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脉冲高能量密度等离子体法类金刚石膜的制备及分析
被引量:
14
1
作者
杨武保
范松华
+3 位作者
刘赤子
张谷令
王久丽
杨思泽
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期140-144,共5页
利用脉冲高能量密度等离子体法在光学玻璃衬底上、在室温下成功的制备了光滑、致密、均匀的纳米类金刚石膜 .工艺研究表明 :放电电压和放电距离以及工作气体种类对纳米类金刚石膜的沉积起着关键作用 .利用拉曼光谱、扫描电镜以及电子能...
利用脉冲高能量密度等离子体法在光学玻璃衬底上、在室温下成功的制备了光滑、致密、均匀的纳米类金刚石膜 .工艺研究表明 :放电电压和放电距离以及工作气体种类对纳米类金刚石膜的沉积起着关键作用 .利用拉曼光谱、扫描电镜以及电子能量损失谱分析薄膜的形态结构表明 :薄膜具有典型的类金刚石特征 ;纳米类金刚石膜的晶粒尺寸小于 2 0nm甚至为非晶态 ;类金刚石膜中含有一定量的氮原子 ,随着沉积能量的升高 ,氮的含量增大 .纳米类金刚石膜的薄膜电阻超过 10 9Ω cm2 .对放电溅射过程进行了理论分析 ,结果与工艺研究的结论吻合 .
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关键词
脉冲高能量密度等离子体法
制备
phedp
法
类金刚石膜
拉曼光谱
扫描电镜
原文传递
脉冲高能量密度等离子体法制备TiN薄膜及其摩擦磨损性能研究
被引量:
27
2
作者
刘元富
张谷令
+2 位作者
王久丽
刘赤子
杨思泽
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期503-507,共5页
利用脉冲高能量密度等离子体技术在室温条件下在 4 5号钢基材上制备出了超硬耐磨TiN薄膜 .利用XRD ,XPS ,AES ,SEM等手段分析了薄膜的成分及显微组织结构 ,并测试了薄膜的硬度分布及摩擦磨损性能 .结果表明 :薄膜主要组成相为TiN ,薄膜...
利用脉冲高能量密度等离子体技术在室温条件下在 4 5号钢基材上制备出了超硬耐磨TiN薄膜 .利用XRD ,XPS ,AES ,SEM等手段分析了薄膜的成分及显微组织结构 ,并测试了薄膜的硬度分布及摩擦磨损性能 .结果表明 :薄膜主要组成相为TiN ,薄膜组织致密、均匀 ,与基材之间存在较宽的混合界面 ;薄膜硬度高 。
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关键词
氮钛薄膜
脉冲高能量密度等离子体
薄膜生长
耐磨性
显微组织
结构分析
原文传递
题名
脉冲高能量密度等离子体法类金刚石膜的制备及分析
被引量:
14
1
作者
杨武保
范松华
刘赤子
张谷令
王久丽
杨思泽
机构
中国科学院物理研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期140-144,共5页
基金
国家自然科学基金 (批准号 :5 98710 60 )资助的课题~~
文摘
利用脉冲高能量密度等离子体法在光学玻璃衬底上、在室温下成功的制备了光滑、致密、均匀的纳米类金刚石膜 .工艺研究表明 :放电电压和放电距离以及工作气体种类对纳米类金刚石膜的沉积起着关键作用 .利用拉曼光谱、扫描电镜以及电子能量损失谱分析薄膜的形态结构表明 :薄膜具有典型的类金刚石特征 ;纳米类金刚石膜的晶粒尺寸小于 2 0nm甚至为非晶态 ;类金刚石膜中含有一定量的氮原子 ,随着沉积能量的升高 ,氮的含量增大 .纳米类金刚石膜的薄膜电阻超过 10 9Ω cm2 .对放电溅射过程进行了理论分析 ,结果与工艺研究的结论吻合 .
关键词
脉冲高能量密度等离子体法
制备
phedp
法
类金刚石膜
拉曼光谱
扫描电镜
Keywords
phedp
DLC
Raman spectra
SEM
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
O613.71 [理学—无机化学]
原文传递
题名
脉冲高能量密度等离子体法制备TiN薄膜及其摩擦磨损性能研究
被引量:
27
2
作者
刘元富
张谷令
王久丽
刘赤子
杨思泽
机构
中国科学院物理研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期503-507,共5页
基金
国家"8 63"计划 (批准号 :2 0 0 2A3 3 10 2 0 )
国家自然科学基金 (批准号 :10 2 75 0 88)资助的课题~~
文摘
利用脉冲高能量密度等离子体技术在室温条件下在 4 5号钢基材上制备出了超硬耐磨TiN薄膜 .利用XRD ,XPS ,AES ,SEM等手段分析了薄膜的成分及显微组织结构 ,并测试了薄膜的硬度分布及摩擦磨损性能 .结果表明 :薄膜主要组成相为TiN ,薄膜组织致密、均匀 ,与基材之间存在较宽的混合界面 ;薄膜硬度高 。
关键词
氮钛薄膜
脉冲高能量密度等离子体
薄膜生长
耐磨性
显微组织
结构分析
Keywords
phedp
, titanium nitride film, microstructure, wear resistance
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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题名
作者
出处
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1
脉冲高能量密度等离子体法类金刚石膜的制备及分析
杨武保
范松华
刘赤子
张谷令
王久丽
杨思泽
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
14
原文传递
2
脉冲高能量密度等离子体法制备TiN薄膜及其摩擦磨损性能研究
刘元富
张谷令
王久丽
刘赤子
杨思泽
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
27
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