1
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PECVD法淀积TiSi_2薄膜性质及应用研究 |
杨林安
周南生
严北平
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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1990 |
0 |
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2
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淀积参数对PECVD氮化硅薄膜力学特性的影响 |
王小飞
韩建强
宋美绚
严天宏
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《微纳电子技术》
CAS
北大核心
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2011 |
2
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3
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如何运用建中L42812-1/ZM型平板单室PECVD淀积生长速率低于100 /min的致密SiO_2膜层 |
杨彦伟
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《深圳特区科技》
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2005 |
0 |
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4
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PECVD氮化硅薄膜制备工艺研究 |
李伟东
吴学忠
李圣怡
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《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2005 |
3
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5
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亚微米间距PECVD填隙工艺研究 |
王学毅
王飞
冉明
刘嵘侃
杨永晖
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《微纳电子技术》
北大核心
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2016 |
1
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6
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用PECVD制备高抗腐蚀性能SiN_x薄膜的工艺研究 |
刘瑞文
焦斌斌
欧毅
陈大鹏
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《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
3
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7
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无氨氮化硅薄膜在MEMS硅腐蚀中的应用 |
胥超
徐永青
杨志
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《微纳电子技术》
CAS
北大核心
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2014 |
2
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8
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基于反射光谱的单层抗反射膜的非在位膜厚精确控制 |
徐建明
熊兵
袁贺
孙长征
罗毅
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《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
1
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