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脱氟化氢聚偏氟乙烯膜的制备,表征和导电性能的研究
被引量:
3
1
作者
洪洁
杨士勇
+2 位作者
张旭庆
陆伟
张景云
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1997年第8期817-823,共7页
聚偏氟乙烯(PVDF)膜与一些有机弱碱作用脱氟化氢(HF)生成表面为聚一氟乙炔(PFA)的膜.红外、紫外可见光谱分析表明脱HF的PVDF膜的共轭链结构比较规整.X光电子能谱、反应深度和接触度的分析表明,PVDF脱HF反应主要发生在膜表面,脱HF的PVDF...
聚偏氟乙烯(PVDF)膜与一些有机弱碱作用脱氟化氢(HF)生成表面为聚一氟乙炔(PFA)的膜.红外、紫外可见光谱分析表明脱HF的PVDF膜的共轭链结构比较规整.X光电子能谱、反应深度和接触度的分析表明,PVDF脱HF反应主要发生在膜表面,脱HF的PVDF膜(PFA)经各种掺杂剂掺杂后电导率上升5~6个数量级,最高可达10^(-4)S/cm,且在掺杂过程中表现出的性质不同于聚乙炔.
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关键词
脱氟化氢
聚偏氟乙烯
膜
PVDF
膜
导电性
pfa膜
下载PDF
职称材料
题名
脱氟化氢聚偏氟乙烯膜的制备,表征和导电性能的研究
被引量:
3
1
作者
洪洁
杨士勇
张旭庆
陆伟
张景云
机构
中国科学院上海有机化学研究所
出处
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1997年第8期817-823,共7页
基金
国家青年自然科学基金项目
文摘
聚偏氟乙烯(PVDF)膜与一些有机弱碱作用脱氟化氢(HF)生成表面为聚一氟乙炔(PFA)的膜.红外、紫外可见光谱分析表明脱HF的PVDF膜的共轭链结构比较规整.X光电子能谱、反应深度和接触度的分析表明,PVDF脱HF反应主要发生在膜表面,脱HF的PVDF膜(PFA)经各种掺杂剂掺杂后电导率上升5~6个数量级,最高可达10^(-4)S/cm,且在掺杂过程中表现出的性质不同于聚乙炔.
关键词
脱氟化氢
聚偏氟乙烯
膜
PVDF
膜
导电性
pfa膜
分类号
O631.23 [理学—高分子化学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
脱氟化氢聚偏氟乙烯膜的制备,表征和导电性能的研究
洪洁
杨士勇
张旭庆
陆伟
张景云
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1997
3
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职称材料
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