X射线衍射 (XRD)、反射式高能电子衍射 (RHEED)、扫描电子显微镜 (SEM)等对C N薄膜的物相、形貌以及沉积层结构进行了分析 .结果证实 :在Si衬底上能形成了α C3N4 和 β C3N4 混合相 ,且气流中V(NH3)∶V(CH4 )的比值直接影响C N薄膜中混合相的含量 .由于α C3N4 和 β C3N4 相之间存在的竞相生长 ,导致晶粒很难长大 ,从而形成聚晶结构 ,每个聚晶由大量的纳米晶组成 .