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介质阻挡放电常压化学气相沉积技术及其在薄膜制备中的应用
被引量:
1
1
作者
徐世友
张溪文
韩高荣
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2003年第9期75-77,共3页
介质阻挡放电(DBD)是一种可以在常压下工作的放电形式,以这种放电形式为离子源的介质阻挡化学气相沉积(DBD-CVD)技术可以以较高的反应物流量实现多种薄膜的沉积,因而有广阔的应用前景。综述了DBD技术的发展历史及相关理论,着重介绍了DBD...
介质阻挡放电(DBD)是一种可以在常压下工作的放电形式,以这种放电形式为离子源的介质阻挡化学气相沉积(DBD-CVD)技术可以以较高的反应物流量实现多种薄膜的沉积,因而有广阔的应用前景。综述了DBD技术的发展历史及相关理论,着重介绍了DBD-CVD技术及其应用现状,并提出展望。
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关键词
介质阻挡放电
dbd
化学气相沉积
薄膜制备
半导体
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职称材料
题名
介质阻挡放电常压化学气相沉积技术及其在薄膜制备中的应用
被引量:
1
1
作者
徐世友
张溪文
韩高荣
机构
浙江大学材料系硅材料国家重点实验室
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2003年第9期75-77,共3页
基金
国家自然科学基金(60006003)
文摘
介质阻挡放电(DBD)是一种可以在常压下工作的放电形式,以这种放电形式为离子源的介质阻挡化学气相沉积(DBD-CVD)技术可以以较高的反应物流量实现多种薄膜的沉积,因而有广阔的应用前景。综述了DBD技术的发展历史及相关理论,着重介绍了DBD-CVD技术及其应用现状,并提出展望。
关键词
介质阻挡放电
dbd
化学气相沉积
薄膜制备
半导体
Keywords
pecvd
,
dbd
,
dbd-c vd
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
介质阻挡放电常压化学气相沉积技术及其在薄膜制备中的应用
徐世友
张溪文
韩高荣
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2003
1
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