化学场效应管氨气传感器的制备及特性研究

采用化学氧化聚合法制备了3,4-聚乙撑二氧噻吩(简称PEDT),并运用SEM和红外吸收光谱对其薄膜进行表征;同时将其沉积在N沟道耗尽型无金属栅场效应管上,形成以PEDT膜取代MOSFET栅金属的化学场效应管(ChemFET)气体传感器,研究了其对氨气和温度的敏感特性。研究表明在氨气浓度低于54ppm的情况下,ChemFET的漏电流随着氨气浓度的增加而减小,其变化量(△IDS)随氨气浓度的变化呈线性关系;同时漏电流随着负的衬底电压的增加而减小,随着温度的升高而降低。