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应用于PECVD过渡流模拟的NS/DSMC双向耦合方法特性研究
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作者 刘万锁 岳向吉 蔺增 《东北大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期1591-1595,1603,共6页
将纳维-斯托克斯(NS)方程方法与直接模拟蒙特卡罗(DSMC)方法耦合以实现过渡流态计算.相对过去欠缺反馈机制的单向耦合方法,提出以NS,DSMC速度场相互修正边界值的方法实现双向耦合方法的反馈机制,这对于非稳态研究和数值修正十分重要.结... 将纳维-斯托克斯(NS)方程方法与直接模拟蒙特卡罗(DSMC)方法耦合以实现过渡流态计算.相对过去欠缺反馈机制的单向耦合方法,提出以NS,DSMC速度场相互修正边界值的方法实现双向耦合方法的反馈机制,这对于非稳态研究和数值修正十分重要.结果表明,双向耦合结果与全局DSMC结果有高相似性,相对单向耦合具有更高的效率、稳定性及精度,提高耦合强度可以提升稳定性与精度.双向耦合通过采用全局NS结果边界值获得更高的子域收敛性、稳定性及精度.提出超前演算方法可以增强DSMC域的时间耦合性,为非稳态计算奠定基础. 展开更多
关键词 NS/DSMC方法 双向耦合 过渡流 超前演算 pecvd
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用VHF-PECVD技术研制大面积均匀硅基薄膜 被引量:2
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作者 薛俊明 侯国付 +5 位作者 王凯杰 孙建 任慧志 张德坤 赵颖 耿新华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1227-1232,共6页
首先对电极表面VHF频段电场分布进行了详细的物理分析,认为当激发频率在VHF频段时驻波和损耗波对电场均匀性分布影响很大,而通过选择不同的电源馈入方式可减小其影响。采用中心馈入法,对馈线和电极的连接方式进行了仔细研究,然后就工作... 首先对电极表面VHF频段电场分布进行了详细的物理分析,认为当激发频率在VHF频段时驻波和损耗波对电场均匀性分布影响很大,而通过选择不同的电源馈入方式可减小其影响。采用中心馈入法,对馈线和电极的连接方式进行了仔细研究,然后就工作压力、沉积功率、流量等工作参数对均匀性、沉积速率、材料特性的影响进行了研究。结果表明:在本文所研究的范围内,适当提高工作气压可以提高薄膜的均匀性,而功率的变化对均匀性影响不大;在一定范围内提高工作气压和功率都可提高沉积速率;从薄膜的质量来说,气压低时较好,而功率则应适当选择。通过优化沉积条件,我们在普通浮法玻璃上制备出了面积为23×24cm^2,厚度不均匀性为±1.4%,最高沉积速率达10.5/s,光敏性最大为2.25×10~5的a-Si:H薄膜材料。 展开更多
关键词 VHF-pecvd 硅基薄膜 大面积均匀性 电源馈入方式
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连续压入法评定等离子体增强化学气相沉积(PECVD)TiN膜基结合强度
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作者 谢飞 刘青林 +1 位作者 易茂中 何家文 《江苏石油化工学院学报》 1999年第2期4-7,共4页
介绍了一种新型涂层压入仪。对比了压入法、划痕法、接触疲劳法测定不同处理基体、同类PECVD TiN 膜基结合强度的变化规律。结果表明采用该压入仪, 运用连续加载压入法, 可方便地定性或半定量测定PECVD TiN 膜基结合... 介绍了一种新型涂层压入仪。对比了压入法、划痕法、接触疲劳法测定不同处理基体、同类PECVD TiN 膜基结合强度的变化规律。结果表明采用该压入仪, 运用连续加载压入法, 可方便地定性或半定量测定PECVD TiN 膜基结合优劣。该法所测临界载荷Pc 不仅反映膜基结合的优劣, 还反映了膜基体系的承载能力。 展开更多
关键词 膜基结合强度 压入法 氮化钛 化学气相沉积 镀膜
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PECVD法制备类金刚石薄膜结构和表面形貌分析 被引量:1
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作者 潘德芳 苑进社 +1 位作者 秦国平 刘颖丹 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期37-39,共3页
以CH4为碳源,Ar气为载气,采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在硅(100)衬底上制备了类金刚石(DLC)薄膜。利用拉曼(Raman)光谱仪与原子力显微镜(AFM)对其结构与表面形貌进行了表征。结果表明:所制备的DLC薄膜是含sp3和sp2混合键的非... 以CH4为碳源,Ar气为载气,采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在硅(100)衬底上制备了类金刚石(DLC)薄膜。利用拉曼(Raman)光谱仪与原子力显微镜(AFM)对其结构与表面形貌进行了表征。结果表明:所制备的DLC薄膜是含sp3和sp2混合键的非晶态碳膜,其表面均匀、光滑、致密;且随着射频功率的提高,薄膜的平均晶粒直径由8.0nm降为4.2nm,粗糙度由2.2nm减为0.9nm。 展开更多
关键词 类金刚石薄膜(DLC) pecvd 薄膜结构 表面形貌
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亚微米间距PECVD填隙工艺研究 被引量:1
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作者 王学毅 王飞 +2 位作者 冉明 刘嵘侃 杨永晖 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第1期60-63,共4页
将半导体制造中常规的等离子增强化学气相淀积(PECVD)SiO_2工艺和等离子反应离子刻蚀(RIE)SiO_2工艺结合起来,利用三步填充法实现亚微米间距的金属间介质填充制作。此方法有效解决了常规微米级等离子增强化学气相淀积工艺填充亚微米金... 将半导体制造中常规的等离子增强化学气相淀积(PECVD)SiO_2工艺和等离子反应离子刻蚀(RIE)SiO_2工艺结合起来,利用三步填充法实现亚微米间距的金属间介质填充制作。此方法有效解决了常规微米级等离子增强化学气相淀积工艺填充亚微米金属条间隙的空洞问题。实验结果表明,在尺寸大于0.5μm的金属条间隙中没有发现介质填充的空洞问题。空洞问题的解决,使得"三步填充法"的介质填充技术在工艺中能够实用化,并应用到亚微米多层金属布线工艺当中。 展开更多
关键词 等离子增强化学气相淀积(pecvd) 二氧化硅(SiO2) 反应离子刻蚀(RIE) 三步填充法 亚微米间隙 金属间介质(IMD) 空洞
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PECVD法制备非晶硅薄膜及光电性能研究
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作者 曹阳 武光明 +2 位作者 高德文 张志乾 周洋 《纳米科技》 2011年第6期31-34,52,共5页
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在玻璃衬底上制备出非晶硅薄膜,利用正交试验法对射频功率、气体总压、硅烷比例、沉积时间、退火温度、退火时间因素进行了研究,对透过率和电阻率进行了分析,结果表明,采用PECVD法成功制... 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在玻璃衬底上制备出非晶硅薄膜,利用正交试验法对射频功率、气体总压、硅烷比例、沉积时间、退火温度、退火时间因素进行了研究,对透过率和电阻率进行了分析,结果表明,采用PECVD法成功制备出非晶硅薄膜。正交实验表的分析得知,气体总压对透过率影响最大;硅烷比例对电阻率影响最大。制备非晶硅薄膜的优化条件为:射频功率30W、气体总压100Pa,硅烷5%、沉积时间5min、退火温度300℃、退火时间45min。非晶硅薄膜的光透过率93.18%,电阻率为13.238kΩ·cm。 展开更多
关键词 pecvd 非晶硅薄膜 光电性能
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管式PECVD工艺对太阳电池镀膜颜色均匀性的影响研究 被引量:3
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作者 胡军英 江民华 《江西化工》 2020年第6期81-84,共4页
高效单晶PERC电池为当前太阳电池产业中主要的大规模扩张方向,其主要的生产流程包括制绒、磷扩散、掺杂、刻蚀、PECVD、丝网印刷、烧结等工序,其中PECVD工序负责光学减反射氮化硅薄膜的制备和表面钝化的重要任务,其对高效单晶PERC电池... 高效单晶PERC电池为当前太阳电池产业中主要的大规模扩张方向,其主要的生产流程包括制绒、磷扩散、掺杂、刻蚀、PECVD、丝网印刷、烧结等工序,其中PECVD工序负责光学减反射氮化硅薄膜的制备和表面钝化的重要任务,其对高效单晶PERC电池的外观和效率起到重要影响。本文通过设计改变管式PECVD工艺中的新旧卡点选用和石墨舟运行次数的参数,探索了影响镀膜颜色的均匀性的规律,得出了有利于改善镀膜颜色均匀性的结论。 展开更多
关键词 高效单晶PERC 管式pecvd 镀膜颜色均匀性 标准差 控制变量法
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TiO_2纳米粒子膜的表面态性质对光催化活性的影响 被引量:24
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作者 曹亚安 丁兰 +8 位作者 马颖 管自生 谢腾峰 张昕彤 吴志芸 白玉白 李铁津 姚建年 吴越 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第11期1787-1789,共3页
TiO 2 nanoparticle film catalysts with different thicknesses were prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) method and the surfaces were subsequently treated by TiCl 4 or O 2 plasma. Two kinds of Ti... TiO 2 nanoparticle film catalysts with different thicknesses were prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) method and the surfaces were subsequently treated by TiCl 4 or O 2 plasma. Two kinds of TiO 2 films with different surface properties were obtained. Their surface microstructures and energy levels of surface states were tested by AFM, XRD, SPS. The photocatalytic activities of the catalysts were determined via photodegradation experiments of phenol. The results demonstrated that photocatalytic activities of samples whose surface was treated by O 2 plasma were greater than those treated by TiCl 4 plasma. Moreover, photodegradation ratio of phenol during the first hour catalyzed by 0.17 μm thickness TiO 2 nanoparticle film was greater than other samples. Especially, the difference of photocatalytic activities of TiO 2 nanoparticle films treated by TiCl 4 or O 2 plasma was respectively explained by energy band theory. 展开更多
关键词 纳米粒子膜 pecvd 表面态 二氧化钛 光催化剂
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以高性价比颗粒硅带为衬底多晶硅薄膜的二次引铝低温制备法
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作者 邱春文 石旺舟 +1 位作者 王晓晶 周燕 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期361-365,共5页
本文报道了在廉价的颗粒硅带上用PECVD法并两次引入铝的工艺制备多晶硅薄膜。第一次引入铝是为了去除薄膜上过多的杂质 ;第二次引入铝是为了实现低温诱导结晶。通过对薄膜样品的拉曼谱和X射线衍射 (XRD)谱分析 ,我们认为金属低温诱导结... 本文报道了在廉价的颗粒硅带上用PECVD法并两次引入铝的工艺制备多晶硅薄膜。第一次引入铝是为了去除薄膜上过多的杂质 ;第二次引入铝是为了实现低温诱导结晶。通过对薄膜样品的拉曼谱和X射线衍射 (XRD)谱分析 ,我们认为金属低温诱导结晶成功与否跟诱导前薄膜的结构密切相关。采用该工艺成功地制备了结晶度 92 %左右、可应用于太阳能电池的高纯优质多晶硅薄膜。 展开更多
关键词 性价比 多晶硅带衬底 多晶硅薄膜 等离子体化学气相沉积法 二次引铝 低温制备 太阳能电池
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常规退火与光退火固相晶化的对比 被引量:4
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作者 靳锐敏 卢景霄 +4 位作者 王海燕 张丽伟 王生钊 刘萍 王红娟 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1171-1173,共3页
为研究传统炉子退火与光退火固相晶化的不同特点,用石英玻璃作衬底,在室温、350℃和450℃下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-S i:H)薄膜,把沉积的样品分别在850℃下用传统炉子退火3h、用光快速热处理(RTP)5m in,然后用Ram an、XRD和SEM分析对... 为研究传统炉子退火与光退火固相晶化的不同特点,用石英玻璃作衬底,在室温、350℃和450℃下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-S i:H)薄膜,把沉积的样品分别在850℃下用传统炉子退火3h、用光快速热处理(RTP)5m in,然后用Ram an、XRD和SEM分析对比,发现传统炉子退火后的晶粒分布不均匀,光退火后的晶粒分布均匀。XRD分析发现两种方法晶粒尺寸均为30nm左右。 展开更多
关键词 pecvd 非晶硅薄膜 传统退火炉子 光退火 晶粒大小 拉曼光谱 XRD SEM
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A fast method to diagnose phase transition from amorphous to microcrystalline silicon 被引量:4
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作者 HOU GuoFu XUE JunMing +3 位作者 YUAN YuJie SUN Jian ZHAO Ying GENG XinHua 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2007年第6期731-736,共6页
A series of hydrogenated silicon thin films were prepared by the radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition method (RF-PECVD) with various si-lane concentrations. The influence of silane concentration o... A series of hydrogenated silicon thin films were prepared by the radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition method (RF-PECVD) with various si-lane concentrations. The influence of silane concentration on structural and elec-trical characteristics of these films was investigated to study the phase transition region from amorphous to microcrystalline phase. At the same time,optical emis-sion spectra (OES) from the plasma during the deposition process were monitored to get information about the plasma properties,Raman spectra were measured to study the structural characteristics of the deposited films. The combinatorial analysis of OES and Raman spectra results demonstrated that the OES can be used as a fast method to diagnose phase transition from amorphous to microcrystalline silicon. At last the physical mechanism,why both OES and Raman can be used to diagnose the phase transition,was analyzed theoretically. 展开更多
关键词 amorphous silicon microcrystalline silicon phase transition optical emission spectroscopy
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纳米多孔氧化硅薄膜的表征及其基于UAFM弹性性能的检测 被引量:1
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作者 张改梅 王灿 +2 位作者 宋晓利 何存富 陈强 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期109-114,共6页
纳米级多孔氧化硅薄膜介电常数低,和铝复合后可以大大降低电阻损耗,是最有希望的新一代低介电材料。在纳电子器中低介电薄膜孔隙率及孔尺寸可以控制其机械性能。薄膜的弹性模量是器件设计的必需参数,然而传统方法很难在纳米尺度表征弹... 纳米级多孔氧化硅薄膜介电常数低,和铝复合后可以大大降低电阻损耗,是最有希望的新一代低介电材料。在纳电子器中低介电薄膜孔隙率及孔尺寸可以控制其机械性能。薄膜的弹性模量是器件设计的必需参数,然而传统方法很难在纳米尺度表征弹性模量。采用等离子体增强化学气相沉积法,以六甲基二硅氧烷为单体,氧气作为反应气体,再加入少量的有机物质在玻璃基材上沉积纳米厚度的氧化硅薄膜,再进行热处理使氧化硅薄膜中的有机成分挥发形成孔隙(以下称纳米多孔氧化硅薄膜),从而降低薄膜介电常数。结果表明氧化硅薄膜的折射率热处理后得到减小,当放电功率为100 W时,氧气与单体的比例为1∶4时,放电时间10 min沉积的薄膜热处理后的纳米多孔氧化硅薄膜的折射率最小,介电常数1.885。首次采用超声原子力显微镜技术对纳米多孔氧化硅薄膜的弹性性能进行无损检测,分别检测纳米氧化硅薄膜和纳米多孔氧化硅薄膜的前两阶接触谐振频率。以纳米氧化硅薄膜为参考试样,利用参考法计算得到纳米多孔氧化硅薄膜的压痕模量为35.24 GPa。相比纳米氧化硅薄膜的压痕模量78.18 GPa,纳米多孔氧化硅薄膜的压痕模量降低了42.94 GPa。 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积 纳米多孔氧化硅薄膜 超声原子力显微镜 参考法 弹性模量
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