用IR及XPS研究Photo-CVD SiO_2薄膜特性

在低温下采用以低压Xe气激发真空紫外光作光源,以SiH_4和O_2作为反应气体的直接光CVD技术在硅衬底上成功地淀积出SiO_2薄膜。用红外光谱分析发现,薄膜中未出现与Si—H、Si—OH相应的红外吸收峰,Si—O伸缩振动所对应的吸收峰峰位在1054～1069cm^(-1)之间;通过高频C-V特性曲线计算出SiO_2-Si系统中固定氧化物电荷密度在2×10^(10)～3×10^(11)cm^(-2)范围内;XPS分析表明,SiO_2薄膜中Si的2p能级结合能为103.6 eV,界面处亚氧化硅的总含量为每平方厘米3.72×10^(15)个原子。

两种氧化方法对InSb探测器钝化效果的研究

比较了阳极氧化和Photo-CVD氧化两种钝化方式制备InSb探测器的性能,结果表明前者反偏漏电流小,击穿电压是后者的5倍,背景光电流和零偏阻抗基本相同。C-V测试结果:前者固定表面电荷密度为2×1011cm-2,后者为1.5×1011cm-2。两种氧化方法制备的器件经过高温高湿老化试验后,在反偏1 V时,阳极氧化器件漏电比变化率只有Photo-CVD氧化器件的50%,二者背景光电流均有增加,可能与器件光敏面扩大有关。阳极氧化钝化方法,工艺过程易于控制,钝化效果一致性较好,器件的界面状态更加稳定。

衬底材料对直接光化学汽相淀积类金刚石碳膜成膜初期的影响

以微波激励氙（Ｘｅ）发射的真空紫外（ＶＵＶ）光作光源，乙炔（Ｃ２Ｈ２）作反应气体，氮（Ｎ２）、氩（Ａｒ）和氢（Ｈ２）气为稀释气体，采用直接光化学汽相淀积（ＣＶＤ）工艺，在硅（Ｓｉ）、钼（Ｍｏ）及玻璃衬底上进行了类金刚石碳（ＤＬＣ）膜的淀积生长．通过光电子能谱（ＸＰＳ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）的测试与观察，研究了在同样工艺条件下不同衬底材料对ＤＬＣ膜成膜初期碳原子的吸附、凝聚及成核过程．实验结果表明，不同的衬底材料淀积效果不同，钼的淀积效果较好，硅的较差．此外。

光化学汽相沉积中光激活物质的理论解析

基于光激活物质空间迁移长度的概念，推导出方形反应空间中到达基片上单位面积的光激活物质总数的解析表达式，对光化学汽相沉积中淀积速率和基片位置的关系进行了模拟和分析． 模拟结果同实验结果符合良好．

衬底温度对直接光CVD SiO_2薄膜特性的影响

采用以低压氙 (Xe)气激发真空紫外光作光源 ,以 Si H4和 O2 作反应气体的直接光 CVD技术淀积 Si O2 薄膜 .通过椭圆偏振法、红外光谱法、C- V特性法对不同衬底温度下淀积的 Si O2 薄膜的特性进行研究 .结果表明 :衬底温度在 40～ 2 0 0℃范围内 ,薄膜的折射率在 1.40～ 1.46之间 ,在沉积膜的红外光谱中未出现与 Si— H、Si— OH相对应的红外吸收峰 .Si O2 薄膜中固定氧化物电荷密度受衬底温度影响较大 ,其最小值可达 1.73× 10 1 0 cm- 2 .

紫外汞灯PVD二氧化硅薄膜特性研究

本文论述了紫外汞灯Hg敏化PVD SiO_2薄膜的原理及方法,讨论了PVD SiO_2薄膜的光学特性、结构特性、电学特性、附着力及应力,并分析了薄膜的成份。

衬底温度对VUV光直接光CVD SiO_2/Si界面缺陷的影响

研究了ＶＵＶ（真空紫外）光直接光ＣＶＤ（化学汽相淀积）ＳｉＯ２／Ｓｉ界面微结构缺陷与衬底温度（Ｔｓ）的关系。实验结果表明：在３２℃～１８０℃的温度范围内，与Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ伸缩模相对应的ＩＲ峰位随Ｔｓ的降低从１０６０ｃｍ－１增加至１０８０ｃｍ－１。固定氧化物电荷密度（ΔＮｏｔ）在Ｔｓ＞１２０℃后，呈正电性，与位于３．１０ｅＶ的氧空位缺陷相关；在Ｔｓ＜１００℃一侧，呈负电性，与２．８４ｅＶ能级位置的过剩氧缺陷相关；而在１００℃～１２０℃间，ΔＮｏｔ具有极小值，其大小约在１０１０ｃｍ－２数量级。

光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——(Ⅰ)光化学气相淀积氧化硅的工艺研究

文章介绍制备光化学气相淀积氮化硅薄膜的原理、设备及实验结果。

Ta2O5薄膜的结构和电学性能研究

采用紫外光诱导热丝CVD沉积技术制备Ta2O5薄膜和Al/Ta2O2/SiMOS电容。利用XRD，AFM测试分析方法研究了紫外光源功率对Ta2O5薄膜结构的影响；通过C-V和，I-V测试对Ta2O5薄膜的介电常数，击穿场强和漏电流等电学性能进行了研究，结果表明：紫外光源的功率越大，Ta2O5薄膜的结晶性越好，介电常数越大，最大值为29，但紫外光功率对击穿场强和漏电流没有明显改善。

纳米TiO_2的制备及光催化性能

采用 RF- PCVD法 ,以 Ti Cl4 + O2 为反应体系 ,制备出了球状纳米级 Ti O2 粉体。经TEM,XRD,BET测试表明 ,粉体为锐钛型和金红石型的混晶体 ,粒径范围为 2 0～ 60 nm,平均粒径45 nm.苯酚降解实验表明 ,Ti O2 粉体具有明显的光催化活性 ,并就光催化效率与德国产 Ti O2 进行了比较。

光化学气相沉积薄膜的生长机理及其研究进展

近年，作为固体表面一项新的低温成膜工艺，光化学气相沉积已经取得了显著进展。本文从光化学原理角度出发，介绍了光化学气相沉积反应的能量过程及生长机理，并展望了它的今后发展前景。

直接光CVDSiO_2膜的沉积动力学

讨论了SiH4 +O2 混合气体在真空紫外光辐照下的光化学反应和SiO2 膜的沉积过程。根据光吸收定律和附面层理论推导出了直接光CVDSiO2 膜的沉积速率方程 ,这个方程与大量实验结果符合较好。

光CVD—SiO_2薄膜的性能及其应用

采用光ＣＶＤ法制备了良好的ＳｉＯ２薄膜，为半导体器件及传感器表面修饰提供了一条新型可行的途径。

光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——(Ⅲ)光CVD氮化硅薄膜应用于提高器件可靠性

采用光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行器件的表面钝化,使整个器件提高了可靠性.

纳米TiO_2的制备及催化性能研究

应用高频等离子体化学气相淀积法 (RF -PCVD) ,以TiCl4+O2 为体系 ,制备出了纳米级的TiO2 粉体 ,通过控制载气的流量得到了不同粒径的粉体 ,并通过X射线衍射可知产物为金红石型和锐钛型的混晶体 ,通过对含苯酚 5 0mg/L溶液的降解实验 ,比较了其与德国产TiO2

活性炭镀TiO_2薄膜光催化降解苯酚废水

本文研究用常压化学气相沉积法对活性炭镀TiO2 薄膜催化剂的条件下 ,以紫外灯为光源 ,进行苯酚废液光催化降解。实验得出 :(1)活性炭的量不同 ;(2 )底物的种类不同 ;(3 )分别用HCl、NaOH处理活性炭后再镀TiO2 薄膜 ;(4)镀TiO2 薄膜时水的温度不同 ;(5)在溶液中加入不同的物质 (H2 O2 、CH2 COCH3) ,均对苯酚废液的降解有影响 ,结果表明 :镀膜底物为活性炭 ,水温度为 3 0℃ ,溶液中加入H2

PVD淀积速率理论

本文建立了PVD淀积速率与光源功率以及淀积时间关系的理论,发现理论与薄膜厚度关于淀积时间关系的实验结果相符合。

工艺参数对真空紫外光直接光CVD SiO_2-Si界面特性的影响

采用高频（１ＭＨｚ）Ｃ－Ｖ测试和红外谱，研究了工艺参数对Ｘｅ激发真空紫外光直接光ＣＶＤＳｉＯ２的ＳｉＯ２／Ｓｉ界面特性的影响。结果表明，衬底温度Ｔｓ对固定氧化物电荷密度ΔＮｏｔ、慢界面态密度ΔＮｓｔ的影响比反应室总气压Ｐｃ和ＳｉＨ４／Ｏ２分压比显著。ΔＮｏｔ和ΔＮｓｔ在１１０℃附近有极小值，约为１０１０ｃｍ－２量级。Ｔｓ＞１２０℃，ΔＮｏｔ呈正电荷性，Ｔｓ＜１１０℃，ΔＮｏｔ呈负电荷性。Ｓｉ—Ｏ—Ｓｉ伸缩振动吸收峰位在１０６０～１０８０ｃｍ－２间，随Ｔｓ的减少而增加。

直接光CVD法低温生长SiO＿2薄膜技术及其应用

使用自制的微波激励式真空紫外光化学汽相淀积设备，以硅烷和氧为反应气体，在３２～２２０℃的低温下，成功地淀积出了优质实用的ＳｉＯ＿２薄膜；测试结果表明，淀积膜的组分结构、主要光学及电学特性均与高温生长膜的相符，将该技术应用于某些晶体管及热敏打印元件的制作工艺中，已取得了明显的实用效果。

工艺参数对真空紫外光直接光CVDSiO_2/Si界面特性的影响

采用高频（１ＭＨｚ）Ｃ－Ｖ测试和红外谱，研究了工艺参数对Ｘｅ激发真空紫外光（ＶＵＶ）直接光ＣＶＤＳｉＯ２的ＳｉＯ２／Ｓｉ界面特性的影响。结果表明：衬底温度Ｔｓ对固定氧化物电荷密度ΔＮｏｔ、慢界面态密度ΔＮｓｔ的影响比反应室总气压Ｐｃ和ＳｉＨ２／Ｏ２分压比显著。ΔＮｏｔ和ΔＮｓｔ在１１０°Ｃ附近有极小值，大小为１０１０ｃｍ－２量级。Ｔｓ＞１２０°Ｃ，ΔＮｏｔ呈正电荷性，Ｔｓ＜１１０°Ｃ，ΔＮｏｔ呈负电荷性。Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ伸缩振动吸收峰位在１０６０～１０８０ｃｍ－２间，随Ｔｓ的减少而增加。